Qorvo發(fā)布1200V碳化硅模塊
全球知名的連接和電源解決方案供應商Qorvo近日宣布，推出四款采用E1B封裝的1200V碳化硅（SiC）模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置，其導通電阻RDS(on)最低可達9.4mΩ。這一創(chuàng)新產(chǎn)品系列專為電動汽車充電站、儲能系統(tǒng)、工業(yè)電源和太陽能應用而設計。
新款SiC模塊的一個顯著特點是，它們可以替代多達四個分立式SiC FET，這一特點大大簡化了熱機械設計和裝配過程。這種高度集成的設計不僅使模塊易于使用，而且具有卓越的熱性能、高功率密度和高可靠性。
電動汽車充電站和可再生能源領(lǐng)域?qū)Ω咝А⒖煽康碾娫唇鉀Q方案的需求日益增長。Qorvo的新款SiC模塊正好滿足了這一市場需求。它們的推出，預計將促進電動汽車充電基礎(chǔ)設施的建設，同時推動可再生能源領(lǐng)域的技術(shù)進步。
Qorvo一直致力于為客戶提供先進的連接和電源解決方案。此次推出的新款SiC模塊，無疑進一步鞏固了其在行業(yè)內(nèi)的領(lǐng)先地位。未來，Qorvo將繼續(xù)致力于研發(fā)更多創(chuàng)新產(chǎn)品，以滿足不斷變化的市場需求。
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