卓越的性能表現(xiàn)結(jié)合優(yōu)化的高爬電封裝，塑造了其前所未有的可靠性，為汽車及工業(yè)應(yīng)用樹立新標(biāo)桿

納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日推出一種全新的可靠性標(biāo)準(zhǔn)，以滿足最嚴(yán)苛汽車及工業(yè)應(yīng)用的系統(tǒng)壽命要求。納微最新一代650V與1200V“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET，搭配優(yōu)化的HV-T2Pak頂部散熱封裝，實(shí)現(xiàn)行業(yè)最高6.45mm爬電距離，可滿足1200V以下應(yīng)用的IEC合規(guī)性。

納微半導(dǎo)體HV-T2Pak碳化硅MOSFET顯著提升系統(tǒng)級(jí)功率密度與效率，同時(shí)改善熱管理并簡化板級(jí)設(shè)計(jì)與制造工藝。目標(biāo)應(yīng)用包括電動(dòng)汽車車載充電機(jī)（OBC）與DC-DC變換器、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源、家用太陽能逆變器與儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）、電動(dòng)汽車直流快充樁及HVAC電機(jī)驅(qū)動(dòng)。

AEC-Q101是汽車電子委員會(huì)（AEC）制定的全球性行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，旨在建立通用的器件認(rèn)證與質(zhì)量體系規(guī)范，是進(jìn)入汽車供應(yīng)鏈的核心認(rèn)證之一。幾乎所有汽車制造商及其一級(jí)供應(yīng)商都要求分立器件通過這一認(rèn)證。

在AEC-Q101的基礎(chǔ)上，納微半導(dǎo)體打造了行業(yè)首個(gè)超越AEC的“AEC-Plus”標(biāo)桿級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，該標(biāo)準(zhǔn)要求器件超越現(xiàn)有AEC-Q101與JEDEC產(chǎn)品認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)。這一新標(biāo)桿體現(xiàn)了納微對(duì)系統(tǒng)級(jí)壽命要求的深刻理解，以及為嚴(yán)苛汽車與工業(yè)應(yīng)用提供經(jīng)過嚴(yán)格設(shè)計(jì)與驗(yàn)證產(chǎn)品的堅(jiān)定承諾。

“AEC-Plus”認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)擴(kuò)展了嚴(yán)格的多批次測(cè)試與認(rèn)證要求，在現(xiàn)有AEC-Q101基礎(chǔ)上新增核心項(xiàng)包括：

動(dòng)態(tài)反向偏置（D-HTRB）與動(dòng)態(tài)柵極開關(guān)（D-HTGB）測(cè)試，模擬嚴(yán)苛應(yīng)用工況

超過2倍時(shí)長的功率與溫度循環(huán)測(cè)試

超過3倍時(shí)長的靜態(tài)高溫高壓測(cè)試（如HTRB、HTGB）

200°C結(jié)溫（TJMAX）測(cè)試，增加過載運(yùn)行能力

通過封裝模塑料的創(chuàng)新凹槽設(shè)計(jì)優(yōu)化爬電距離至6.45mm，同時(shí)不減小外露散熱焊盤尺寸，兼顧了散熱性能。

此外，外露散熱焊盤采用鎳 - 鎳磷（NiNiP）鍍層，而非現(xiàn)有頂部散熱封裝方案的錫（Sn）鍍層，這對(duì)回流焊后焊盤表面平整度至關(guān)重要，可確保與導(dǎo)熱界面材料（TIM）的高效可靠連接。

依托 20 多年的碳化硅技術(shù)創(chuàng)新優(yōu)勢(shì)，納微半導(dǎo)體 GeneSiC的“溝槽輔助平面柵”技術(shù)使得碳化硅MOSFET的導(dǎo)通電阻隨高溫變化較同規(guī)格競品低20%以上，且開關(guān)品質(zhì)因數(shù)優(yōu)異，可在更寬工作范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)最低功率損耗。所有GeneSiC碳化硅MOSFET均具備已公布的最高100%測(cè)試雪崩能力、出色的短路耐受能量及緊湊的閾值電壓分布，便于并聯(lián)應(yīng)用。

首批采用HV-T2Pak封裝的產(chǎn)品組合包括導(dǎo)通電阻18mΩ至135mΩ的1200V碳化硅MOSFET，以及20mΩ至55mΩ的650V碳化硅MOSFET。2025年下半年將推出更低導(dǎo)通電阻（<15mΩ）的HV-T2Pak封裝碳化硅MOSFET。

*納微使用 “AEC-Plus”術(shù)語表示器件可靠性測(cè)試超越汽車電子委員會(huì)（AEC）發(fā)布的 AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，該術(shù)語基于納微測(cè)試結(jié)果得出

關(guān)于納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼: NVTS）是唯一一家全面專注下一代功率半導(dǎo)體事業(yè)的公司，于2024年迎來了成立十周年。GaNFast氮化鎵功率芯片將氮化鎵功率器件與驅(qū)動(dòng)、控制、感應(yīng)及保護(hù)集成在一起，為市場提供充電更快、功率密度更高和節(jié)能效果更好的產(chǎn)品。性能互補(bǔ)的GeneSiC碳化硅功率器件是經(jīng)過優(yōu)化的高功率、高電壓、高可靠性碳化硅解決方案。重點(diǎn)市場包括移動(dòng)設(shè)備、消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車、太陽能、風(fēng)力、智能電網(wǎng)和工業(yè)市場。納微半導(dǎo)體擁有超過300項(xiàng)已經(jīng)獲頒或正在申請(qǐng)中的專利。納微半導(dǎo)體于業(yè)內(nèi)率先推出唯一的氮化鎵20年質(zhì)保承諾，也是全球首家獲得CarbonNeutral認(rèn)證的半導(dǎo)體公司。