chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

特斯拉如何減少75%的碳化硅的使用?

汽車電子設(shè)計(jì) ? 來(lái)源:芝能汽車 ? 2023-03-14 16:11 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

特斯拉投資者大會(huì)上,特斯拉表示下一代汽車平臺(tái)的動(dòng)力總成中將減少75%的碳化硅使用。特斯拉是第一個(gè)將SiC引入動(dòng)力總成中的?,F(xiàn)在以SiC為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體剛剛開(kāi)始登場(chǎng),中國(guó)企業(yè)做好了大舉進(jìn)入的準(zhǔn)備,剛要有點(diǎn)成績(jī),特斯拉的表態(tài)把市場(chǎng)都震動(dòng)了。

馬斯克的“鴻圖大愿”經(jīng)常未達(dá)預(yù)期,不過(guò)在碳化硅這事上,已經(jīng)有一些比較明確的技術(shù)路線。Part 1

碳化硅在哪里使用?

特斯拉是全球第一個(gè)在電動(dòng)汽車的動(dòng)力總成里面使用SiC的,是用在逆變器功率模塊上。

0f45d076-c23a-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

由于汽車動(dòng)力電池的直流電需要轉(zhuǎn)換成三相交流電(U、V、W)才能為驅(qū)動(dòng)電機(jī)供電,提供這個(gè)從直流電到交流電轉(zhuǎn)換的是功率模塊的三相開(kāi)關(guān)電路。在Model3之前,開(kāi)關(guān)電路大多是用IGBT模塊組成。而Model 3 車型正是是首次應(yīng)用碳化硅(SiC)功率元器件的電動(dòng)車型,用的是來(lái)自意法半導(dǎo)體的650V SiC Mosfet。

0fb047ee-c23a-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

功率元器件是通過(guò)PWM 脈沖寬度調(diào)制來(lái)進(jìn)行的,通過(guò)改變脈沖寬度和頻率,就可以調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)電機(jī)的扭矩和轉(zhuǎn)速。

當(dāng)PWM信號(hào)的脈沖寬度導(dǎo)通時(shí)間越長(zhǎng)則電機(jī)輸出的扭矩越大

PWM信號(hào)的頻率越高則電機(jī)的轉(zhuǎn)速越高。

特斯拉首次用的SiC,對(duì)于提升電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)效率有很大的幫助——特斯拉的能耗做得很出色,比大多數(shù)企業(yè)都要低5%左右,SiC功不可沒(méi)。直觀來(lái)看,就是實(shí)現(xiàn)相同的續(xù)航里程,特斯拉用到的電池度數(shù)更少。

但這次為什么特斯拉要減少SiC的使用呢?主要還是因?yàn)槌杀靖摺猄iC的成本是傳統(tǒng)IGBT的三、四倍。

Part 2

特斯拉逆變器的自主設(shè)計(jì)

特斯拉能降低SiC的使用,還要從特斯拉自主設(shè)計(jì)逆變器的能力說(shuō)起。因?yàn)樘厮估茉玳_(kāi)始自主設(shè)計(jì)逆變器,所以有這個(gè)技術(shù)儲(chǔ)備可以對(duì)其進(jìn)行深度改造。目前特斯拉已經(jīng)有三代自主研發(fā)的逆變器:

第一代逆變器

特斯拉Roadster這個(gè)車型的動(dòng)力總成上用的PEM,采用的IGBT單管,標(biāo)準(zhǔn)的TO247封裝,每個(gè)開(kāi)關(guān)由14片IGBT單管并聯(lián),一個(gè)逆變器總共使用了84片IGBT單管;后來(lái)還換用了供應(yīng)商,讓IR做定制的單管IGBT (600V 120A AUIRGPS4067D1),同樣采用14片并聯(lián)。

第二代逆變器

用在 Model S的動(dòng)力總成上,仍然采用TO247封裝的IGBT (IKW75N60T),每個(gè)開(kāi)關(guān)為16 個(gè)IGBT單管并聯(lián),共用了96片IGBT。

第三代逆變器

Model 3和Y上用了全新一代的逆變器。除了選擇功率器件SiC,徹底改變了逆變器的整體設(shè)計(jì);特斯拉還與功率半導(dǎo)體廠商共同研發(fā)了新功率芯片,合作新封裝的開(kāi)發(fā), 特斯拉定制的TPAK(Tesla Pack)模塊橫空出世。

在功率模塊上特斯拉采用并聯(lián)的技術(shù),圍繞多管并聯(lián),特斯拉可以根據(jù)其電動(dòng)車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中不同的功率等級(jí),選擇不同數(shù)量的TPAK并聯(lián),都在同一個(gè)封裝內(nèi),只需對(duì)外部電路、機(jī)械結(jié)構(gòu)進(jìn)行微小改動(dòng),就能滿足各種電動(dòng)汽車行駛要求,大大增加了設(shè)計(jì)靈活性。

0fdc51f4-c23a-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

逆變器的電路板上主要分為低壓電路和高壓電路。

0fe90a16-c23a-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

高壓域中的主要功能包括:

? 自研的功率半導(dǎo)體模塊;?

