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信噪比:高端科研級(jí)相機(jī)的核心參數(shù)

jf_64961214 ? 來(lái)源:jf_64961214 ? 作者:jf_64961214 ? 2023-05-31 07:08 ? 次閱讀
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如果從成像結(jié)果來(lái)考察一款科研相機(jī),最重要的一般有3個(gè)特征:

(1)黑白還是彩色。彩色相機(jī)能帶來(lái)顏色信息,但靈敏度和分辨率都不及同參數(shù)的黑白相機(jī)。

(2)幀速。無(wú)論是高速移動(dòng)的樣品還是一閃而過(guò)的光信號(hào),都需要高幀速相機(jī)才有可能采集到。

(3)成像質(zhì)量。影響成像質(zhì)量(或者經(jīng)常聽(tīng)到"清晰度"這樣的口頭表述)的因素,包括信噪比和分辨率。無(wú)論是信噪比過(guò)低,還是分辨率過(guò)低,都無(wú)法得到讓人滿意的圖片(如圖1)。

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圖1. 信噪比和分辨率對(duì)成像質(zhì)量的影

本文主要討論信噪比。

信噪比公式及解析

在相機(jī)的成像過(guò)程中,除了真實(shí)的信號(hào),還會(huì)引入一系列的不確定性(光信號(hào)本身的不確定性、材料熱運(yùn)動(dòng),電子學(xué)噪聲等等)——稱(chēng)為噪聲。而信號(hào)與噪聲的比值被定義為信噪比(Signal-to-Noise Ratio, SNR)。

相機(jī)的信噪比可以通過(guò)如下公式計(jì)算得出:

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圖2. 信噪比公式

公式中的分子部分就是"信號(hào)",單位時(shí)間的入射光子數(shù)目(P,即信號(hào)的強(qiáng)度)乘以曝光時(shí)間(t),即為入射光子的總數(shù)目,其中有一定比例(QE,量子效率)被相機(jī)轉(zhuǎn)換為電荷,最終稱(chēng)為相機(jī)成像的"信號(hào)"。

公式中的分母部分是"噪聲",分成三個(gè)組成部分。

(1)第一個(gè)部分是來(lái)自"真實(shí)信號(hào)"的散粒噪聲——√P·QE·t. ( 如何理解這個(gè)"散粒噪聲"呢?比如原始的光信號(hào)對(duì)應(yīng)每秒鐘100個(gè)光子落到一個(gè)像素上,但實(shí)際的情況卻有可能是第一個(gè)一秒鐘,落下了97個(gè)光子;第二個(gè)一秒鐘落下了104個(gè)光子;第三個(gè)一秒鐘落下來(lái)101個(gè)光子;等等等等。這種不確定性就是散粒噪聲的來(lái)源。

(2)第二個(gè)部分是來(lái)自暗電流的散粒噪聲——√D·t.由于相機(jī)的芯片是Si(或者InGaAs等其他材料),只要不是絕對(duì)零度,電子的熱運(yùn)動(dòng)都會(huì)有幾率被當(dāng)成"信號(hào)"讀出——稱(chēng)之為暗電流。暗電流可以隨著時(shí)間而積累。雖然暗電流是可能通過(guò)后期算法給扣除的,但是其不確定性,或者說(shuō)來(lái)自于暗電流的散粒噪聲卻無(wú)法消除。

(3)第三個(gè)部分是讀出噪聲——R。讀出噪聲的來(lái)源很多,實(shí)際操作中,將相機(jī)的蓋子關(guān)閉(即沒(méi)有任何光信號(hào)),采用最短的曝光時(shí)間(盡可能排除暗電流/暗噪聲的影響)所得到的圖像中的像素值的不確定性就被記為讀出噪聲。讀出噪聲是一個(gè)籠統(tǒng)但是很有實(shí)用性的概念——尤其在高速弱光成像中,因?yàn)榇藭r(shí)曝光時(shí)間很短,所以暗電流/暗噪聲都很小,主要的噪聲來(lái)源就是讀出噪聲。

