?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。這是一款低導(dǎo)通電阻、30V N溝道共漏MOSFET,適用于帶USB的設(shè)備和電池組保護(hù)。產(chǎn)品發(fā)貨即日起開(kāi)始。
到目前為止,Toshiba的N溝道共漏MOSFET系列產(chǎn)品一直聚焦12V產(chǎn)品,主要用于保護(hù)智能手機(jī)的鋰離子電池組。此次發(fā)布的30V產(chǎn)品可滿(mǎn)足更多電壓高于12V的應(yīng)用,例如USB充電設(shè)備電源線的負(fù)載開(kāi)關(guān)以及筆記本電腦和平板電腦中鋰離子電池組的保護(hù)。
要實(shí)現(xiàn)具有低漏極-源極導(dǎo)通電阻(RDS(ON))的雙向開(kāi)關(guān),需要兩個(gè)具有低RDS(ON)的3.3×3.3mm或2×2mm MOSFET。Toshiba的新產(chǎn)品采用全新的小巧輕薄封裝TCSPAG-341501(3.37mm×1.47mm(典型值),t=0.11mm(典型值)),在單封裝共漏配置下具備9.9mΩ(典型值)的低源極-源極導(dǎo)通電阻(RSS(ON))。
USB Power Delivery (USB PD)支持15W (5V / 3A)到最大240W (48V / 5A)的電源,專(zhuān)為需要大功率電源的設(shè)備而開(kāi)發(fā)。USB PD規(guī)定了交換供電端和接收端的角色互換功能,并要求具有USB充電功能的設(shè)備支持雙向供電,以便兩邊都能供電和受電。新產(chǎn)品是一種支持雙向供電且安裝面積較小的N溝道共漏MOSFET。
將該產(chǎn)品與Toshiba的TCK42xG系列驅(qū)動(dòng)器IC相結(jié)合,可形成一個(gè)具有防回流功能的負(fù)載開(kāi)關(guān)電路或一個(gè)可在“先合后斷”(MBB)和“先斷后合”(BBM)之間切換操作的功率多路復(fù)用電路。Toshiba今天發(fā)布了基于該產(chǎn)品組合的功率多路復(fù)用電路(使用共漏極MOSFET)的參考設(shè)計(jì)。使用該參考設(shè)計(jì)將有助于縮短產(chǎn)品設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)時(shí)間。
Toshiba將繼續(xù)擴(kuò)大其產(chǎn)品陣容并改進(jìn)特性,以提高設(shè)計(jì)靈活性。
應(yīng)用
智能手機(jī)
筆記本電腦
平板電腦等
特點(diǎn)
高額定源-源電壓:VSSS=30V
低導(dǎo)通電阻:RSS(ON)=9.9mΩ(典型值)(VGS=10V)
共漏極連接結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)雙向?qū)?/p>
小巧輕薄的TCSPAG-341501封裝:3.37mm×1.47mm(典型值),t=0.11mm(典型值)
主要規(guī)格
| (除非另有說(shuō)明,否則Ta=25°C) | ||||
| 型號(hào) | SSM10N961L | |||
| 極性 | N溝道×2 | |||
| 內(nèi)部連接 | 共漏極 | |||
|
絕對(duì) 最大 額定值 |
源-源電壓VSSS(V) | 30 | ||
| 柵-源電壓VGSS(V) | ±20 | |||
| 源電流(直流)IS(A)[1] | 9.0 | |||
| 源電流(直流)IS(A)[2] | 14.0 | |||
|
電氣 特性 |
源-源擊穿電壓V(BR)SSS(V) | VGS=0V | 最小值 | 30 |
| 源極-源極導(dǎo)通電阻RSS(ON)(mΩ) | VGS=10V | 典型值 | 9.9 | |
| VGS=4.5V | 典型值 | 13.6 | ||
| 封裝 | 名稱(chēng) | TCSPAG-341501 | ||
| 尺寸(mm) | 典型值 | 3.37×1.47, t=0.11 | ||
| 樣品查詢(xún)與供應(yīng)情況 | 在線購(gòu)買(mǎi) | |||
備注:
[1] 器件安裝在一塊25mm×27.5mm,t=1.6mm的銅焊盤(pán)上:18μm,407mm2,F(xiàn)R4玻璃環(huán)氧板
[2] 器件安裝在一塊25mm×27.5mm,t=1.6mm的銅焊盤(pán)上:70μm,687.5mm2,F(xiàn)R4玻璃環(huán)氧板
審核編輯:湯梓紅
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