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POL負(fù)載點(diǎn)電源設(shè)計(jì)中有何訣竅?有兩點(diǎn)很關(guān)鍵,你必須知道

jf_pJlTbmA9 ? 來(lái)源:得捷電子DigiKey ? 作者:得捷電子DigiKey ? 2023-12-06 16:06 ? 次閱讀
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作者: Alan Yang,文章來(lái)源: 得捷電子DigiKey微信公眾號(hào)

負(fù)載點(diǎn)電源POL,即Point-of-Load(負(fù)載旁邊的電源)。一般我們會(huì)把負(fù)載點(diǎn)電源盡量靠近負(fù)載放置, 這么做可以最大限度地確保供電效率和準(zhǔn)確性。

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圖1:常見(jiàn)POL電源的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

本文通過(guò)分析PCB走線電阻和寄生參數(shù)對(duì)于傳輸效率的影響,來(lái)解釋為什么要把電源盡量靠近負(fù)載放置。然后,通過(guò)POL應(yīng)用設(shè)計(jì)實(shí)例,來(lái)看看POL設(shè)計(jì)中有哪些需要注意的因素。

為什么要把電源盡量靠近負(fù)載放置?

特別對(duì)于大電流的負(fù)載,我們可能需要考慮PCB走線電阻和寄生參數(shù)對(duì)于傳輸效率的影響。

下表比較了不同寬度PCB走線對(duì)于傳輸效率的影響:

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wKgZomVdkXeAQ1WLAARZm8YJI_s399.png

圖2:不同PCB走線寬度下的電壓降

較寬的PCB走線的確可以降低PCB走線上的電壓降,但是我們還要考慮寄生參數(shù)。寄生電感會(huì)抑制負(fù)載變化時(shí)電流di/dt的動(dòng)態(tài)變化,惡化瞬態(tài)響應(yīng);而寄生電容會(huì)導(dǎo)致電壓下降。

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圖3:PCB走線寄生電感/電容

根據(jù)ADI LTspice?模型,上圖中的50mm PCB走線估計(jì)電感約為14.1nH。

wKgaomVdkXqAWq7UAAOflNCf-Ik709.png

圖4:寄生電感/電容對(duì)于瞬態(tài)響應(yīng)的影響(圖片來(lái)源:ADI)

如上圖所示,寄生電感會(huì)抑制瞬態(tài)負(fù)載變化時(shí)電流di/dt的動(dòng)態(tài)變化,從而惡化瞬態(tài)響應(yīng),而寄生電容會(huì)導(dǎo)致電壓下降。

POL理想的PCB走線

POL理想的PCB走線如下圖所示。

wKgZomVdkXyAfw0oABDLGlm48Mo960.png

圖5:POL理想的PCB走線(圖片來(lái)源:ADI)

由圖中可見(jiàn),POL應(yīng)盡量靠近負(fù)載,走線短而寬, 從而將PCB電阻和寄生參數(shù)的影響降至最低。

總結(jié)一下——將電源盡量靠近負(fù)載放置, 有利于減小PCB走線電阻和寄生參數(shù),從而最大限度地確保供電效率和準(zhǔn)確性。

POL設(shè)計(jì)實(shí)例

由于要求POL電源和負(fù)載的距離盡可能短。在設(shè)計(jì)時(shí),我們必須要注意POL電源的PCB占地面積以及散熱設(shè)計(jì),以保證方案的可行性。

POL電源的PCB占地面積

傳統(tǒng)電源方案可能體積會(huì)很大,而專(zhuān)門(mén)的POL方案會(huì)盡可能減少電源的體積。

傳統(tǒng)方案(控制器+外部MOS管):傳統(tǒng)方案只要靠近負(fù)載放置,也可以解決大電流負(fù)載的問(wèn)題,但是這種方案往往體積會(huì)很大。

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圖6:傳統(tǒng)方案:控制器+外部MOS管(圖片來(lái)源:ADI)

