半導(dǎo)體中常見(jiàn)的載流子散射機(jī)制
半導(dǎo)體中的載流子在熱平衡條件下的熱運(yùn)動(dòng)沒(méi)有確定的方向性,因此,在沒(méi)有外場(chǎng)作用時(shí)，凈電流為零;在有外電....
半導(dǎo)體中的載流子統(tǒng)計(jì)規(guī)律
半導(dǎo)體具有價(jià)帶全滿、導(dǎo)帶全空的能帶結(jié)構(gòu),但這只是在絕對(duì)溫度為零度時(shí)才嚴(yán)格成立。在室溫下，仍有少量的電....
簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)半導(dǎo)體的雜質(zhì)和缺陷
沒(méi)有任何雜質(zhì)原子和結(jié)構(gòu)缺陷的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體，在這種完美的半導(dǎo)體中，電子要么存在于導(dǎo)帶中,要么存....
簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)
不同的能帶結(jié)構(gòu)決定了絕緣體、半導(dǎo)體和導(dǎo)體等材料具有不同的電學(xué)性質(zhì)。對(duì)于不同半導(dǎo)體，能帶結(jié)構(gòu)差異必然導(dǎo)....
簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)
半導(dǎo)體材料按其化學(xué)組分,可分為無(wú)機(jī)半導(dǎo)體和有機(jī)半導(dǎo)體。目前應(yīng)用于微電子和光電子產(chǎn)業(yè)的大多數(shù)都是無(wú)機(jī)半....
微細(xì)加工工藝集成電路技術(shù)進(jìn)步途徑
集成電路單元器件持續(xù)微小型化，是靠從微米到納米不斷創(chuàng)新的微細(xì)加工工藝技術(shù)實(shí)現(xiàn)的。
集成電路技術(shù)進(jìn)步的基本規(guī)律
集成電路現(xiàn)今所達(dá)到的技術(shù)高度是當(dāng)初人們難以想象的。在發(fā)明集成電路的1958年.全世界半導(dǎo)體廠生產(chǎn)的晶....
光刻技術(shù)中的掩模形貌效應(yīng)詳解
圖9-5展示了使用Kirchhof方法與嚴(yán)格的電磁場(chǎng)(EMF)仿真進(jìn)行掩模建模所得結(jié)果之間的區(qū)別。K....
高數(shù)值孔徑投影光刻中的偏振效應(yīng)
在前面的部分中,使用標(biāo)量模型描述了成像過(guò)程,但其中不包括任何偏振現(xiàn)象，而高數(shù)值孔徑系統(tǒng)的應(yīng)用引入了幾....
雙色調(diào)顯影-------光學(xué)光刻和極紫外光刻
雙色調(diào)顯影（DTD）最早是由Asano提出的。DTD通過(guò)兩次單獨(dú)的顯影去除最高和最低曝光劑量區(qū)域的光....
一文詳解多重曝光技術(shù)
有一些光學(xué)分辨率增強(qiáng)技術(shù)是非常依賴于圖形特征的。例如，可以通過(guò)合適方向的二極照明來(lái)增強(qiáng)密集線空?qǐng)D形的....
OPC模型和其工藝流程的簡(jiǎn)單介紹
目前，基于模型的 OPC已成為先進(jìn)半導(dǎo)體制造的標(biāo)準(zhǔn)程序。圖4-15 表明現(xiàn)代 OPC模型包含了考慮光....
無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件結(jié)構(gòu)與工藝
現(xiàn)有的晶體管都是基于 PN 結(jié)或肖特基勢(shì)壘結(jié)而構(gòu)建的。在未來(lái)的幾年里，隨著CMOS制造技術(shù)的進(jìn)步，器....
CMOS超大規(guī)模集成電路制造工藝流程的基礎(chǔ)知識(shí)
本節(jié)將介紹 CMOS 超大規(guī)模集成電路制造工藝流程的基礎(chǔ)知識(shí)，重點(diǎn)將放在工藝流程的概要和不同工藝步驟....
無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件的發(fā)展歷程
2010年，愛(ài)爾蘭 Tyndall 國(guó)家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三柵無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)....
無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管詳解
當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢(shì)壘結(jié)所構(gòu)成：雙極結(jié)型晶體管（BJT）包含兩個(gè)背靠背的PN....
