近日，武漢大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究院袁超課題組和斯洛伐克科學(xué)院FilipGucmann課題組合作，在國際權(quán)威期刊《Small》上發(fā)表了題為“Phase-Dependent Phonon Heat Transport in Nanoscale Gallium Oxide Thin Films”的研究論文。

超寬禁帶材料氧化鎵(Ga2O3)具有多種不同相結(jié)構(gòu)：α, β, κ (ε), δ, γ。其中單斜結(jié)構(gòu)β-Ga2O3具有高達~4.9 eV的禁帶寬度和~8 MV cm-1的理論擊穿場強，從而成為下一代高功率電力電子器件領(lǐng)域的戰(zhàn)略性先進電子材料。相關(guān)高性能β-Ga2O3基電子器件已經(jīng)被廣泛報道，包括肖特基勢壘二極管，太陽能電池，晶體管和日盲紫外光電探測器等。β相Ga2O3 的優(yōu)勢還未探索完全，Ga2O3其他相結(jié)構(gòu)（如α相剛玉型結(jié)構(gòu)和κ相正交型結(jié)構(gòu)，圖1a所示）表現(xiàn)出獨特的物理性質(zhì)而逐漸受到電子器件領(lǐng)域的關(guān)注。其中α-Ga2O3，具有最大的禁帶寬度和最高的理論擊穿場強，在日盲紫外探測器和超高壓功率電子器件具有廣闊的應(yīng)用前景；同時κ-Ga2O3還具有高介電常數(shù)、強壓電極化和鐵電極化特性，為超寬禁帶半導(dǎo)體高頻、高功率電子器件和微波射頻器件的制備提供新的材料體系。

然而，Ga2O3基電子器件的熱問題一直是一個突出問題，部分原因來自于其較低熱導(dǎo)率和存在于Ga2O3和異質(zhì)襯底界面之間的較大界面熱阻。因此，了解不同相Ga2O3的熱輸運性質(zhì)對器件的熱管理和可靠性設(shè)計至關(guān)重要。但是其晶體結(jié)構(gòu)復(fù)雜，缺乏對應(yīng)聲子熱輸運模型和系統(tǒng)性的實驗研究，因此研究不同相納米級Ga2O3薄膜的熱輸運性質(zhì)仍然具有挑戰(zhàn)性。

圖1(a)α-、β-和κ-Ga2O3的晶體結(jié)構(gòu), (b) 瞬態(tài)熱反射法測量結(jié)構(gòu)示意圖, (c)不同相Ga2O3的熱導(dǎo)率模型計算結(jié)果與實驗測試結(jié)果, (d)不同相Ga2O3的隨頻率變化的累計界面熱導(dǎo)

該項成果系統(tǒng)地研究了在藍寶石(Sapphire)襯底上采用液體注入金屬有機化學(xué)氣相沉積(LI-MOCVD)生長的α-、β-和κ-Ga2O3薄膜(50-150 nm)的熱導(dǎo)率和界面熱導(dǎo)(界面熱阻的倒數(shù))。通過自主研發(fā)的高分辨泵浦-探測瞬態(tài)熱反射表征方法(TTR，如圖1b所示)和聲子熱輸運模型，闡明了相結(jié)構(gòu)和厚度對Ga2O3薄膜和Ga2O3/Sapphire界面熱輸運性質(zhì)的影響(部分研究結(jié)果摘錄于圖1c和d)。

此外，一個特殊的現(xiàn)象被研究者發(fā)現(xiàn)：理論表明體材料下β-Ga2O3的熱導(dǎo)率高于α-Ga2O3，而實驗和理論方法都證明在~100 nm厚度下β-Ga2O3薄膜的熱導(dǎo)率反而低于α-Ga2O3薄膜。進一步的理論研究顯示β-Ga2O3的聲子平均自由程大于α-Ga2O3，長波長聲子在納米尺度上更容易受到邊界散射的影響，導(dǎo)致β-Ga2O3薄膜中尺寸效應(yīng)較α-Ga2O3更明顯。~100 nm的薄膜厚度下，β-Ga2O3的熱導(dǎo)率僅為塊體值的2/5左右，而α-Ga2O3的熱導(dǎo)率達到了塊體值的3/5左右。

該研究對Ga2O3薄膜和界面聲子輸運機制進行了深入研究，對Ga2O3器件設(shè)計和熱管理具有重要指導(dǎo)意義。此外，還展示了瞬態(tài)熱反射表征方法在芯片級熱物性檢測領(lǐng)域的強大能力。鑒于多相材料中熱輸運的復(fù)雜性和重要性，這項工作為未來加速探索其他重要多相材料(如碳基、碳化硅基等)的熱輸運機理提供了一個新的視角。

全文鏈接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/smll.202309961

論文詳情：X. Xiao, Y. Mao, B. Meng, G. Ma, K. Hu?eková, F. Egyenes, A. Rosová,E. Dobro?ka, P. Eliá?, M. ?apajna, F. Gucmann*, and C. Yuan*, Phase-Dependent Phonon Heat Transport in Nanoscale Gallium Oxide Thin Films. Small 2023, 2309961. https://doi.org/10.1002/smll.202309961. 論文第一作者為武漢大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究院博士生肖興林，通訊作者為武漢大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究院袁超研究員和斯洛伐克科學(xué)院FilipGucmann研究員。

課題組簡介

武漢大學(xué)袁超課題組長期從事寬禁帶半導(dǎo)體熱表征和熱管理研究工作，在薄膜尺度熱反射表征方法、聲子熱輸運理論、以及(超)寬禁帶半導(dǎo)體器件設(shè)計等領(lǐng)域具有一定的技術(shù)優(yōu)勢和科研特色，并致力于開發(fā)半導(dǎo)體無損熱檢測裝備?，F(xiàn)承擔(dān)多個國家/省部/國際合作級重大戰(zhàn)略需求的縱向科研項目，長期和國內(nèi)外知名半導(dǎo)體集成電路企業(yè)和機構(gòu)合作。

來源：武漢大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究院袁超課題組 供稿

審核編輯：劉清