威兆半導(dǎo)體推出的VS3618AE是一款面向 30V 低壓場(chǎng)景的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，具備快速開(kāi)關(guān)特性與高能量轉(zhuǎn)換效率，憑借低導(dǎo)通電阻與高可靠性，適用于 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、同步整流、負(fù)載開(kāi)關(guān)等低壓大電流領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場(chǎng)景；
  • 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時(shí)典型值6.8mΩ，\(V_{GS}=4.5V\)時(shí)典型值8.4mΩ，低壓場(chǎng)景下傳導(dǎo)損耗較低；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)）：
    • \(V_{GS}=10V\)時(shí)：\(T=25^\circ\text{C}\)為50A，\(T=100^\circ\text{C}\)降額為32A；
    • \(V_{GS}=4.5V\)時(shí)：\(T=25^\circ\text{C}\)為36A，\(T=100^\circ\text{C}\)降額為23A；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：160A，滿足負(fù)載瞬時(shí)大電流需求。

二、核心特性

• 增強(qiáng)型模式：適配常規(guī)功率轉(zhuǎn)換拓?fù)涞?a target="_blank">開(kāi)關(guān)控制需求；
• 快速開(kāi)關(guān) + 高能量效率：開(kāi)關(guān)速度優(yōu)異，提升系統(tǒng)能量轉(zhuǎn)換效率；
• 高可靠性：通過(guò) 100% 雪崩測(cè)試，單脈沖雪崩能量達(dá) 36mJ，感性負(fù)載開(kāi)關(guān)場(chǎng)景下穩(wěn)定性強(qiáng)；
• 環(huán)保合規(guī)：采用無(wú)鉛引腳鍍層，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，同時(shí)滿足無(wú)鹵要求，適配綠色電子制造需求。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說(shuō)明）

四、封裝與應(yīng)用場(chǎng)景

• 封裝形式：PDFN3333 表面貼裝封裝，包裝規(guī)格為 1000pcs / 卷，適配小型化、高密度電路板設(shè)計(jì)；
• 典型應(yīng)用：
  • DC/DC 轉(zhuǎn)換器：在低壓降壓拓?fù)渲凶鳛殚_(kāi)關(guān)管，平衡損耗與電流承載能力；
  • 同步整流：適配低壓電源的同步整流回路，降低整流損耗；
  • 負(fù)載開(kāi)關(guān)：用于中功率負(fù)載的通斷管理，支持各類設(shè)備的電源控制。

五、信息來(lái)源

威兆半導(dǎo)體官方產(chǎn)品手冊(cè)（注：以上參數(shù)基于手冊(cè)標(biāo)注整理，實(shí)際應(yīng)用需以最新版手冊(cè)及器件批次測(cè)試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。）