chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

凌云院IPAC | 2023年度英飛凌碳化硅直播季,重磅來襲!

英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 2023-05-19 10:27 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

如果要說當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)最熱的話題是什么,無疑是第三代半導(dǎo)體,而這其中SiC毋庸置疑是最引人注目的當(dāng)紅“炸子雞”。

英飛凌自1992開始著手于碳化硅的研究,在長達(dá) 30 年的時間里,英飛凌不斷地進(jìn)行技術(shù)打磨和沉淀,幫助新材料在新應(yīng)用中快速成長。迄今為止英飛凌CoolSiC商用已有20余年,未來CoolSiC 碳化硅器件除了光伏和儲能、充電設(shè)施以及各類電源應(yīng)用以外,還會在哪些領(lǐng)域大有可為?

2023年5-8月, 2023年度凌云院 IPAC英飛凌

碳化硅直播季 ,重磅來襲!

英飛凌碳化硅技術(shù)大解析,讓我們一起看下

英飛凌的CoolSiC MOSFET “Cool” 在哪里?

第一場直播預(yù)告

本期話題:

敢攬瓷器活, 必有金剛鉆

——英飛凌CoolSiC MOSFET的

器件結(jié)構(gòu)和封裝創(chuàng)新

直播時間:

5月23日下午14:00

本期關(guān)鍵詞:碳化硅,增強(qiáng)型溝槽柵,

冷切割,可靠性,.XT高性能互聯(lián)封裝技術(shù)

碳化硅直播季主持人

孫輝波

英飛凌科技大中華區(qū)

零碳工業(yè)功率事業(yè)部

應(yīng)用工程師

直播嘉賓

郝欣

英飛凌科技大中華區(qū)

零碳工業(yè)功率事業(yè)部

應(yīng)用工程師

趙佳

英飛凌科技大中華區(qū)

零碳工業(yè)功率事業(yè)部

應(yīng)用工程師

碳化硅MOSFET在材料與器件特性上不同于傳統(tǒng)硅,如何保證性能和可靠性的平衡是所有廠家需要面對的首要問題。

英飛凌作為業(yè)界為數(shù)不多的采用溝槽柵做SiC MOSFET 的企業(yè),如何使用創(chuàng)新的非對稱溝槽柵既解決柵極氧化層的可靠性問題、又提高了SiC MOSFET 的性能? 增強(qiáng)型溝槽柵又“強(qiáng)“在哪里?

英飛凌的創(chuàng)新碳化硅冷切割技術(shù),如何更好地成就SiC生產(chǎn)效率的提升和成本的降低?.

英飛凌使用增強(qiáng)型溝槽柵SiC MOSFET 芯片,配合.XT高性能互聯(lián)封裝技術(shù),又會對散熱、功率密度和可靠性帶來何種優(yōu)化?

讓我們一起來深入探究CoolSiC MOSFET的器件結(jié)構(gòu)和封裝技術(shù)吧!

第二場直播預(yù)告

本期話題:好馬要有好鞍配,

——詳解SiC驅(qū)動和并聯(lián)的關(guān)鍵技術(shù)

直播時間:6月20日下午14:00

本期關(guān)鍵詞:碳化硅,短路保護(hù),驅(qū)動, 并聯(lián)

直播嘉賓

鄭姿清

英飛凌科技大中華區(qū)

零碳工業(yè)功率事業(yè)部

應(yīng)用工程師

趙佳

英飛凌科技大中華區(qū)

零碳工業(yè)功率事業(yè)部

應(yīng)用工程師

在從Si到SiC的應(yīng)用轉(zhuǎn)化中,因為SiC的高速開關(guān)特性、特殊的器件結(jié)構(gòu)、較低的短路耐量,使得SiC系統(tǒng)的驅(qū)動及保護(hù)設(shè)計都面臨很大挑戰(zhàn)。如何更好地設(shè)計SiC MOSFET驅(qū)動及保護(hù)電路, 在高性能功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用場合實現(xiàn)效率、功率密度和穩(wěn)健性的最佳組合?

好馬要有好鞍配,讓我們一起詳解SiC短路保護(hù)和并聯(lián)的關(guān)鍵技術(shù)!

