本文要點
- 將引線鍵合連接到半導(dǎo)體的過程可以根據(jù)力、超聲波能量和溫度的應(yīng)用進行分類。
- 倒裝芯片技術(shù)使用稱為凸塊的小金屬球進行連接。
- 在倒裝芯片 QFN 封裝中,倒裝芯片互連集成在 QFN 主體中。
基于倒裝芯片QFN封裝技術(shù)的IC用于保持性能,而不會受到引線鍵合的不良影響
在某些半導(dǎo)體產(chǎn)品應(yīng)用中,由于大量互連或引線鍵合對產(chǎn)品性能的不利影響,引線鍵合是不切實際的。在大多數(shù)情況下,基于倒裝芯片QFN封裝技術(shù)的IC用于保持性能,而不會受到引線鍵合的不良影響。盡管引入倒裝芯片QFN封裝技術(shù)所需的成本是引線鍵合封裝成本的1.5倍,但前者可用于消費類高頻RF產(chǎn)品。

引線鍵合和芯片封裝
在IC中建立可靠的內(nèi)部連接或半導(dǎo)體和硅芯片之間的連接非常重要,可以使用引線鍵合來實現(xiàn)這一點。在引線鍵合中,半導(dǎo)體、其他IC和硅芯片之間的電氣互連是使用引線鍵合建立的。引線鍵合是由銅、銀、金或鋁制成的細線。

引線鍵合機制
將引線鍵合連接到半導(dǎo)體的過程可以根據(jù)力、超聲波能量和溫度的應(yīng)用進行分類。標準引線鍵合方法可以根據(jù)輸入能量進行分類。
| 引線鍵合機制 | 力和能量的類型 |
| 超聲波粘合 | 機械力和超聲波能量 |
| 熱超聲粘合 | 機械力、高熱能和超聲波能 |
| 熱壓粘接 | 機械力和高熱能 |

引線鍵合的類型
引線鍵合分為:球粘合 -通常使用金線。金線被熔化形成一個球,利用與所使用的引線鍵合機構(gòu)相對應(yīng)的力和能量將其放入觸點中。在球和接觸墊之間形成冶金焊縫。楔形粘接 -通常使用的引線鍵合材料是鋁。鋁線與接觸墊接觸,并施加引線鍵合所需的能量。能量的應(yīng)用在導(dǎo)線和鍵合墊之間形成楔形鍵合。

倒裝芯片技術(shù)
在產(chǎn)品設(shè)計中選擇IC封裝樣式時,電源管理是一個考慮因素。隨著半導(dǎo)體器件集成密度的提高和元件尺寸的減小,功率和熱能顯著增加。引線鍵合QFN封裝以及晶圓級芯片級封裝(WCSP)配置無法滿足產(chǎn)品的熱性能要求,因為從芯片到電路板的直接熱路徑有限。倒裝芯片QFN封裝更適合滿足高速或高功率密度產(chǎn)品設(shè)計的熱能耗散要求。
如前文所述,高速和高性能應(yīng)用受到引線鍵合與引線鍵合連接的不利影響。設(shè)備速度、功率和接地分配、可靠性等。由于引線鍵合中的非理想性而受到損害。為了克服引線鍵合連接的不足,可以使用倒裝芯片鍵合技術(shù)。
倒裝芯片技術(shù)是一種用于將半導(dǎo)體芯片互連到基板的方法。這項技術(shù)使用稱為凸塊的小金屬球進行連接。通常,使用的球由銀,鉛,錫等制成。金屬凸塊直接電鍍在集成芯片的金屬焊盤上。然后將芯片翻轉(zhuǎn)并粘合到基板上。
倒裝芯片技術(shù)的優(yōu)勢
1、出色的裝配動態(tài)性能
2、良好的電源和接地分布
3、大量互連或引腳數(shù)高
4、高信號密度和信號完整性
5、改善功耗
6、可實現(xiàn)高速接口
7、短距離互連是可能的
8、低信號電感
9、可靠性
10、外形小巧

倒裝芯片 QFN 封裝
采用倒裝芯片技術(shù)進行電氣互連的四方扁平無引線IC封裝通常稱為倒裝芯片QFN封裝或FC QFN封裝。在倒裝芯片 QFN 封裝中,倒裝芯片互連集成在 QFN 主體中。在倒裝芯片QFN封裝中,引線框架和芯片之間的連接是使用倒裝芯片技術(shù)創(chuàng)建的,該技術(shù)封裝在QFN主體上。倒裝芯片 QFN 封裝中的裸露散熱焊盤改善了傳熱,并提供低電感接地連接。QFN 封裝的熱效率和倒裝芯片互連的電效率融合到倒裝芯片 QFN 封裝的單個 IC 中。
芯片倒裝QFN封裝的優(yōu)勢
1、良好的電效率
2、良好的熱性能
3、更短的裝配周期
4、芯片封裝比小
5、可以有多個引線行
倒裝芯片 QFN 封裝可用于蜂窩電話、數(shù)字信號處理器、微控制器、USB 控制器、無線 LAN 等。Cadence可以幫助您為DC-DC轉(zhuǎn)換、信號處理等各種應(yīng)用設(shè)計倒裝芯片QFN封裝。
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