chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

陽臺微儲的拓撲架構演進、技術趨勢及碳化硅MOSFET在其中的應用

楊茜 ? 來源:jf_33411244 ? 作者:jf_33411244 ? 2025-12-20 09:21 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

陽光光儲與陽臺微儲的拓撲架構演進、技術趨勢及碳化硅MOSFET在其中的應用

wKgZO2lF8VOAPW2_AAbov5UEqvs339.png

傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導體新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業(yè)電源電力電子設備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉型三大方向,力推BASiC基本半導體SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET功率模塊,SiC模塊驅動板等功率半導體器件以及新能源汽車連接器。?

傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級!

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導體器件變革潮頭:

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢!

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和大于650V的高壓硅MOSFET的必然趨勢!

傾佳電子楊茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢!

1. 執(zhí)行摘要

在全球能源轉型與分布式能源資源(DERs)迅猛發(fā)展的宏觀背景下,家庭能源消費模式正經(jīng)歷著一場從“單向消費”向“產(chǎn)銷一體(Prosumer)”的深刻變革。在這一進程中,陽臺微儲(Balcony Solar Storage)作為一種極具靈活性、低門檻的城市能源解決方案,正迅速成為光伏儲能市場的新增長極。特通過推出高度集成化、智能化的微型逆變器與儲能系統(tǒng),重新定義了戶用光儲的技術標準。

wKgZO2lF8RyAQco7AAnBnOqTpR4303.png

傾佳電子旨在全面剖析陽光光儲及陽臺微儲系統(tǒng)的底層拓撲架構,深入探討從直流耦合DC-Coupled)到交流耦合(AC-Coupled)再到混合架構的演進邏輯,并展望關鍵技術趨勢。更為核心的是,傾佳電子將結合基本半導體(BASiC Semiconductor)的最新產(chǎn)品技術資料,詳細論證碳化硅(SiC)MOSFET在提升微儲系統(tǒng)功率密度、熱管理能力及轉換效率方面的決定性價值。通過對B3M系列分立器件及Pcore?工業(yè)模塊的深度技術拆解,揭示第三代半導體如何賦能下一代緊湊型、高頻化、高可靠性的陽臺能源系統(tǒng)。


2. 城市能源的微型化革命:陽臺光儲的興起與陽光電源的布局

2.1 城市能源悖論與陽臺光儲的市場驅動力

隨著全球城市化進程的加速,傳統(tǒng)的戶用光伏系統(tǒng)面臨著嚴峻的空間挑戰(zhàn)。高層公寓與密集住宅區(qū)的居民往往缺乏安裝大型屋頂光伏陣列所需的獨立屋頂資源。然而,這部分人群恰恰是電力消費的主力軍。這種“能源需求高地”與“發(fā)電空間洼地”之間的矛盾,催生了陽臺光儲系統(tǒng)的爆發(fā)式增長。

wKgZPGlF8iaAbE-LAAlXiHk6jdA540.png

陽臺光儲系統(tǒng),在德國被稱為“Balkonkraftwerk”,其核心理念在于利用城市建筑中閑置的垂直空間(陽臺護欄、墻面)及小型露臺,通過標準化、模塊化的微型發(fā)電設備實現(xiàn)“即插即用”的能源生產(chǎn)。截至2024年,僅德國市場就已注冊了超過40萬套此類系統(tǒng),預計到2025年這一數(shù)字將突破百萬大關。這一市場的驅動力主要來自三個維度:

  1. 能源安全與成本焦慮:地緣政治沖突導致的能源價格波動,促使家庭用戶尋求最大限度的能源獨立。陽臺光儲雖不能完全覆蓋家庭用電,但能有效覆蓋冰箱、路由器等全天候運行的基底負載(Base Load),顯著降低電費支出。
  2. 政策法規(guī)的松綁:以德國VDE標準為代表,歐洲多國正逐步放寬微型發(fā)電系統(tǒng)的并網(wǎng)門檻(如將免審批功率上限從600W提升至800W),并簡化雙向電表的安裝流程,極大地降低了用戶的準入門檻。
  3. 技術的“家電化”演進:早期的光伏系統(tǒng)屬于復雜的工業(yè)電氣工程,而現(xiàn)代陽臺光儲正向“白色家電”形態(tài)演變。無需專業(yè)電工,用戶通過簡單的Schuko插頭即可完成并網(wǎng),這種消費電子化的趨勢徹底打開了C端市場。

