MRAM HS4MANSQ1A-DS1可用于工業(yè)控制存儲關(guān)鍵數(shù)據(jù)
工業(yè)現(xiàn)場存在大量實時控制設(shè)備，這些設(shè)備需要實時快速的保存設(shè)備狀態(tài)、系統(tǒng)日志等關(guān)鍵數(shù)據(jù)。工控設(shè)備還需要應(yīng)對高溫、震動等惡劣環(huán)境的考驗。此外，為了避免異常掉電造成的數(shù)據(jù)丟失問題，工控設(shè)備通常還需使用備用電池。
MRAM具有納秒級高速寫入、萬億次擦寫壽命和寬工作溫區(qū)等高性能及高可靠特性，非常適合工控場景需求，并且可以替代現(xiàn)有的備用電池方案。
HS4MANSQ1A-DS1是一個4M的SPI/QPI(串行單線/四線接口)MRAM 器件，該芯片可配置為1位I/O獨立接口或4位I/O通用接口，數(shù)據(jù)可以保持 10年以上。HS4MANSQ1A-DS1的工作溫度: -40℃~125℃，適用于低電壓工作，休眠電流僅2μA，待機電流2mA，非常適合用于工業(yè)控制程序中存儲關(guān)鍵數(shù)據(jù)。
HS4MANSQ1A-DS1快速的SPI接口：
?支持標(biāo)準(zhǔn)SPI, Quad SPI, QPI模式
?高達100MHz時鐘頻率@SPI SDR讀
?高達60MHz時鐘頻率@Quad SPI SDR寫
?高達100MHz時鐘頻率@Quad SPI SDR讀
?高達60MHz時鐘頻率@QPI SDR寫
?高達100MHz時鐘頻率@QPI SDR讀
?寫操作沒有延遲
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