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垂直外腔面發(fā)射半導(dǎo)體激光器的雙波長調(diào)控研究

MEMS ? 來源:MEMS ? 2023-04-12 09:17 ? 次閱讀
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雙波長激光器是一種具有較大應(yīng)用潛力的光源,其應(yīng)用范圍包括非線性頻率變換、雙波長干涉技術(shù)、光通信、光動力學(xué)醫(yī)療等領(lǐng)域,因此備受國內(nèi)外眾多研究者的關(guān)注。由于半導(dǎo)體激光器具有效率高、質(zhì)量輕、波長范圍廣、可靠性高等優(yōu)勢,如果能通過半導(dǎo)體激光器實(shí)現(xiàn)雙波長激光輸出,則十分有利于推動雙波長光源的實(shí)用化進(jìn)程。

垂直外腔面發(fā)射半導(dǎo)體激光器(Vertical-External-Cavity Surface-Emitting Laser,VECSEL)兼具固體激光器和半導(dǎo)體激光器的優(yōu)點(diǎn),能夠同時獲得高輸出功率和高光束質(zhì)量。此外,VECSEL具有靈活的外腔結(jié)構(gòu),可以在腔內(nèi)加入多種光學(xué)元件,從而實(shí)現(xiàn)波長調(diào)諧、鎖模和非線性頻率轉(zhuǎn)換等功能。因此,VECSEL具有成為理想雙波長半導(dǎo)體激光器的潛力,研究者們也一直致力于實(shí)現(xiàn)雙波長VECSEL。

據(jù)麥姆斯咨詢報道,近期,中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所、中國科學(xué)院大學(xué)、長春中科長光時空光電技術(shù)有限公司的研究團(tuán)隊聯(lián)合提出一種結(jié)構(gòu)緊湊的VECSEL,通過調(diào)控泵浦光功率,實(shí)現(xiàn)了VECSEL輸出的兩個激光波長之間的相互轉(zhuǎn)換,雙波長的間隔接近50 nm。在0℃時,每個激射波長的最大輸出功率都在1.5 W以上。隨著泵浦功率的改變,激射波長可以在950 nm和1000 nm之間切換,同時還可以在1.5 W以上的功率水平下實(shí)現(xiàn)雙波長同時激射。這種可切換波長及雙波長同時激射的VECSEL器件在光調(diào)制、差頻等領(lǐng)域有較大應(yīng)用潛力。相關(guān)研究成果已發(fā)表于《紅外與毫米波學(xué)報》期刊。

與以往的雙波長VECSEL結(jié)構(gòu)設(shè)計相比,這項研究中,研究人員主要通過對增益譜的熱調(diào)制實(shí)現(xiàn)波長轉(zhuǎn)換。VECSEL的增益芯片采用了底發(fā)射的面發(fā)射激光器結(jié)構(gòu),在未摻雜的GaAs襯底上先后生長了阻擋層、共振周期結(jié)構(gòu)的多量子阱有源區(qū)以及布拉格反射鏡(Distributed Bragg Reflector,DBR)結(jié)構(gòu)。在有源區(qū)和襯底之間生長了GaInP作為刻蝕阻擋層,主要用于仿制襯底去除工藝對芯片結(jié)構(gòu)的破壞,并且其具有比泵浦吸收區(qū)更高的勢壘,也能夠阻止載流子擴(kuò)散到表面形成非輻射復(fù)合。此增益芯片的有源區(qū)由9個InGaAs / GaAsP / AlGaAs應(yīng)變量子阱組成。在整體結(jié)構(gòu)設(shè)計中,9個量子阱的位置位于駐波波峰中心位置,形成共振周期結(jié)構(gòu),避免了空間燒孔效應(yīng),并且能夠獲得更高的光學(xué)增益。

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VECSEL系統(tǒng)工作示意圖,插圖為該器件增益芯片的駐波光場

研究人員進(jìn)一步測試了該VECSEL器件的性能。通過提高增益-腔模預(yù)偏移量的增益芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計,在不同的泵浦功率下,增益譜被調(diào)諧到由反射率譜的下降傾角決定的兩種模式中的一種,實(shí)現(xiàn)了增益芯片激射波長可在950 nm和1000 nm之間切換。此外,在特定的泵浦功率下,可以實(shí)現(xiàn)VECSEL雙波長同時激射。在0℃時,兩個激射波長對應(yīng)的最大輸出功率均超過1.5 W,雙波長的頻差在15.66 THz。雙波長VECSEL中兩種振蕩模式的相對強(qiáng)度可以通過微調(diào)泵浦功率來調(diào)節(jié),且兩種振蕩模式均表現(xiàn)出良好的穩(wěn)定性。

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VECSEL增益芯片的發(fā)光區(qū)PL光譜及整體結(jié)構(gòu)反射譜

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在0℃下,VECSEL器件的輸出性能(a)及其泵浦功率在8 W和20 W時的遠(yuǎn)場發(fā)散角(b)

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在0℃下,VECSEL器件出光光譜隨泵浦功率的變化關(guān)系(a),以及泵浦功率不變的情況下,VECSEL器件輸出波長隨溫度的變化關(guān)系(b)

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在0℃下,VECSEL器件在單一波長輸出時的光束質(zhì)量M2(a),以及VECSEL器件在雙波長運(yùn)轉(zhuǎn)時的光束質(zhì)量M2,插圖為其輸出光斑的形貌(b)

這項研究提出的雙波長激光器可以避免復(fù)雜的增益芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計和復(fù)雜的外延生長,同時也不需要在外腔中插入并調(diào)諧光學(xué)元件,加之其體積小、堅固、穩(wěn)定、實(shí)用,在光調(diào)制、差頻等領(lǐng)域具有較高的實(shí)用價值。






審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:垂直外腔面發(fā)射半導(dǎo)體激光器(VECSEL)的雙波長調(diào)控研究

文章出處:【微信號:MEMSensor,微信公眾號:MEMS】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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