2.2 國產(chǎn)逆變器廠家的微儲生態(tài)與技術路徑

作為全球光伏逆變器領域的源頭,國產(chǎn)逆變器廠家在陽臺光儲領域的布局具有極強的行業(yè)風向標意義。

2.2.1 陽臺光儲逆變器架構分析

這些設備采用了組件級電力電子(MLPE)技術,具備獨立的MPPT(最大功率點跟蹤)通道。

  • 獨立MPPT設計:通常配備兩路獨立MPPT,能夠分別連接兩塊光伏組件。這種設計對于陽臺場景至關重要,因為陽臺光照條件復雜,極易受到上層建筑陰影、護欄遮擋或不同朝向的影響。獨立MPPT確保了一塊組件受遮擋時不影響另一塊的發(fā)電效率,解決了傳統(tǒng)串聯(lián)逆變器的“木桶效應”。
  • 高頻隔離拓撲:為了在極小的體積內(nèi)實現(xiàn)電氣隔離并滿足安規(guī)要求(如IEC 62109),陽臺微儲采用了高頻變壓器隔離拓撲。這種架構通過將開關頻率提升至數(shù)十甚至上百千赫茲,大幅縮小了磁性元件的體積,使得整機尺寸可以做到書本大小,便于單手安裝。
  • 熱管理與可靠性:考慮到陽臺環(huán)境的惡劣性(夏季高溫暴曬、冬季嚴寒),陽臺微儲采用了全灌膠工藝和IP67防護等級的設計。這就要求內(nèi)部功率器件必須具備極低的熱損耗,因為全封閉外殼無法使用風扇散熱,只能依靠自然對流。這也正是碳化硅技術介入的關鍵切入點。

3. 陽臺微儲系統(tǒng)的拓撲架構演進與深度解析

隨著儲能電池成本(特別是磷酸鐵鋰電池)的顯著下降,陽臺光伏正從單純的“并網(wǎng)發(fā)電”向“光儲一體化”演進。根據(jù)能量流動的路徑不同,現(xiàn)有的陽臺微儲拓撲主要分為直流耦合(DC-Coupled)、交流耦合(AC-Coupled)以及新興的混合集成架構。

3.1 直流耦合(DC-Coupled)架構:效率優(yōu)先的“光伏伴侶”

直流耦合是目前陽臺微儲改造中最主流、最高效的方案,其核心在于將儲能單元置于光伏組件與微型逆變器之間。

wKgZO2lF8yqAL9uwAAdllpDjoH8941.png

3.1.1 拓撲原理與功率流

在直流耦合架構中,光伏組件輸出的直流電(通常為30V-50V)直接進入儲能控制器的MPPT輸入端??刂破鲀?nèi)部包含一個DC-DC變換器(通常為Buck-Boost電路),負責將光伏能量分配給電池充電或直接旁路給微型逆變器。

  • 日間模式:當光伏發(fā)電功率大于家庭基底負載時,控制器將多余的能量通過DC-DC降壓存入電池(例如48V或51.2V電池組)。同時,控制器通過輸出端口向微型逆變器輸送剛好滿足家庭負載的功率。
  • 夜間模式:電池放電,通過DC-DC升壓電路將電壓抬升至微型逆變器的工作電壓范圍(如30V-45V),模擬光伏組件的輸出特性,使微逆繼續(xù)工作并向電網(wǎng)供電。

3.1.2 技術優(yōu)勢與挑戰(zhàn)

