高通第三代驍龍8旗艦移動(dòng)平臺(tái)支持Galaxy S24系列
近日，高通技術(shù)公司宣布，其第三代驍龍8（for Galaxy）旗艦移動(dòng)平臺(tái)將為三星電子的最新旗艦Galaxy S24 Ultra提供全球支持。此外，該平臺(tái)還將在部分地區(qū)為Galaxy S24 Plus和S24提供支持。
三星Galaxy S24系列引入了Galaxy AI技術(shù)，充分利用全新增強(qiáng)的第三代驍龍8（for Galaxy）平臺(tái)。這款旗艦移動(dòng)平臺(tái)擁有強(qiáng)大的終端側(cè)智能，支持領(lǐng)先的性能和能效，為三星Galaxy S24系列提供了卓越的用戶體驗(yàn)。
高通技術(shù)公司與三星電子的緊密合作，將進(jìn)一步推動(dòng)移動(dòng)技術(shù)的發(fā)展，為用戶帶來更加出色的移動(dòng)設(shè)備。我們期待看到更多基于第三代驍龍8（for Galaxy）平臺(tái)的創(chuàng)新產(chǎn)品和解決方案，為用戶提供更加出色的體驗(yàn)。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
高通
+關(guān)注
關(guān)注
78文章
7745瀏覽量
200301 -
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15896瀏覽量
183210 -
移動(dòng)平臺(tái)
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
96瀏覽量
12030
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
高通推出第五代驍龍8至尊版移動(dòng)平臺(tái)for Galaxy
高通技術(shù)公司今日宣布推出迄今為止最先進(jìn)的驍龍 移動(dòng)平臺(tái)——第五代
龍騰半導(dǎo)體推出全新第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺(tái)
今天，龍騰半導(dǎo)體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開發(fā)的全新第三代（G3） 超結(jié) MOSFET技術(shù)平臺(tái)。
iQOO Z11 Turbo搭載第五代驍龍8移動(dòng)平臺(tái)
今日，iQOO正式發(fā)布了iQOO Z11 Turbo，新機(jī)搭載#第五代驍龍8移動(dòng)平臺(tái)，在性能、外
Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本
Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設(shè)計(jì)及市場(chǎng)定位等多重因素影響，整體呈現(xiàn)“高技術(shù)投入與規(guī)?；当静⒋妗钡奶卣鳌Ｒ?、
發(fā)表于 12-25 09:12
CPU暴漲36%，AI性能飆升46%！高通第五代驍龍8發(fā)布，一加首發(fā)
11月26日，高通在北京發(fā)布驍龍8系全新成員——第五代驍龍
開啟連接新紀(jì)元——芯科科技第三代無線SoC現(xiàn)已全面供貨
搭載第三代無線SoC中的Secure Vault安全技術(shù)率先通過PSA 4級(jí)認(rèn)證
基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用
基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章：B3M技術(shù)平臺(tái)架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對(duì)基本半導(dǎo)體（BASIC Semiconductor）B3M系列的技
高通驍龍旗艦移動(dòng)平臺(tái)新成員第五代驍龍8至尊版即將于2025驍龍峰會(huì)發(fā)布
??第五代驍龍8至尊版是我們旗艦移動(dòng)平臺(tái)產(chǎn)品家族中的
三星Galaxy Z Fold7搭載高通驍龍8至尊版移動(dòng)平臺(tái)
今日，高通技術(shù)公司宣布驍龍 8至尊版移動(dòng)平臺(tái)(for Gal
上海貝嶺發(fā)布第三代高精度基準(zhǔn)電壓源
BLR3XX系列是上海貝嶺推出的第三代高精度基準(zhǔn)電壓源。具有高輸出精度、低功耗、低噪聲以及低溫度系數(shù)的特性。
電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用
第三代半導(dǎo)體材料，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表，因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn)，正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中，電鏡技術(shù)發(fā)揮著不可或缺的作用
尋跡智行第三代自研移動(dòng)機(jī)器人控制器獲歐盟CE認(rèn)證
尋跡智行第三代自研移動(dòng)機(jī)器人控制器BR-300G獲歐盟CE認(rèn)證
第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域
隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展，半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅（Si）半導(dǎo)體已無法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和高頻性能的需求，因此，第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運(yùn)而生。第三代半導(dǎo)體主要包括氮化鎵（GaN
英飛凌發(fā)布第三代3D霍爾傳感器TLE493D-x3系列
近日，英飛凌的磁傳感器門類再添新兵，第三代3D霍爾傳感器TLE493D-x3系列在經(jīng)歷兩代產(chǎn)品的迭代之后應(yīng)運(yùn)而生。
高通推出第四代驍龍7移動(dòng)平臺(tái)
高通技術(shù)公司今日推出最新驍龍7系產(chǎn)品——第四代驍龍7移動(dòng)
評(píng)論