主側墻和N+/P+源漏的形成
主側墻（Main Spacer）和N+/P+ 源漏（S/D）的形成
形成主側墻和n+/p+源漏的工藝示意圖如圖所示。
首先，沉積四乙基原硅酸鹽氧化物（即使用正硅酸乙酯TEOS前驅的CVD氧化物，簡稱TEOS-ox）和氮化硅的復合層，并對TEOS-ox和氮化硅進行等離子體蝕刻，形成復合主側墻。
然后對n-MOS和P-MOS區(qū)域分別進行自對準的n+和p+注入形成源漏。RTA和尖峰退火被用于去除缺陷，并激活在源漏注入的雜質。?
審核編輯：劉清
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原文標題：前段集成工藝（FEOL）-5
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