由于以上三種噪聲來(lái)源互不相關(guān),所以總噪聲就等于其平方和再取平方根。

對(duì)于特定的拍攝條件,讀出噪聲和暗電流都是固定的。所以信號(hào)越強(qiáng),其散粒噪聲也越大,成為噪聲的主要來(lái)源。此時(shí)信噪比公式可以近似為:

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圖3. 信號(hào)較強(qiáng)時(shí)的近似信噪比公式

但如果信號(hào)很弱,來(lái)自信號(hào)的散粒噪聲就很小,此時(shí)讀出噪聲和暗電流的影響就不能忽略。

那么,如果希望提升相機(jī)成像的信噪比,改善信號(hào)較弱時(shí)的成像質(zhì)量,我們能夠從上面的信噪比公式中得到怎樣的啟發(fā)呢?大致說(shuō)來(lái)有6個(gè)方面。

# 影響信噪比的因素(1)——曝光時(shí)間

無(wú)論是從大家日常的理解還是從信噪比公式中,我們都很容易得出曝光時(shí)間(t)越長(zhǎng),信噪比越高的結(jié)論。

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圖4. 曝光時(shí)間與信噪比的關(guān)系

然而,曝光時(shí)間長(zhǎng)了,幀速就無(wú)法得到保障。曝光時(shí)間為1 s的時(shí)候,無(wú)論如何幀速也是無(wú)法超過(guò)1幀/秒的。

所以,曝光時(shí)間的延長(zhǎng)能夠提升信噪比,但是會(huì)損失幀速。

# 影響信噪比的因素(2)——光學(xué)系統(tǒng)的素質(zhì)

對(duì)于同一樣品發(fā)出的信號(hào),光學(xué)系統(tǒng)直接影響到落到相機(jī)上的光信號(hào)強(qiáng)度(即公式中的"P")。對(duì)于顯微成像而言,最常見(jiàn)的的提升方式就是選擇更好的物鏡;一般而言,數(shù)值孔徑(NA)越大,物鏡對(duì)信號(hào)的收集能力越強(qiáng)。

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圖5. 不同數(shù)值孔徑(NA)的物鏡對(duì)成像效果的影響。(a) Plan 20×/0.4 NA; (b) UPlanFL N 20×/0.5 NA; (c) UPlanSApo 20×/0.75 NA.(參考用圖,如若侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除)

小結(jié):用你能得到的最好的光學(xué)系統(tǒng)

# 影響信噪比的因素(3)——像素尺寸

像素尺寸也是影響信噪比公式中的"P"(入射的光子數(shù)目);像素尺寸越大,落到一個(gè)像素上的光子就越多。在其他參數(shù)都一致的情況下,信噪比自然就越高。但過(guò)大的像素尺寸會(huì)損失相機(jī)的分辨率。

簡(jiǎn)而言之,在不調(diào)節(jié)光路僅僅更換相機(jī)的情況下(這是非常常見(jiàn)的場(chǎng)景),采用更大像素尺寸的相機(jī)在增加信噪比的同時(shí)往往會(huì)降低圖像的分辨率(如圖6)。

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圖6. 不同像素尺寸相機(jī)對(duì)同一樣品的成像效果對(duì)比。樣品為直徑1μm的熒光小球,放大倍數(shù)60X

# 影響信噪比的因素(4)——制冷與暗電流

由于暗電流(信噪比公式中的"D")來(lái)源于材料中電子的熱運(yùn)動(dòng),所以芯片溫度越高,暗電流越大;對(duì)于同一芯片,近似的規(guī)律是溫度每下降10度,暗電流減小一半。

當(dāng)前市場(chǎng)上的中高端科研相機(jī)的暗電流通常都很小,在1 s以下曝光時(shí)間時(shí),暗噪聲相比于讀出噪聲通??梢院雎?。但由于暗電流隨曝光時(shí)間會(huì)積累,所以越是長(zhǎng)曝光時(shí)間的應(yīng)用,制冷就越重要。

在實(shí)際選型中,不同類(lèi)型的相機(jī)對(duì)制冷的要求也不盡相同:

