8.2.1 MOS靜電學回顧∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
8.2.1 MOS靜電學回顧
8.2 金屬-氧化物-半導體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)
第８章單極型功率開關(guān)器件
《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
MOS
+關(guān)注
關(guān)注
32文章
1736瀏覽量
100559 -
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
32文章
3693瀏覽量
69226
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
[新啟航]碳化硅 TTV 厚度測量技術(shù)的未來發(fā)展趨勢與創(chuàng)新方向
一、引言
碳化硅（SiC）作為寬禁帶半導體材料的代表，在功率器件、射頻器件等領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用?？偤穸绕睿═TV）是衡量碳化硅襯底及外延片質(zhì)量的重要指標，其精確測量對保障
![[新啟航]<b class='flag-5'>碳化硅</b> TTV 厚度測量<b class='flag-5'>技術(shù)</b>的未來發(fā)展趨勢與創(chuàng)新方向](https://file1.elecfans.com/web3/M00/20/D6/wKgZPGhd-raAI0RYAACIgEePWXY565.png)
Wolfspeed碳化硅技術(shù)實現(xiàn)大規(guī)模商用
的專利申請量就增長了約 200%。Wolfspeed 強大的知識產(chǎn)權(quán)組合支撐著材料和器件方面的關(guān)鍵突破，這些突破使得碳化硅 (SiC) 技術(shù)得以實現(xiàn)大規(guī)模商用。
【新啟航】碳化硅外延片 TTV 厚度與生長工藝參數(shù)的關(guān)聯(lián)性研究
一、引言
碳化硅外延片作為功率半導體器件的核心材料，其總厚度偏差（TTV）是衡量產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵指標，直接影響器件的性能與可靠性 。外延片的 TTV 厚度受多種因素影響，其中生長工藝參
碳化硅功率器件的基本特性和主要類型
隨著全球?qū)δ茉葱屎涂沙掷m(xù)發(fā)展的關(guān)注日益加深，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新興的半導體材料，正在快速崛起。SiC以其優(yōu)異的電氣性能、高溫穩(wěn)定性和抗輻射性，成為現(xiàn)代電力電子技術(shù)中不可或缺的重要組成部分。本文將探討
從襯底到外延：碳化硅材料的層級躍遷與功能分化
碳化硅襯底和外延片是半導體產(chǎn)業(yè)鏈中的兩個關(guān)鍵組件，盡管兩者均由碳化硅材料構(gòu)成，但在功能定位、制備工藝及應(yīng)用場景等方面存在顯著差異。以下是具體分析：定義與基礎(chǔ)作用不同碳化硅襯底：作為整個器件
碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢
碳化硅是第三代半導體典型材料，相比之前的硅材料，碳化硅有著高擊穿場強和高熱導率的優(yōu)勢，在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下，打破了傳統(tǒng)材料下
碳化硅器件在工業(yè)應(yīng)用中的技術(shù)優(yōu)勢
隨著全球能源轉(zhuǎn)型、智能制造和高效電力系統(tǒng)的快速發(fā)展，半導體器件在工業(yè)領(lǐng)域中的地位日益重要。近年來，第三代半導體材料碳化硅（SiC,SiliconCarbide）憑借其卓越的電學、熱學和機械性能
碳化硅晶圓特性及切割要點
01襯底碳化硅襯底是第三代半導體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料，經(jīng)過晶體生長、晶錠加工、切割、研磨、拋光
碳化硅MOS驅(qū)動電壓如何選擇
碳化硅MOS驅(qū)動電壓選擇15V還是18V，是電力電子設(shè)計中的關(guān)鍵權(quán)衡問題。這兩種電壓對器件的導通損耗、開關(guān)特性、熱管理和系統(tǒng)可靠性有顯著影響。
碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用
隨著全球?qū)沙掷m(xù)能源的需求不斷增加，能源轉(zhuǎn)換技術(shù)的提升已成為實現(xiàn)低碳經(jīng)濟的重要一環(huán)。碳化硅（SiC）功率器件因其在高溫、高電壓和高頻率下優(yōu)越的性能，正逐漸成為現(xiàn)代電力電子設(shè)備的選擇，特別是在能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。本文將深
碳化硅功率器件有哪些特點
隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加，寬禁帶半導體材料逐漸進入了人們的視野。其中，碳化硅（SiC）因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動汽車等領(lǐng)域的應(yīng)用不斷拓展，成為現(xiàn)代電子
碳化硅功率器件的種類和優(yōu)勢
在現(xiàn)代電子技術(shù)飛速發(fā)展的背景下，功率器件的性能和效率面臨著越來越高的要求。碳化硅（SiC）作為一種新興的寬禁帶半導體材料，憑借其優(yōu)異的電氣特性和熱性能，逐漸成為功率電子器件領(lǐng)域的熱門選
SiC碳化硅二極管公司成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象
結(jié)合國產(chǎn)碳化硅功率半導體市場的競爭格局和技術(shù)發(fā)展趨勢，SiC碳化硅二極管公司已經(jīng)成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象，比如2024已經(jīng)有
碳化硅功率器件的特性和應(yīng)用
隨著全球能源需求的快速增長和對可再生能源的重視，電力電子技術(shù)正經(jīng)歷著前所未有的變革。在這一過程中，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新興的寬禁帶半導體材料，憑借其優(yōu)越的性能，正在逐步取代傳統(tǒng)硅（Si
國內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計公司的倒閉潮是市場集中化的必然結(jié)果
器件設(shè)計公司正在加速被市場拋棄：碳化硅功率器件設(shè)計公司出現(xiàn)倒閉潮，這是是市場集中化的必然結(jié)果。結(jié)合英飛凌、安森美等企業(yè)的業(yè)務(wù)動態(tài)，可從以下維度分析這一趨勢： 1. 技術(shù)壁壘與產(chǎn)能競賽：
工商網(wǎng)監(jiān)
評論