第三場直播預(yù)告

本期話題:好鋼用在刀刃上

——探討SiC熱門應(yīng)用和器件選型要點(diǎn)

直播時間:8月9日下午14:00

關(guān)鍵詞:碳化硅,光儲充,固態(tài)變壓器,

固態(tài)斷路器,SiC 器件選型

直播嘉賓

沈嵩

英飛凌科技大中華區(qū)

零碳工業(yè)功率事業(yè)部

應(yīng)用工程師

周明

英飛凌科技大中華區(qū)

零碳工業(yè)功率事業(yè)部

應(yīng)用工程師

由于 SiC材料在禁帶寬度、絕緣擊穿場強(qiáng)、熱導(dǎo)率以及功率密度等參數(shù)方面要遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體,所以其在新能源汽車、充電樁、高速電機(jī)、可再生能源等領(lǐng)域的應(yīng)用在逐步的擴(kuò)大化。未來還會在哪些領(lǐng)域大有可為?

好鋼用在刀刃上,讓我們共同探討SiC熱門應(yīng)用和器件選型要點(diǎn)。


一次可同時勾選報名三場直播,英飛凌大咖們剝繭抽絲、層層遞進(jìn),讓你秒懂碳化硅應(yīng)用~

別忘了哦,參加我們的直播活動,還有精彩的抽獎環(huán)節(jié)等著你!

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 英飛凌
    +關(guān)注

    關(guān)注

    68

    文章

    2514

    瀏覽量

    142810
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    339

    文章

    30646

    瀏覽量

    263596
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    年終盤點(diǎn):英飛凌2025碳化硅領(lǐng)域重磅產(chǎn)品與技術(shù)驚艷亮相

    歲末將至,回顧2025科技領(lǐng)域,英飛凌碳化硅(SiC)賽道成績斐然,憑借一系列創(chuàng)新產(chǎn)品與前沿技術(shù),為行業(yè)發(fā)展注入強(qiáng)勁動力,成為行業(yè)矚目的焦點(diǎn)。小編貼心地按照產(chǎn)品發(fā)布和技術(shù)發(fā)布這兩大板塊,給大家
    的頭像 發(fā)表于 12-23 18:04 ?585次閱讀
    年終盤點(diǎn):<b class='flag-5'>英飛凌</b>2025<b class='flag-5'>年</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>領(lǐng)域<b class='flag-5'>重磅</b>產(chǎn)品與技術(shù)驚艷亮相

    Wolfspeed榮獲2025年度功率器件碳化硅行業(yè)卓越獎

    作為碳化硅 (SiC) 行業(yè)全球引領(lǐng)者的 Wolfspeed 公司在今年正式推出了全新第四代 (Gen 4) 碳化硅 MOSFET 技術(shù)平臺與 1200V 工業(yè)級、1200V 車規(guī)級產(chǎn)品系列,重新定義功率半導(dǎo)體器件的性能和耐久性,旨在為高功率應(yīng)用在實際應(yīng)用中帶來突破性的性
    的頭像 發(fā)表于 12-22 17:32 ?599次閱讀

    探索碳化硅如何改變能源系統(tǒng)

    作者:Michael Williams, Shawn Luke 碳化硅 (SiC) 已成為各行各業(yè)提高效率和推動脫碳的基石。碳化硅是高級電力系統(tǒng)的推動劑,可滿足全球?qū)稍偕茉?、電動汽?(EV
    的頭像 發(fā)表于 10-02 17:25 ?1731次閱讀

    Wolfspeed碳化硅技術(shù)實現(xiàn)大規(guī)模商用

    碳化硅 (SiC) 技術(shù)并非憑空而來,它是建立在數(shù)十的創(chuàng)新基礎(chǔ)之上。近四十年來,Wolfspeed 始終致力于碳化硅 (SiC) 技術(shù)和產(chǎn)品的創(chuàng)新并不斷強(qiáng)化基礎(chǔ)專利。僅在過去的五
    的頭像 發(fā)表于 09-22 09:31 ?818次閱讀

    【新啟航】碳化硅 TTV 厚度與表面粗糙的協(xié)同控制方法

    摘要 本文圍繞碳化硅晶圓總厚度變化(TTV)厚度與表面粗糙的協(xié)同控制問題,深入分析二者的相互關(guān)系及對器件性能的影響,從工藝優(yōu)化、檢測反饋等維度提出協(xié)同控制方法,旨在為提升碳化硅襯底質(zhì)量、保障
    的頭像 發(fā)表于 09-04 09:34 ?867次閱讀
    【新啟航】<b class='flag-5'>碳化硅</b> TTV 厚度與表面粗糙<b class='flag-5'>度</b>的協(xié)同控制方法

    碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢

    碳化硅是第三代半導(dǎo)體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場強(qiáng)和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢,在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下,打破了傳統(tǒng)材料下器件的參數(shù)瓶頸,直接促進(jìn)了新能源等
    的頭像 發(fā)表于 08-27 16:17 ?1574次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件的應(yīng)用優(yōu)勢

    西安濟(jì)南人氣爆棚,四站蓄勢待發(fā)丨2025 IPAC英飛凌零碳工業(yè)應(yīng)用技術(shù)大會邀您共赴!