(1)對(duì)于EMCCD相機(jī),像素尺寸通常較大(常見(jiàn)的為13-16 μm),每個(gè)像素上產(chǎn)生的暗電流本就較多,而且EMCCD中的暗電流還會(huì)和信號(hào)一起被增益放大,所以用制冷壓制EMCCD相機(jī)的暗電流產(chǎn)生尤其重要。因?yàn)檫@些原因,主流的EMCCD相機(jī)制冷溫度都在-50 ℃以下。

(2)而對(duì)于sCMOS相機(jī),不僅像素尺寸會(huì)較小一些(常見(jiàn)的為6.5 μm),也沒(méi)有額外的增益,所以對(duì)制冷的要求就相對(duì)低一點(diǎn)。

從圖7中可以看到,在sCMOS相機(jī)中,制冷溫度的具體高低影響不是那么明顯,但有沒(méi)有制冷對(duì)暗噪聲的表現(xiàn)影響很大(圖7-A是沒(méi)有制冷的相機(jī),圖7-B,C,D都是有制冷的)。這是因?yàn)?,一旦沒(méi)有制冷,相機(jī)的芯片工作溫度并不是簡(jiǎn)單的室溫,而通常高達(dá)60-70 ℃,在長(zhǎng)時(shí)間曝光中(如圖7中的10 s曝光時(shí)間),其暗電流自然就會(huì)高到不可忽視。

筆者在平時(shí)工作中,就曾經(jīng)有過(guò)兩個(gè)有趣的相關(guān)經(jīng)歷。第一個(gè)是剛接觸科研相機(jī)時(shí),看到許多諸如室溫下10 ℃(-10 ℃ from ambient temperature)的相機(jī),表示不可理解,覺(jué)得"就10度的制冷,這有啥用?"。第二個(gè)是濱松有一款面向產(chǎn)業(yè)客戶的板級(jí)sCMOS相機(jī)C11440-62U,其制冷溫度為室溫上10 ℃(+10℃ from ambient temperature),剛看到參數(shù)的時(shí)候也是小小疑惑了一把。其實(shí)當(dāng)年產(chǎn)生這樣的疑惑,就是因?yàn)闆](méi)有意識(shí)到如果相機(jī)沒(méi)有制冷,實(shí)際的工作溫度將遠(yuǎn)超室溫這一點(diǎn)。

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圖7. 冷卻對(duì)相機(jī)的影響。四張圖片來(lái)自于四臺(tái)相機(jī),均采用10 s的曝光時(shí)間,LUT設(shè)置成一樣。這四臺(tái)相機(jī)采用了同樣的芯片,但制冷溫度不同。從左至右依次為:(a) 沒(méi)有制冷(C11440-52U);(b) 制冷溫度為10 ℃(C11440-42U);(c) 制冷溫度為-10 ℃(C11440-22CU,風(fēng)冷模式);(d) 制冷溫度為-20 ℃(C11440-22CU,水冷模式)

小結(jié):對(duì)于當(dāng)今的高端相機(jī),只要有制冷,暗電流都很小。

# 影響信噪比的因素(5)——量子效率

量子效率(即信噪比中的QE)為光子在相機(jī)像素上轉(zhuǎn)換成為電子的比例。同樣是100個(gè)光子落到一個(gè)像素上,QE 82%意味著相機(jī)能夠轉(zhuǎn)換得到82個(gè)電子;QE 72%則代表能轉(zhuǎn)換得到72個(gè)電子。顯然,QE越高,相機(jī)的信噪比越高。

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圖8. 量子效率對(duì)信噪比的影響

有關(guān)QE,看參數(shù)時(shí)需要特別注意以下兩點(diǎn):

(1)QE與波長(zhǎng)是有關(guān)的,對(duì)于同一臺(tái)相機(jī),不同波長(zhǎng)的QE并不相同。以O(shè)RCA-Flash 4.0 V3為例,在600nm的紅光處其QE為最高的82%,在900 nm的紅外光處就只剩下了25%左右。

(2)一般我們?cè)诟叨丝蒲邢鄼C(jī)的參數(shù)表中看到的都是量子效率峰值——也就是相機(jī)最靈敏的波長(zhǎng)所對(duì)應(yīng)的QE。但是,不同相機(jī)/芯片的量子效率峰值所對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)并不一樣,所以如果確切的直到自己信號(hào)的波長(zhǎng)/顏色,最好能夠確認(rèn)下相機(jī)在對(duì)應(yīng)波長(zhǎng)下的QE,而不是簡(jiǎn)單地比較量子效率峰值。

