S3A3204R0M是自旋轉(zhuǎn)移扭矩磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(STT-MRAM)。它具有SPI總線接口、XIP(就地執(zhí)行)功能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護(hù)機(jī)制。SPI(串行外設(shè)接口)是帶有命令、地址和數(shù)據(jù)信號(hào)的同步串行通信接口。它比并行接口需要更少的引腳數(shù)，并且易于在系統(tǒng)上配置。STT-MRAM可以替代具有相同功能和非易失性的閃存、FeRAM或(nv)SRAM。該器件提供多種SPI模式，允許帶寬擴(kuò)展選項(xiàng)。

STT-MRAM的SSPI(單SPI)模式有單(1)個(gè)命令信號(hào)引腳。用戶(hù)可以在1引腳、2引腳或4引腳中選擇分配多少引腳給地址和數(shù)據(jù)信號(hào)。STT-MRAM的DSPI(雙SPI)模式為命令、地址和數(shù)據(jù)信號(hào)提供雙(2)引腳。QSPI(四通道SPI)模式為命令、地址和數(shù)據(jù)信號(hào)提供四(4)個(gè)引腳。

NETSOL自旋轉(zhuǎn)移扭矩磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器STT-MRAM具有非易失性寄存器位——狀態(tài)寄存器、配置寄存器、序列號(hào)寄存器，增加了512個(gè)字節(jié)和用于擴(kuò)充字節(jié)的保護(hù)寄存器。高電平后上電時(shí)，這些寄存器位需要至少置1次溫度回流焊工藝。

STT-MRAM提供小尺寸8引腳WSON、8引腳SOIC和24引腳FBGA三種封裝。這些封裝與類(lèi)似的低功耗揮發(fā)性和非揮發(fā)性產(chǎn)品兼容。該器件具有工業(yè)(-40°C至85°C)工作溫度范圍。

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審核編輯 黃宇