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隨著數(shù)字化的推進，各種終端設備逐步走向數(shù)據(jù)化和智能化。無論是人手必備的手機、平板，家用生活的電視機頂盒、路由器、智能冰箱、智能空調(diào)等家用電器，還是公共場合的各類打卡機、POS支付機、掃描儀、商場服務機器人等設備，都在不斷地智能化中，便捷和豐富著我們的日常生活。

在終端設備的智能化進程中，數(shù)據(jù)存儲是重要一環(huán)。從智能化的底層邏輯上看，各種指令的生成、傳達和響應，以及最終智能化功能的實現(xiàn)，都需要存儲介質(zhì)作為容器，將這些指令生成的數(shù)據(jù)進行讀取或?qū)懭氲牟僮鳌?/span>

目前主流的智能終端設備大都采用嵌入式存儲器，并源于存儲器具備的幾大特性，大大加速了終端設備的智能化進程。

小體積

現(xiàn)階段智能終端設備，無論是可穿戴設備還是車聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品，亦或是其他終端設備，小型化、輕薄化均是大勢所趨。多芯片封裝嵌入式存儲芯片(MCP)，如eMCP、uMCP、nMCP等，集成了閃存和內(nèi)存芯片，滿足了在越來越小的空間里加入更多性能和特性的需求。ePOP嵌入式存儲芯片，集成了eMMC和LPDDR，采用全新設計工藝，垂直搭載在SoC上，體積更小，提供設備小型化進程支持。

高性能

終端設備走向智能化，需要解決設備的快速交互和響應問題。此前，終端設備缺乏高性能存儲設備，很難和內(nèi)部SoC進行快速聯(lián)動，實現(xiàn)對數(shù)據(jù)和指令進行快速響應。從eMMC到UFS，嵌入式存儲器始終在推進存儲性能提升。從UFS2.0開始，便提供了HS-G2和HS-G3（可選）兩個傳輸信道，理論帶寬分別能達到5.8Gbps（725MB/s）和11.6Gbps（1450MB/s），后續(xù)每一代的嵌入式存儲器都在上一代基礎上，實現(xiàn)了性能的提升，共同為終端設備指令的快速響應，提供存儲性能支撐，進而加速終端設備智能化腳步。

低功耗

終端設備智能化進程中，功耗表現(xiàn)和性能是相輔相成的，功耗和性能的均衡，才能讓設備長久高效經(jīng)濟的工作。嵌入式存儲器作為終端設備的重要組成，它的功耗表現(xiàn)也會影響到整體的功耗性能平衡。

嵌入式存儲器，從誕生之初便一直在功耗上進行優(yōu)化。協(xié)議上，在UFS3.1協(xié)議上便添加了“DeepSleep”模式，這是一種新的低功耗狀態(tài)，通過降低UFS的工作壓力和減少對穩(wěn)壓器的喚醒，實現(xiàn)降低功耗的目的；介質(zhì)上，在智能終端設備內(nèi)部，無論是eMMC還是UFS嵌入式存儲大都需要原廠NAND芯片，兼具品質(zhì)和功耗特性，實現(xiàn)硬件端的低功耗。為智能終端設備實現(xiàn)功耗和性能的平衡，降低TCO，保證高效穩(wěn)定工作。與標準 DDR DRAM 通道（64 位寬）相比，LPDDR DRAM 通道通常為 16 位或 32 位寬。與標準 DRAM 產(chǎn)品一樣，每個連續(xù)的 LPDDR 標準產(chǎn)品都瞄準了比其前代產(chǎn)品更高的性能和更低的功耗目標。LPDDR4 在 1.1V 的工作電壓下的數(shù)據(jù)速率最高可達 4266Mbps，LPDDR4X 能夠通過將 I/O 電壓 (VDDQ) 從 1.1 V 降低到 0.6 V 來額外降低功耗，LPDD4X 設備也可以實現(xiàn)高達 4267Mbps 的速率。

可靠、穩(wěn)定存儲

可靠、穩(wěn)定存儲，智能終端設備的應用場景，大都需要長久不斷電持續(xù)工作，維持實際業(yè)務不掉線。這就意味著主導數(shù)據(jù)存儲和傳輸?shù)那度胧酱鎯ζ?，需要更高的可靠性，穩(wěn)定的實現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸不掉線，配合SoC等其他組件，實現(xiàn)指令長久而快速的響應。

NAND芯片，作為嵌入式存儲器的存儲介質(zhì)也是核心部件，具備高耐久特性；尤其是原廠的NAND芯片，大都有更先進的閃存架構，更領先的制造和封裝工藝，使得配置原廠NAND芯片的嵌入式存儲器，大都具備更高的TBW，能夠適應智能終端設備，實時在線穩(wěn)定運維的業(yè)務需求。此外，在軟件層面，嵌入式存儲器廠商也都積極開發(fā)諸如主機碎片整理等方面的技術，進一步優(yōu)化碎片文件，提升NAND芯片及存儲器壽命。

實際上，除了小型化、性能、功耗和可靠性，嵌入式存儲器還在兼容通用性等方面有著相當優(yōu)勢，基于這些硬件特性，終端設備上更多的智能功能和設計，得以落地，由圖紙變成了現(xiàn)實，加速終端設備智能化進程。

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