MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同，決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同。

1、由于MOSFET的結(jié)構(gòu)，通常它可以做到電流很大，可以到上KA,但是前提耐壓能力沒(méi)有IGBT強(qiáng)，IXYS有一款MOSFET,VMM1500-0075P(75V,1500A,0.55毫歐),這是電流最大的一款；電壓高的一款I(lǐng)XFN38N100Q2(1000V,38A)這個(gè)是目前推廣最多的產(chǎn)品,用于高頻感應(yīng)加熱。

2、IGBT可以做很大功率，電流和電壓都可以,就是一點(diǎn)頻率不是太高,目前英飛凌的新一代IGBT硬開(kāi)關(guān)速度可以到100KHZ,那已經(jīng)是不錯(cuò)了。不過(guò)相對(duì)于MOSFET的工作頻率還是九牛一毛，MOSFET可以工作到幾百KHZ,上MHZ,以至幾十MHZ,射頻領(lǐng)域的產(chǎn)品。

3、就其應(yīng)用，根據(jù)其特點(diǎn)：MOSFET應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源，鎮(zhèn)流器，高頻感應(yīng)加熱，高頻逆變焊機(jī)，通信電源等等高頻電源領(lǐng)域；IGBT集中應(yīng)用于焊機(jī)，逆變器，變頻器，電鍍電解電源，超音頻感應(yīng)加熱等領(lǐng)域 。

開(kāi)關(guān)電源 (Switch Mode Power Supply；SMPS) 的性能在很大程度上依賴于功率半導(dǎo)體器件的選擇，即開(kāi)關(guān)管和整流器。

雖然沒(méi)有萬(wàn)全的方案來(lái)解決選擇IGBT還是MOSFET的問(wèn)題，但針對(duì)特定SMPS應(yīng)用中的IGBT 和 MOSFET進(jìn)行性能比較，確定關(guān)鍵參數(shù)的范圍還是能起到一定的參考作用。