POL方案:控制器+內(nèi)部FET:比如使用LTC3310S,這是專(zhuān)門(mén)為POL設(shè)計(jì)的芯片,很大程度上減少了PCB板的占地面積。

LTC3310S負(fù)載電流高達(dá)10A;尺寸僅3mm × 3mm,且內(nèi)含MOS管;支持5MHz高頻操作,因此可以使用更小的輸出電容。

我們來(lái)看看LTC3310S的表現(xiàn):假設(shè)3.3V轉(zhuǎn)1.2V,2MHz,輸出電容為110μF,電感為100nH,當(dāng)負(fù)載從1A變化到9A,負(fù)載電流上升速度:1A/us。下圖顯示了LTC3310S在負(fù)載從1A變化到9A的輸出表現(xiàn)。

wKgaomVdkX6AfdlfAAOVF_Sza5Q903.png

圖7:LTC3310S在負(fù)載從1A變化到9A的輸出表現(xiàn)(圖片來(lái)源于ADI)

也就是說(shuō),使用110μF輸出電容即可實(shí)現(xiàn)這樣的性能,8 A負(fù)載變化導(dǎo)致輸出電壓偏移小于±40 mV。

良好的散熱設(shè)計(jì):

除了PCB的占板面積,還有一個(gè)POL設(shè)計(jì)時(shí)必須要解決的問(wèn)題——良好的散熱設(shè)計(jì)。高性能單片POL的確可以節(jié)省很多空間,但是可能也會(huì)導(dǎo)致發(fā)熱量過(guò)高,因此,需要良好的散熱設(shè)計(jì)。

良好的PCB板設(shè)計(jì)有助于散熱。

wKgZomVdkYCAazWcAAaa-Yb79w8928.png

圖8:LTC3310S推薦接地平面設(shè)計(jì) (圖片來(lái)源:LTC3310S數(shù)據(jù)手冊(cè))

對(duì)于常見(jiàn)的兩層PCB板,可以加大地平面,并且在發(fā)熱量大的關(guān)鍵區(qū)域設(shè)置熱通孔,加快熱的傳導(dǎo)。除此之外,還可以通過(guò)溫度檢測(cè),到達(dá)相應(yīng)溫度后主動(dòng)關(guān)斷電路來(lái)防止芯片過(guò)熱。比如,LTC3310S自帶溫度檢測(cè)的功能,如果溫度超過(guò)某一閾值,電路會(huì)自己關(guān)斷。

下面,我們來(lái)看優(yōu)化散熱設(shè)計(jì)之后,LTC3310S的實(shí)際溫度:

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圖9:LTC3310S發(fā)熱量 (圖片來(lái)源:ADI)

LTC3310S:3.3V轉(zhuǎn)0.6V,5A

表面溫度:101.6℃

節(jié)點(diǎn)溫度:102.2℃

PCB表面溫度:96.7℃

Digi-Key提供的設(shè)計(jì)資源

為了幫助開(kāi)發(fā)者順利地完成POL的應(yīng)用設(shè)計(jì),Digi-Key可以提供豐富的設(shè)計(jì)資源。

Digi-Key POL直流轉(zhuǎn)換器

在Digi-Key的『直流轉(zhuǎn)換器』目錄下,可以根據(jù)類(lèi)型欄里的篩選項(xiàng),篩選出合適POL模塊。

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LTC3310S開(kāi)發(fā)板

同時(shí),Digi-Key和可提供LTC3310S配套開(kāi)發(fā)板,為設(shè)計(jì)POL電路節(jié)省時(shí)間。

本文小結(jié)

將電源盡量靠近負(fù)載放置, 有利于減小PCB走線的電阻和寄生參數(shù),從而最大限度地確保供電效率和準(zhǔn)確性。對(duì)于POL設(shè)計(jì),減小POL電源PCB占板面積,優(yōu)化散熱設(shè)計(jì),是POL設(shè)計(jì)的重中之重。

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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