歲末將至，回顧2025年科技領域，英飛凌在碳化硅（SiC）賽道成績斐然，憑借一系列創(chuàng)新產(chǎn)品與前沿技術，為行業(yè)發(fā)展注入強勁動力，成為行業(yè)矚目的焦點。小編貼心地按照產(chǎn)品發(fā)布和技術發(fā)布這兩大板塊，給大家挑選部分亮點產(chǎn)品，方便各位看官全方位了解，咱們這就開整！

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產(chǎn)品發(fā)布：

多元布局，精準覆蓋多領域需求

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CoolSiC MOSFET G2 1200V和1400V單管：多種封裝組合全面升級，滿足多樣化應用場景

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CoolSiC MOSFET G2 1200V單管

CoolSiC MOSFET G2 1400V單管

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2025年，英飛凌推出的CoolSiC MOSFET G2 1200V和1400V單管多種封裝組合，為市場帶來了更多選擇。

CoolSiC 1200V MOSFET（頂部散熱Q-DPAK單管封裝）通過簡化組裝流程并保持卓越的散熱性能，幫助客戶降低系統(tǒng)成本。與底部散熱方案相比，頂部散熱器件可實現(xiàn)更優(yōu)化的PCB布局，從而降低寄生元件和雜散電感的影響，同時提供增強的熱管理性能。適用于電動汽車充電、光伏、不間斷電源（UPS）、固態(tài)斷路器（SSCB）、工業(yè)驅動、人工智能（AI）及網(wǎng)聯(lián)自動駕駛汽車（CAV）等領域。

1400V CoolSiC MOSFET G2系列的TO-247以及TO-247 Plus Reflow封裝，產(chǎn)品最低導通電阻可低至6mΩ，性能指標行業(yè)領先。面對高母線電壓應用進行了優(yōu)化設計，能夠輕松適應母線電壓大于1000V的場景，該系列產(chǎn)品的功率管腳加粗至2mm，使得器件能夠承受更大的電流，背板回流焊的設計，提升了產(chǎn)品的可靠性，為高壓電力電子系統(tǒng)提供了可靠的解決方案。

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EasyPACK C系列碳化硅功率模塊：

全新封裝，性能飛躍，引領工業(yè)應用新潮流

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2025年10月，英飛凌重磅推出EasyPACK C系列封裝碳化硅功率模塊。該模塊集成了英飛凌CoolSiC MOSFET 1200V G2技術，并采用公司專有的.XT互連技術，實現(xiàn)了多項性能突破。功率密度較上一代提升超過30%，使用壽命延長高達20倍，導通電阻（RDS(on)）顯著降低約25%。其封裝設計理念不僅提高了功率密度與布局靈活性，更為未來更高電壓等級的產(chǎn)品設計奠定了堅實基礎。

在實際應用中，該模塊表現(xiàn)出色?？沙惺芙Y溫（Tvj(over)）高達200°C的過載開關工況，搭載全新PressFIT壓接引腳，電流承載能力提升一倍，同時降低PCB板的溫度，并優(yōu)化安裝流程。全新的塑封材質與硅凝膠設計，支持模塊在最高175°C的結溫（Tvj(op)）下穩(wěn)定運行，且具備一分鐘內耐受3千伏交流電的隔離等級。這些特性使其在快速直流電動汽車（EV）充電、兆瓦級充電、儲能系統(tǒng)以及不間斷電源設備等工業(yè)應用中脫穎而出，成為推動行業(yè)發(fā)展的重要力量。

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高壓3300V XHP：

高壓大功率領域的“性能王者”

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英飛凌推出的3.3kV CoolSiC MOSFET XHP2模塊，憑借創(chuàng)新“.XT互連技術”脫穎而出。其額定電流1000A，25°C時導通電阻低至1.9mΩ，支持4kHz高頻開關，顯著降低損耗、提升系統(tǒng)效率。該模塊可靠性升級，采用芯片表面覆銅、銅鍵合線、AlN陶瓷基板及銀燒結技術，熱阻降低30%，瞬態(tài)散熱能力大幅提升。關鍵性能測試超越行業(yè)標準，浪涌電流峰值達10000A，短路耐受3μs安全關斷，功率循環(huán)壽命提升10倍。在軌道交通、風電變流器、工業(yè)驅動等場景優(yōu)勢盡顯，或成高壓應用“黃金選擇”。

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技術發(fā)布：

前瞻布局，引領行業(yè)技術發(fā)展方向

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基于200mm晶圓技術的碳化硅產(chǎn)品：提升效率，降低成本，拓展高壓應用新領域

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2025年第一季度，公司宣布向客戶提供首批基于先進的200mm SiC技術的產(chǎn)品。這些產(chǎn)品在位于奧地利菲拉赫的生產(chǎn)基地制造，將為高壓應用領域提供先進的SiC功率技術，包括可再生能源系統(tǒng)、鐵路運輸和電動汽車等。此外，英飛凌位于馬來西亞居林的生產(chǎn)基地正在從150mm晶圓向直徑更大、更高效的200mm晶圓過渡。新建的第三廠區(qū)將根據(jù)市場需求開始大批量生產(chǎn)，為該技術的量產(chǎn)和廣泛應用提供了有力保障。

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CoolSiC JFET技術：

卓越性能，開啟多領域應用新篇章

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2025年5月，英飛凌發(fā)布的CoolSiC JFET技術成為行業(yè)關注的焦點。該技術擁有極低的導通損耗、出色的關斷能力和高可靠性，為眾多應用領域帶來了新的解決方案。第一代CoolSiC JFET擁有最低值為1.5mΩ（750 VBDss）/2.3mΩ（1200 VBDss）的超低RDS(ON)，采用Q-DPAK頂部散熱封裝，便于并聯(lián)，并具備可擴展的電流處理能力。為應對嚴苛應用環(huán)境中的散熱和機械問題，CoolSiC JFET采用.XT互連技術與擴散焊接工藝，從而顯著降低了器件在工業(yè)電力系統(tǒng)中常見的脈沖與循環(huán)負載下的瞬態(tài)熱阻抗，并大幅提升了其可靠性。

在固態(tài)斷路器（SSCB）、AI數(shù)據(jù)中心熱插拔模塊、電子熔斷器、電機軟啟動器、工業(yè)安全繼電器以及汽車電池隔離開關等領域，CoolSiC JFET技術都展現(xiàn)出了巨大的應用潛力。其卓越的性能能夠有效提高設備的穩(wěn)定性和可靠性，降低故障率，為各行業(yè)的安全運行提供有力支持。

2025年，英飛凌在碳化硅領域的產(chǎn)品和技術發(fā)布成果豐碩。從多元的產(chǎn)品布局到前沿的技術創(chuàng)新，英飛凌不斷推動著碳化硅行業(yè)的發(fā)展和進步。未來，英飛凌有望繼續(xù)憑借其強大的研發(fā)實力和創(chuàng)新能力，為全球科技發(fā)展帶來更多驚喜，引領碳化硅行業(yè)邁向新的高度。