netsol基于在內(nèi)存相關(guān)領(lǐng)域的豐富開發(fā)經(jīng)驗以及低成本、超小型和低功耗內(nèi)存解決方案設(shè)計的專業(yè)知識、為工業(yè)自動化、網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、醫(yī)療、游戲、企業(yè)數(shù)據(jù)中心和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等廣泛領(lǐng)域的各種應(yīng)用程序，提供最優(yōu)化的定制內(nèi)存解決方案。在下一代存儲器半導體領(lǐng)域，尤其是STT-MRAM領(lǐng)域，處于翹楚。

數(shù)據(jù)記錄是如下持續(xù)、反復(fù)地將重要數(shù)據(jù)保存于設(shè)備的過程。
–系統(tǒng)內(nèi)外部發(fā)生的事件
–使用歷史
–環(huán)境參數(shù)
–機器狀態(tài)
–用于分析目的的其他數(shù)據(jù)

因需要持續(xù)、反復(fù)地保存數(shù)據(jù)，內(nèi)存需要快速的寫入速度與高耐久性。英尚微提供的非易失性存儲芯片NETSOL MRAM的主要優(yōu)勢包括:與SRAM不同，無需電壓控制器、電池及電池插座；與nvSRAM不同，無需電容器；寫入速度快；近乎無限的耐用性（100兆次的寫入次數(shù)）；斷電即時數(shù)據(jù)備份。

Netsol MRAM 具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對于需要快速存儲和搜索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序來說，是最合適的內(nèi)存。適用于工業(yè)設(shè)備中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲器。可替代NOR Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。

審核編輯黃宇