? 隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器–連接MCU和功率半導(dǎo)體的器件,負(fù)責(zé)隔離高壓和低壓;

? 偏置電源 – 負(fù)責(zé)從低壓側(cè)獲取能量并向功率半導(dǎo)體生成柵極驅(qū)動(dòng)電壓

? 隔離式電壓和電流檢測(cè) – 負(fù)責(zé)檢測(cè)直流鏈路電壓和電機(jī)相電流,并確保向電機(jī)施加正確的扭矩

? 有源放電 – 負(fù)責(zé)將直流總線電容器電壓放電至安全電壓

低壓電部分主要是整個(gè)逆變器的微控制器 (MCU) ,里面的軟件控制的生成脈寬調(diào)制 (PWM) 信號(hào),來(lái)驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體。

MCU 的軟件進(jìn)行電流采樣和位置編碼采樣,在閉環(huán)中運(yùn)行感應(yīng)和速度控制。

MCU采集電機(jī)的狀態(tài)是通過(guò)旋轉(zhuǎn)變壓器或霍爾效應(yīng)傳感器。

小結(jié):特斯拉可能的解決方案

基于現(xiàn)在的逆變器以及其中最重要的功率模塊和控制電路特斯拉積累的自研能力,可以通過(guò)串聯(lián)SiC和IGBT來(lái)實(shí)現(xiàn)減少SIC的使用。我們還找了一些實(shí)際的技術(shù)進(jìn)展,可以預(yù)見(jiàn)到能綜合運(yùn)用了先進(jìn)的控制電路,在降低成本的同時(shí),提高逆變器效率。





審核編輯:劉清

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 微控制器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    48

    文章

    8346

    瀏覽量

    164332
  • 電動(dòng)汽車
    +關(guān)注

    關(guān)注

    156

    文章

    12608

    瀏覽量

    236777
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    3702

    瀏覽量

    69253
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    26

    文章

    3453

    瀏覽量

    52261

原文標(biāo)題:「微侃」特斯拉如何減少75%的碳化硅的使用

文章出處:【微信號(hào):QCDZSJ,微信公眾號(hào):汽車電子設(shè)計(jì)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)博世碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品

    博世為智能出行領(lǐng)域提供全面的碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合,包括用于逆變器、車載充電器和直流/直流轉(zhuǎn)換器的碳化硅功率MOSFET和碳化硅功率模塊。這些解決方案已面向全球整車廠、一級(jí)供應(yīng)商以及分銷商,產(chǎn)品
    的頭像 發(fā)表于 12-12 14:14 ?777次閱讀

    探索碳化硅如何改變能源系統(tǒng)

    作者:Michael Williams, Shawn Luke 碳化硅 (SiC) 已成為各行各業(yè)提高效率和推動(dòng)脫碳的基石。碳化硅是高級(jí)電力系統(tǒng)的推動(dòng)劑,可滿足全球?qū)稍偕茉础㈦妱?dòng)汽車 (EV
    的頭像 發(fā)表于 10-02 17:25 ?1731次閱讀

    [新啟航]碳化硅 TTV 厚度測(cè)量技術(shù)的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)與創(chuàng)新方向

    一、引言 碳化硅(SiC)作為寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表,在功率器件、射頻器件等領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用。總厚度偏差(TTV)是衡量碳化硅襯底及外延片質(zhì)量的重要指標(biāo),其精確測(cè)量對(duì)保障碳化硅器件性能至關(guān)重要
    的頭像 發(fā)表于 09-22 09:53 ?1753次閱讀
    [新啟航]<b class='flag-5'>碳化硅</b> TTV 厚度測(cè)量技術(shù)的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)與創(chuàng)新方向

    Wolfspeed碳化硅技術(shù)實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商用

    碳化硅 (SiC) 技術(shù)并非憑空而來(lái),它是建立在數(shù)十年的創(chuàng)新基礎(chǔ)之上。近四十年來(lái),Wolfspeed 始終致力于碳化硅 (SiC) 技術(shù)和產(chǎn)品的創(chuàng)新并不斷強(qiáng)化基礎(chǔ)專利。僅在過(guò)去的五年中,我們
    的頭像 發(fā)表于 09-22 09:31 ?817次閱讀

