?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。這是一款低導通電阻、30V N溝道共漏MOSFET，適用于帶USB的設備和電池組保護。產(chǎn)品發(fā)貨即日起開始。

到目前為止，Toshiba的N溝道共漏MOSFET系列產(chǎn)品一直聚焦12V產(chǎn)品，主要用于保護智能手機的鋰離子電池組。此次發(fā)布的30V產(chǎn)品可滿足更多電壓高于12V的應用，例如USB充電設備電源線的負載開關以及筆記本電腦和平板電腦中鋰離子電池組的保護。

要實現(xiàn)具有低漏極-源極導通電阻(RDS(ON))的雙向開關，需要兩個具有低RDS(ON)的3.3×3.3mm或2×2mm MOSFET。Toshiba的新產(chǎn)品采用全新的小巧輕薄封裝TCSPAG-341501（3.37mm×1.47mm（典型值），t=0.11mm（典型值）），在單封裝共漏配置下具備9.9mΩ（典型值）的低源極-源極導通電阻(RSS(ON))。

USB Power Delivery (USB PD)支持15W (5V / 3A)到最大240W (48V / 5A)的電源，專為需要大功率電源的設備而開發(fā)。USB PD規(guī)定了交換供電端和接收端的角色互換功能，并要求具有USB充電功能的設備支持雙向供電，以便兩邊都能供電和受電。新產(chǎn)品是一種支持雙向供電且安裝面積較小的N溝道共漏MOSFET。

將該產(chǎn)品與Toshiba的TCK42xG系列驅(qū)動器IC相結合，可形成一個具有防回流功能的負載開關電路或一個可在“先合后斷”(MBB)和“先斷后合”(BBM)之間切換操作的功率多路復用電路。Toshiba今天發(fā)布了基于該產(chǎn)品組合的功率多路復用電路（使用共漏極MOSFET）的參考設計。使用該參考設計將有助于縮短產(chǎn)品設計和開發(fā)時間。

Toshiba將繼續(xù)擴大其產(chǎn)品陣容并改進特性，以提高設計靈活性。

應用

智能手機

筆記本電腦

平板電腦等

特點

高額定源-源電壓：VSSS=30V

低導通電阻：RSS(ON)=9.9mΩ（典型值）(VGS=10V)

共漏極連接結構可實現(xiàn)雙向?qū)?/p>

小巧輕薄的TCSPAG-341501封裝：3.37mm×1.47mm（典型值），t=0.11mm（典型值）

主要規(guī)格

備注：
[1] 器件安裝在一塊25mm×27.5mm，t=1.6mm的銅焊盤上：18μm，407mm2，F(xiàn)R4玻璃環(huán)氧板
[2] 器件安裝在一塊25mm×27.5mm，t=1.6mm的銅焊盤上：70μm，687.5mm2，F(xiàn)R4玻璃環(huán)氧板

審核編輯：湯梓紅