半導(dǎo)體具有價(jià)帶全滿、導(dǎo)帶全空的能帶結(jié)構(gòu),但這只是在絕對(duì)溫度為零度時(shí)才嚴(yán)格成立。在室溫下，仍有少量的電子從價(jià)帶熱激發(fā)至導(dǎo)帶,并在價(jià)帶留下相應(yīng)的空穴，或電子從施主雜質(zhì)電離進(jìn)人導(dǎo)帶,或空穴從受主雜質(zhì)電離進(jìn)人價(jià)帶。盡管這種熱激發(fā)過(guò)程或電離過(guò)程具有一定的隨機(jī)性，而且要研究的對(duì)象載流子的數(shù)量巨大，但它們也有規(guī)律可循，它們應(yīng)遵循統(tǒng)計(jì)規(guī)律。本節(jié)將討論本征半導(dǎo)體、雜質(zhì)半導(dǎo)體包括簡(jiǎn)并半導(dǎo)體的載流子統(tǒng)計(jì)規(guī)律。

2.5.1 載流子的玻爾茲曼統(tǒng)計(jì)分布規(guī)律

統(tǒng)計(jì)物理學(xué)認(rèn)為電子處于能量E的幾率為

這里E為費(fèi)米能級(jí),它標(biāo)志了一個(gè)系統(tǒng)中電子填充水平的高低，類似于一個(gè)盛水容器中的水平面。f(E)又稱為費(fèi)米分布函數(shù),具有如下性質(zhì):

這種分布函數(shù)又稱玻爾茲曼分布函數(shù)。

就像計(jì)算盛水容器中的水量除了需要知道水平面外，還要知道這個(gè)容器各層橫截面的布函數(shù)。面積那樣,要計(jì)算半導(dǎo)體中載流子濃度,除了需要知道費(fèi)米能級(jí)外,還要知道導(dǎo)帶或價(jià)帶的態(tài)密度。對(duì)于具有拋物線型色散關(guān)系的能帶結(jié)構(gòu),其導(dǎo)帶和價(jià)帶的態(tài)密度分別為：

通過(guò)對(duì)導(dǎo)帶和價(jià)帶中不同能量位置載流子濃度的積分,可以得到導(dǎo)帶電子濃度和價(jià)帶空穴濃度與費(fèi)米能級(jí)存在如下關(guān)系:

這里Nc和Nv分別為導(dǎo)帶和價(jià)帶的有效狀態(tài)密度,分別由下式?jīng)Q定:

上式中,m。和m品分別為導(dǎo)帶和價(jià)帶的態(tài)密度有效質(zhì)量,它們是包含了可能出現(xiàn)的多能谷以及能谷各向異性信息或輕重空穴有效質(zhì)量信息的一個(gè)折合質(zhì)量。(2.7)式的物理意義是，對(duì)導(dǎo)帶電子(或價(jià)帶空穴)的統(tǒng)計(jì)可以將所有導(dǎo)帶電子假想為集中到導(dǎo)帶底(或價(jià)帶頂)，同時(shí)其態(tài)密度為Ne(或N)。費(fèi)米能級(jí)越接近于導(dǎo)帶，電子濃度越高，空穴濃度越低;反之亦然。一旦費(fèi)米能級(jí)的位置確定，電子濃度和空穴濃度也隨之確定(假定溫度是確定的);反過(guò)來(lái)，一旦電子或空穴濃度確定，則費(fèi)米能級(jí)的位置也確定。將(2.7a)和(2.7b)兩式相乘,還可得到

(2.9)式表示電子濃度和空穴濃度的乘積只與材料本身的性質(zhì)(即禁帶寬度、有效質(zhì)量)和溫度有關(guān)，而與費(fèi)米能級(jí)位置和摻雜濃度無(wú)關(guān)。

2.5.2 本征載流子濃度及其隨溫度變化

利用(2.9)式,可以直接計(jì)算本征半導(dǎo)體的載流子濃度。根據(jù)電中性條件，在本征半導(dǎo)體中熱激發(fā)產(chǎn)生的導(dǎo)帶電子和價(jià)帶空穴的濃度相等，這一濃度稱為本征載流子濃度n1。其大小可通過(guò)電中性條件n=p，再利用(2.9)式確定如下:

同時(shí)，利用(2.7)式還可以得到本征半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)(稱為本征費(fèi)米能級(jí))，

半導(dǎo)體本征載流子濃度與溫度和禁帶寬度有關(guān)，在一定溫度下，應(yīng)有一個(gè)確定值。圖2.15為硅、鍺、砷化鎵3種半導(dǎo)體本征載流子濃度與溫度倒數(shù)的關(guān)系[e。隨著溫度升高，本征載流子濃度呈指數(shù)式增大,其對(duì)數(shù)與1/T的斜率為一Eg/2k。E。越大的材料,本征載流子濃度越低。對(duì)于硅材料,室溫(300 K)下本征載流子濃度為9.6510cm~3。另外,由于室溫?zé)徇\(yùn)動(dòng)能量kT約為26 meV,比大多數(shù)半導(dǎo)體禁帶寬度小得多,因此，(2.11)式右邊第一項(xiàng)相對(duì)于第一項(xiàng)可以忽略,即:可以認(rèn)為本征費(fèi)米能級(jí)位于半導(dǎo)體禁帶中央。這是合理的,因?yàn)楸菊靼雽?dǎo)體既非n型,又非p型,所以,費(fèi)米能級(jí)既不向?qū)б膊幌騼r(jià)帶偏移。