    碳化硅在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用

    今天碳化硅器件已經(jīng)在多種應(yīng)用中取得商業(yè)的成功。碳化硅MOSFET已被證明是硅IGBT在太陽(yáng)能、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電器和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域的商業(yè)可行替代品。
    的頭像 發(fā)表于 08-29 14:38 ?7085次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用

    碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

    碳化硅是第三代半導(dǎo)體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢(shì),在高壓、高頻、大功率的場(chǎng)景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,哪怕是在超過(guò)300℃的高溫環(huán)境下,打破了傳統(tǒng)材料下器件的參數(shù)瓶頸,直接促進(jìn)了新能源等
    的頭像 發(fā)表于 08-27 16:17 ?1573次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

    碳化硅晶圓特性及切割要點(diǎn)

    01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料,經(jīng)過(guò)晶體生長(zhǎng)、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過(guò)程后形成的單片材料。按照電學(xué)性
    的頭像 發(fā)表于 07-15 15:00 ?1133次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圓特性及切割要點(diǎn)

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE科銳)生產(chǎn)的1200V、450A全碳化硅半橋功率模塊,致力于高功率、高效化技術(shù)應(yīng)用打造
    發(fā)表于 06-25 09:13

    國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu)

    SiC碳化硅MOSFET國(guó)產(chǎn)化替代浪潮:國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu) 1 國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)的崛起與技術(shù)突破 1.1 國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)從
    的頭像 發(fā)表于 06-07 06:17 ?1145次閱讀

    碳化硅功率器件有哪些特點(diǎn)

    隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加,寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動(dòng)汽車等領(lǐng)域的應(yīng)用不斷拓展,成為現(xiàn)代電子技術(shù)的重要組成部分。本文將詳細(xì)探討
    的頭像 發(fā)表于 04-21 17:55 ?1234次閱讀

    碳化硅功率器件的種類和優(yōu)勢(shì)

    在現(xiàn)代電子技術(shù)飛速發(fā)展的背景下,功率器件的性能和效率面臨著越來(lái)越高的要求。碳化硅(SiC)作為一種新興的寬禁帶半導(dǎo)體材料,憑借其優(yōu)異的電氣特性和熱性能,逐漸成為功率電子器件領(lǐng)域的熱門選擇。本文將探討碳化硅功率器件的基本概念、工作原理、主要應(yīng)用領(lǐng)域以及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。
    的頭像 發(fā)表于 04-09 18:02 ?1404次閱讀

    為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實(shí)現(xiàn)硅到碳化硅的過(guò)渡?

    電力電子器件高度依賴于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇,但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來(lái)越受歡迎。相較于硅
    發(fā)表于 03-12 11:31 ?982次閱讀
    為什么<b class='flag-5'>碳化硅</b>Cascode JFET 可以輕松實(shí)現(xiàn)硅到<b class='flag-5'>碳化硅</b>的過(guò)渡?

    CREE(Wolfspeed)的壟斷與衰落及國(guó)產(chǎn)碳化硅襯底崛起的發(fā)展啟示

    )的壟斷與衰落 技術(shù)壟斷期:Wolfspeed(原CREE)曾長(zhǎng)期主導(dǎo)全球碳化硅襯底市場(chǎng),其物理氣相傳輸法(PVT)生長(zhǎng)技術(shù)及6英寸襯底工藝占據(jù)絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。2018年特斯拉采用碳化硅后,Wolfspeed市值一度飆升,但此后因技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 03-05 07:27 ?1490次閱讀
    CREE(Wolfspeed)的壟斷與衰落及國(guó)產(chǎn)<b class='flag-5'>碳化硅</b>襯底崛起的發(fā)展啟示

    SiC碳化硅二極管公司成為國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對(duì)象

    結(jié)合國(guó)產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)格局和技術(shù)發(fā)展趨勢(shì),SiC碳化硅二極管公司已經(jīng)成為國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對(duì)象,比如2024已經(jīng)有超過(guò)兩家SiC碳化硅二極管公司破產(chǎn)清算,僅有
    的頭像 發(fā)表于 02-28 10:34 ?868次閱讀

    碳化硅MOSFET的優(yōu)勢(shì)有哪些

    隨著可再生能源的崛起和電動(dòng)汽車的普及,全球?qū)Ω咝?、低能耗電力電子器件的需求日益增加。在這一背景下,碳化硅(SiC)MOSFET作為一種新型寬禁帶半導(dǎo)體器件,以其優(yōu)越的性能在功率電子領(lǐng)域中嶄露頭角
    的頭像 發(fā)表于 02-26 11:03 ?1574次閱讀