據(jù)云塔科技消息,1月15日,中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院孫海定教授牽頭的國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“戰(zhàn)略性科技創(chuàng)新合作”重點(diǎn)專項(xiàng)“基于第三代半導(dǎo)體氮化鎵和氮化鈧鋁異質(zhì)集成射頻微系統(tǒng)芯片研究”項(xiàng)目啟動(dòng)會(huì)暨實(shí)施方案論證會(huì)在云塔科技(安努奇)舉行。
該項(xiàng)目是由中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)牽頭,香港科技大學(xué)作為香港方合作單位以及安徽安努奇科技有限公司作為參研單位,共同開(kāi)展聯(lián)合攻關(guān)。
項(xiàng)目啟動(dòng)儀式由安努奇科技主辦,項(xiàng)目負(fù)責(zé)人孫海定教授主持,香港科技大學(xué)楊巖松教授、安努奇科技總經(jīng)理左成杰博士、中科大微電子學(xué)院鄭柘煬教授及相關(guān)項(xiàng)目核心骨干參會(huì)。
消息稱,項(xiàng)目面向國(guó)家在高頻、大帶寬和高功率密度戰(zhàn)略性高端通信芯片和射頻模組的迫切需求,開(kāi)展基于第三代半導(dǎo)體氮化鎵和氮化鈧鋁(GaN/AlScN)異質(zhì)集成射頻微系統(tǒng)芯片研究,充分結(jié)合中科大、港科大、安努奇科技三方在射頻前端領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢(shì)與產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn),針對(duì)關(guān)鍵技術(shù)難題組建課題攻關(guān)小組,提高射頻微系統(tǒng)芯片的技術(shù)創(chuàng)新能力,實(shí)現(xiàn)攻堅(jiān)克難與關(guān)鍵核心技術(shù)的突破,促進(jìn)我國(guó)射頻前端整體水平進(jìn)入國(guó)際先進(jìn)行列。
本次項(xiàng)目的開(kāi)展將促使創(chuàng)新火花競(jìng)相迸發(fā),推動(dòng)合肥射頻前端乃至集成電路產(chǎn)業(yè)聚“鏈”成“群”。
審核編輯:劉清
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
338文章
30599瀏覽量
263396 -
氮化鎵
+關(guān)注
關(guān)注
67文章
1887瀏覽量
119638 -
GaN
+關(guān)注
關(guān)注
21文章
2362瀏覽量
81585 -
射頻芯片
+關(guān)注
關(guān)注
993文章
468瀏覽量
82412
原文標(biāo)題:基于第三代半導(dǎo)體射頻微系統(tǒng)芯片研究國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目啟動(dòng)
文章出處:【微信號(hào):第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),微信公眾號(hào):第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
深圳市薩科微slkor半導(dǎo)體有限公司是宋仕強(qiáng)于2015年在深圳市華強(qiáng)北成立,當(dāng)時(shí)掌握了行業(yè)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體
龍騰半導(dǎo)體推出全新第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺(tái)
行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨?,碳化硅器件成本有?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基
高頻交直流探頭在第三代半導(dǎo)體測(cè)試中的應(yīng)用
Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本
芯干線斬獲2025行家極光獎(jiǎng)年度第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)開(kāi)拓領(lǐng)航獎(jiǎng)
第三代半導(dǎo)體半橋上管電壓電流測(cè)試方案
CINNO出席第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會(huì)
基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用
國(guó)民技術(shù)牽頭承擔(dān)國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目
電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用
中創(chuàng)新航牽頭國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目
第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域
瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)
基于第三代半導(dǎo)體射頻微系統(tǒng)芯片研究國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目啟動(dòng)
評(píng)論