利用(2.10)式和(2.11)式,又可將(2.7)式和(2.9)式分別改寫(xiě)為

2.5.3 雜質(zhì)半導(dǎo)體載流子濃度及其隨溫度變化

對(duì)于雜質(zhì)半導(dǎo)體，以摻有施主雜質(zhì)的n型半導(dǎo)體為例,導(dǎo)帶電子除了由本征熱激發(fā)產(chǎn)生外.還需要考慮由施主電離產(chǎn)生的電子。這時(shí)就需要考慮電子占據(jù)雜質(zhì)能級(jí)的幾率,它類似于費(fèi)米分布，

從(2.16)式可知,對(duì)于確定溫度,E應(yīng)有定值,電子濃度和空穴濃度也可確定。圖2.16為典型的電子濃度對(duì)數(shù)與溫度倒數(shù)的關(guān)系1在低溫下,電子濃度隨溫度上升呈指數(shù)式上升其斜率與施主電離能(ED=Ec一ED)成正比,此過(guò)程又稱為雜質(zhì)弱電離區(qū)。在中等溫度范圍,電子濃度存在一個(gè)飽和區(qū),它對(duì)應(yīng)于施主雜質(zhì)的完全電離,故又稱為強(qiáng)電離區(qū),此時(shí)"=Nn，大多數(shù)情況下室溫就落在此區(qū)間。溫度進(jìn)一步升高，載流子本征熱激發(fā)可超過(guò)施主雜質(zhì)濃度,進(jìn)入本征激發(fā)區(qū),電子濃度主要由本征載流子濃度決定,它隨溫度呈指數(shù)式增加,其斜率正比于Eg。

對(duì)于p型半導(dǎo)體,只要將電中性條件改為p=NA+n，也可以得到類似于n型半導(dǎo)體的結(jié)果。對(duì)于同時(shí)摻有施主和受主雜質(zhì)的半導(dǎo)體,則只要將電中性條件改為n十N=N十p，也可計(jì)算出Ee，從而進(jìn)一步計(jì)算出電子和空穴的濃度。它也具有與單一雜質(zhì)情形類似的3個(gè)溫區(qū)，在飽和區(qū)或強(qiáng)電離區(qū)多數(shù)載流子的濃度等于摻雜濃度之差(ND一NA或V、一N)，這就是雜質(zhì)補(bǔ)償現(xiàn)象。在通常情況下,室溫位于飽和區(qū)。

2.5.4 簡(jiǎn)并半導(dǎo)體載流子的費(fèi)米統(tǒng)計(jì)分布規(guī)律

這里需要指出,上面的(2.7)式、(2.9)式、(2.12)式、(2.13)式，是在費(fèi)米能級(jí)距導(dǎo)帶邊和價(jià)帶邊不過(guò)近的情況下(Ec一EF>2kT和EE一Ev>2kT)得到的。或者說(shuō)，當(dāng)費(fèi)米分布函數(shù)可以用玻爾茲曼分布函數(shù)近似時(shí),才有這些結(jié)論。這種條件下的半導(dǎo)體稱為非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，此時(shí)半導(dǎo)體中載流子濃度較低，每個(gè)狀態(tài)被電子占據(jù)的幾率很低，不必考慮泡利不相容原理的限制。隨著摻雜濃度的增大，以n型半導(dǎo)體為例，費(fèi)米能級(jí)越來(lái)越接近導(dǎo)帶邊，甚至進(jìn)入導(dǎo)帶,這時(shí)半導(dǎo)體稱為簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，因?yàn)榇藭r(shí)半導(dǎo)體中載流子濃度很高，相當(dāng)數(shù)量的狀態(tài)可能被一個(gè)以上電子占據(jù),所以，必須考慮泡利不相容原理，費(fèi)米分布函數(shù)不能用玻爾茲曼分布函數(shù)來(lái)近似,即:玻爾茲曼統(tǒng)計(jì)不能用來(lái)計(jì)算導(dǎo)帶電子，必須用費(fèi)米統(tǒng)計(jì)。顯然，此時(shí)對(duì)于空穴濃度仍適用玻爾茲曼統(tǒng)計(jì)。(2.7a)式可改為

圖2.17為費(fèi)米積分與玻爾茲曼積分的比較?？梢钥闯觯?dāng)<一2時(shí),玻爾茲曼積分與費(fèi)米積分基本相同,在大于2尤其在>0(對(duì)應(yīng)于費(fèi)米能級(jí)進(jìn)人導(dǎo)帶)時(shí)，玻爾茲曼積分明顯偏離費(fèi)米積分。由于玻爾茲曼統(tǒng)計(jì)不考慮泡利不相容原理,而費(fèi)米統(tǒng)計(jì)考慮了泡利不相容原理，對(duì)于同樣位置的費(fèi)米能級(jí),玻爾茲曼統(tǒng)計(jì)得到的載流子濃度偏高是可以預(yù)期的。當(dāng)重?fù)诫s使半導(dǎo)體成為簡(jiǎn)并半導(dǎo)體后，特別是當(dāng)費(fèi)米能級(jí)進(jìn)入導(dǎo)帶時(shí),根據(jù)電子占據(jù)施主雜質(zhì)能級(jí)幾率的表達(dá)式可知,施主雜質(zhì)電離率較低，不同于低摻雜和中等程度摻雜時(shí)雜質(zhì)基本能完全電離。上述討論對(duì)重?fù)诫sp型半導(dǎo)體也適用，相應(yīng)空穴濃度為