    本周二,2025IPAC英飛凌零碳工業(yè)應(yīng)用技術(shù)大會盛大啟幕!西安站與濟(jì)南站的活動現(xiàn)場熱鬧非凡、人氣高漲。英飛凌科技高級技術(shù)總監(jiān)、工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)技術(shù)負(fù)責(zé)人陳立烽先生,攜手
    的頭像 發(fā)表于 08-21 17:04 ?1106次閱讀
    西安濟(jì)南人氣爆棚,四站蓄勢待發(fā)丨2025 <b class='flag-5'>IPAC</b><b class='flag-5'>英飛凌</b>零碳工業(yè)應(yīng)用技術(shù)大會邀您共赴!

    【新啟航】碳化硅襯底 TTV 厚度測量中表面粗糙對結(jié)果的影響研究

    摘要 本文聚焦碳化硅襯底 TTV 厚度測量過程,深入探究表面粗糙對測量結(jié)果的影響機(jī)制,通過理論分析與實驗驗證,揭示表面粗糙與測量誤差的關(guān)聯(lián),為優(yōu)化碳化硅襯底 TTV 測量方法、提升
    的頭像 發(fā)表于 08-18 14:33 ?674次閱讀
    【新啟航】<b class='flag-5'>碳化硅</b>襯底 TTV 厚度測量中表面粗糙<b class='flag-5'>度</b>對結(jié)果的影響研究

    碳化硅晶圓特性及切割要點(diǎn)

    01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料,經(jīng)過晶體生長、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過程后形成的單片材料。按照電學(xué)性
    的頭像 發(fā)表于 07-15 15:00 ?1135次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圓特性及切割要點(diǎn)

    IPAC碳化硅直播丨如何應(yīng)用CoolSiC? MOSFET設(shè)計高能效系統(tǒng)?

    碳化硅直播首場直播收獲了過萬的觀看量,“打鐵需趁熱”,第一期話題直直戳中了可靠性這個核心戰(zhàn)場,第二期就必須得火力全開,好好嘮嘮怎么把碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 06-24 17:04 ?436次閱讀
    <b class='flag-5'>IPAC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>直播</b><b class='flag-5'>季</b>丨如何應(yīng)用CoolSiC? MOSFET設(shè)計高能效系統(tǒng)?

    IPAC碳化硅直播倒計時丨溝槽柵VS平面柵,孰是王者?

    直播時間:5月20日14:00直播主題:溝槽柵VS平面柵,孰是王者?立即掃碼報名吧!直播間不定時會有禮品掉落,速速掃碼預(yù)約!520碳化硅首場直播
    的頭像 發(fā)表于 05-15 17:05 ?618次閱讀
    <b class='flag-5'>IPAC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>直播</b><b class='flag-5'>季</b>倒計時丨溝槽柵VS平面柵,孰是王者?

    碳化硅何以英飛凌?—— SiC MOSFET性能評價的真相

    碳化硅(SiC)技術(shù)的應(yīng)用中,許多工程師對SiC的性能評價存在誤解,尤其是關(guān)于“單位面積導(dǎo)通電阻(Rsp)”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章,本文將繼續(xù)為您揭開這些誤區(qū)
    的頭像 發(fā)表于 04-30 18:21 ?906次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>何以<b class='flag-5'>英飛凌</b>?—— SiC MOSFET性能評價的真相

    碳化硅功率器件有哪些特點(diǎn)

    隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加,寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動汽車等領(lǐng)域的應(yīng)用不斷拓展,成為現(xiàn)代電子技術(shù)的重要組成部分。本文將詳細(xì)探討
    的頭像 發(fā)表于 04-21 17:55 ?1234次閱讀

    為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實現(xiàn)硅到碳化硅的過渡?

    電力電子器件高度依賴于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇,但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅
    發(fā)表于 03-12 11:31 ?982次閱讀
    為什么<b class='flag-5'>碳化硅</b>Cascode JFET 可以輕松實現(xiàn)硅到<b class='flag-5'>碳化硅</b>的過渡?

    SiC碳化硅二極管公司成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象

    結(jié)合國產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體市場的競爭格局和技術(shù)發(fā)展趨勢,SiC碳化硅二極管公司已經(jīng)成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象,比如2024已經(jīng)有超過兩家SiC碳化硅二極管公司破產(chǎn)清算,僅有
    的頭像 發(fā)表于 02-28 10:34 ?868次閱讀