如圖9中左圖所示,ORCA-Spark的峰值波長(zhǎng)在450-500 nm之間,QE峰值為80%;而Flash 4.0 LT的峰值波長(zhǎng)在550-600 nm之間,QE峰值為72%。雖然ORCA-Spark的量子效率峰值更高,但如果針對(duì)紅色熒光,F(xiàn)lash 4.0 LT的QE反而更好。

小結(jié):QE很重要,但QE峰值更多是個(gè)參考,查到關(guān)注波長(zhǎng)的QE值非常關(guān)鍵。

# 影響信噪比的因素(6)——讀出噪聲(R)

在信號(hào)較弱的成像中,來(lái)自信號(hào)的散粒噪聲較?。欢惦娏鞯纳⒘T肼暎窗翟肼暎┰诋?dāng)前的高端科研相機(jī)都是很低的,在曝光時(shí)間1s這個(gè)量級(jí)甚至更短的時(shí)候,暗噪聲通??梢院雎?;此時(shí)讀出噪聲(即信噪比公式中的"R")就稱(chēng)為特別需要考量的因素了。

對(duì)于同樣的芯片,讀出噪聲的大小與讀出速度有關(guān),無(wú)論對(duì)于CCD相機(jī)還是sCMOS相機(jī),讀出速度越快,讀出噪聲越高。而sCMOS相對(duì)于CCD的一個(gè)核心優(yōu)勢(shì),就是高速讀出時(shí)依然能夠保持極低的讀出噪聲。

讀出噪聲的重要性也使得其和QE一起變成了相機(jī)被重點(diǎn)關(guān)注的兩個(gè)參數(shù)。單純考察兩者中的一個(gè)優(yōu)勢(shì)并不能正確預(yù)測(cè)成像的信噪比。如圖9所示,同樣拍一個(gè)綠色熒光樣品,QE較高的ORCA-Spark成像質(zhì)量卻不如ORCA-Flash 4.0 LT,就是因?yàn)镺RCA-Flash 4.0 LT的讀出噪聲較低,綜合考慮時(shí)ORCA-Flash 4.0 LT的信噪比更好。

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圖9. 讀出噪聲對(duì)信噪比的影響

小結(jié):如果用于弱信號(hào)探測(cè),相機(jī)的讀出噪聲對(duì)于總體的信噪比很重要。

審核編輯黃宇

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    近日,廣東省應(yīng)用級(jí)災(zāi)備一體化工程技術(shù)研究中心(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“工程中心”)正式落地深圳。作為國(guó)內(nèi)首個(gè)聚焦應(yīng)用級(jí)災(zāi)備的省級(jí)科研平臺(tái),該中心由深圳市科力銳科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“科力銳”)提供核心
    的頭像 發(fā)表于 06-19 17:08 ?860次閱讀
    國(guó)內(nèi)首個(gè)聚焦應(yīng)用<b class='flag-5'>級(jí)</b>災(zāi)備的省級(jí)<b class='flag-5'>科研</b>中心正式落地深圳科力銳

    如何提升科研級(jí)CCD相機(jī)成像信噪比?

    如何提升科研級(jí)CCD相機(jī)成像信噪比? 如果希望提升科研級(jí)CCD
    的頭像 發(fā)表于 06-09 07:55 ?854次閱讀
    如何提升<b class='flag-5'>科研</b><b class='flag-5'>級(jí)</b>CCD<b class='flag-5'>相機(jī)</b>成像<b class='flag-5'>信噪比</b>?

    PPEC為電力電子科研教學(xué)賦能,開(kāi)啟教學(xué)科研新路徑

    的問(wèn)題。森木磊石 以“ PPEC控制芯片+EasyGo半實(shí)物仿真平臺(tái) ”雙引擎為核心,根據(jù)不同的科研/教學(xué)模式針對(duì)性地推出多種科研與教學(xué)解決方案,為這些難題提供了有效的解決方案,助力電力電子行業(yè)及學(xué)科
    發(fā)表于 02-18 18:35