威兆半導體推出的VS3618AD是一款面向 30V 低壓場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET，支持 5V 邏輯電平控制，采用 TO-252 封裝，適配低壓中功率電源管理、負載開關等領域。

一、產品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強型功率 MOSFET
• 核心參數：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場景；
  • 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時典型值4.8mΩ，\(V_{GS}=4.5V\)時典型值5.8mΩ，低壓場景下傳導損耗極低；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時70A，\(T=100^\circ\text{C}\)時降額為50A；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：280A（\(T=25^\circ\text{C}\)），滿足負載瞬時大電流需求。

二、核心特性

• 5V 邏輯電平控制：適配 5V 邏輯驅動，無需額外電平轉換，簡化電路設計；
• 低導通電阻 + 高可靠性：4.8~5.8mΩ 阻性表現(xiàn)降低傳導損耗，且通過 100% 雪崩測試，單脈沖雪崩能量達 200mJ，感性負載開關穩(wěn)定性強；
• 環(huán)保合規(guī)：滿足無鹵及 RoHS 標準，適配綠色電子制造。

三、關鍵電氣參數（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

四、封裝與應用場景

• 封裝形式：TO-252 表面貼裝封裝，包裝規(guī)格為 2500pcs / 卷，適配中功率密度電路板設計；
• 典型應用：
  • 30V 級低壓中功率 DC/DC 轉換器；
  • 工業(yè)設備、消費電子的中功率負載開關；
  • 同步整流回路。

五、信息來源

威兆半導體官方產品手冊（注：以上參數基于手冊標注整理，實際以最新版手冊為準。）