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高速串行SPI SRAM存儲(chǔ)器解決方案

samsun2016 ? 來源:samsun2016 ? 作者:samsun2016 ? 2026-04-15 16:28 ? 次閱讀
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很多單片機(jī)MCU)在進(jìn)行數(shù)據(jù)采集、圖像處理或協(xié)議轉(zhuǎn)換時(shí),經(jīng)常會(huì)遇到內(nèi)置RAM容量不夠用的尷尬。雖然可以外擴(kuò)內(nèi)存,但傳統(tǒng)并口SRAM往往需要占用大量I/O引腳,對(duì)于本就管腳緊張的小型MCU來說,布線成本和PCB空間都有點(diǎn)吃不消。所以通過串行接口來擴(kuò)展片外RAM,就可以很好地兼顧容量與引腳開銷。而SPI SRAM(串行靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)正是這種場景下的理想選擇。


相比并行SRAM,SPI SRAM僅需4根信號(hào)線(時(shí)鐘、數(shù)據(jù)輸入、數(shù)據(jù)輸出、片選)即可完成通信,大大節(jié)省了MCU的寶貴引腳資源。同時(shí),SPI SRAM保留了傳統(tǒng)SRAM的隨機(jī)存取、無需刷新、讀寫速度快等優(yōu)點(diǎn),非常適合作為數(shù)據(jù)緩存、幀緩沖或網(wǎng)絡(luò)協(xié)議棧的內(nèi)存池。目前市面上已有不少國產(chǎn)SPI SRAM方案,性價(jià)比和供貨穩(wěn)定性都表現(xiàn)出色。


通過MCU的標(biāo)準(zhǔn)SPI外設(shè)即可訪問該存儲(chǔ)器。所需總線信號(hào)非常簡單:時(shí)鐘線(SCK)、數(shù)據(jù)輸入(SI)、數(shù)據(jù)輸出(SO)以及片選(CS)。MCU只需發(fā)送標(biāo)準(zhǔn)的讀/寫指令和目標(biāo)地址,SPI SRAM芯片便會(huì)自動(dòng)完成內(nèi)部存儲(chǔ)陣列的操作,使用起來和操作普通SPI Flash一樣簡單,但速度更快、且無需擦除。


以英尚微電子代理的EMI公司型號(hào)EMI7008WSMI為例,這是一顆采用低功耗CMOS工藝的串行SPI SRAM,容量為8Mbit(即1M字節(jié))。它支持2.7V~3.6V寬電壓工作,時(shí)鐘頻率最高可達(dá)50MHz,并兼容標(biāo)準(zhǔn)SPI與QPI(四線SPI)兩種接口模式——既可以用傳統(tǒng)的SI/SO分離雙線傳輸,也可配置為4位I/O雙向傳輸,提升吞吐量。


該SPI SRAM芯片內(nèi)置了完整的刷新管理邏輯,外部主控?zé)o需額外操作即可直接讀寫任意地址。封裝方面SPI SRAM EMI7008WSMI采用常見的8引腳SOP-8,占板面積很小,焊接方便。EMI7008WSMI的工作溫度范圍覆蓋-40℃至85℃,滿足工業(yè)級(jí)應(yīng)用需求。


英尚微電子作為EMI公司的一級(jí)代理商,能夠提供從選型指導(dǎo)到應(yīng)用支持的完整SPI SRAM存儲(chǔ)器解決方案。該系列SPI SRAM芯片具有低功耗、小尺寸、高可靠性的特點(diǎn),在物聯(lián)網(wǎng)終端、工業(yè)控制器、便攜設(shè)備等領(lǐng)域獲得了大量實(shí)際應(yīng)用驗(yàn)證。如果您正在為MCU尋找經(jīng)濟(jì)靈活的大容量RAM擴(kuò)展方案,可以關(guān)注英尚微電子網(wǎng)站的產(chǎn)品中心頁面,獲取更多技術(shù)資料和樣品支持。

審核編輯 黃宇

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