優(yōu)勢

  • 轉換效率高:能量只經(jīng)過一次DC-DC轉換即進入電池,避免了“DC-AC-DC”的多次轉換損耗。據(jù)測算,直流耦合系統(tǒng)的往返效率(Round-trip Efficiency)可達95%以上,顯著高于交流耦合。
  • 改造成本低:用戶無需更換原有的微型逆變器,只需串入儲能控制器即可升級。

挑戰(zhàn)

  • MPPT干擾問題:儲能控制器的輸出端需要模擬光伏組件的I-V曲線,以“欺騙”微型逆變器的MPPT算法。如果模擬不精確,微逆可能會頻繁掃描最大功率點,導致輸出振蕩或追蹤效率低下。Zendure的SolarFlow系統(tǒng)通過其“PV-Hub”技術較好地解決了這一問題,實現(xiàn)了對微逆功率的精確節(jié)流。

3.2 交流耦合(AC-Coupled)架構:靈活性至上的“后裝方案”

交流耦合架構中,儲能系統(tǒng)獨立于光伏發(fā)電系統(tǒng),通過交流母線進行能量交換。

3.2.1 拓撲原理

光伏組件連接微型逆變器直接并網(wǎng)。儲能電池則配備一個獨立的雙向AC-DC逆變器(或充電器+逆變器),直接插在家庭的墻插上。

  • 充電邏輯:系統(tǒng)通過智能電表或CT互感器監(jiān)測家庭總進線處的功率流向。當檢測到有功率向電網(wǎng)倒送(即光伏發(fā)電過剩)時,儲能逆變器啟動整流模式(AC-DC),從插座取電為電池充電。
  • 放電邏輯:當監(jiān)測到家庭從電網(wǎng)買電時,儲能逆變器啟動逆變模式(DC-AC),向家庭微網(wǎng)注電,抵消買電量。

3.2.2 適用場景分析

  • 優(yōu)勢:安裝位置極度靈活,電池可以放在室內(nèi)任何有插座的地方,無需在陽臺上進行復雜的直流布線。對于已經(jīng)裝修好、不便穿墻打孔的公寓尤為友好。
  • 劣勢:效率較低。能量需經(jīng)過“光伏DC -> 逆變AC -> 整流DC(存)-> 逆變AC(用)”三次轉換,總效率往往低于85%。此外,硬件成本較高,因為電池端需要一套完整的雙向逆變電路。

3.3 混合微型逆變器(Hybrid Microinverter):終極集成形態(tài)

混合微型逆變器將成為技術發(fā)展的主流趨勢。這種架構將光伏MPPT、電池充放電管理(BMS接口)以及并網(wǎng)逆變功能集成在一個緊湊的機殼內(nèi)。

3.3.1 內(nèi)部拓撲架構解析

wKgZO2lF8-aAeqozAAiiehs67xo278.png

混合微逆通常采用多端口DC-DC變換器架構。

  • 輸入級:包含多個并行的DC-DC Boost電路,分別對應光伏輸入和電池接口。這些電路共享一個高壓直流母線(HVDC Link,通常在350V-400V)。
  • 隔離級:為了滿足并網(wǎng)安全,通常采用LLC諧振變換器或**雙有源橋(DAB)**拓撲連接低壓側和高壓側。LLC拓撲利用軟開關技術(ZVS/ZCS),在全負載范圍內(nèi)實現(xiàn)極高的轉換效率和極低的電磁干擾(EMI)。
  • 逆變級:采用H橋或H6橋拓撲,將高壓直流逆變?yōu)楣ゎl交流電。

3.3.2 趨勢預測

這種“全合一”架構正逐漸取代分離式設備。它消除了設備間的兼容性問題,并通過統(tǒng)一的能量管理算法實現(xiàn)了毫秒級的功率響應。然而,極高的集成度對散熱提出了嚴苛挑戰(zhàn),這也正是碳化硅功率器件大展身手的舞臺。


4.陽臺微儲技術發(fā)展趨勢

基于對當前市場動態(tài)及技術前沿的分析,陽臺微儲技術將呈現(xiàn)以下四大顯著趨勢:

4.1 系統(tǒng)家電化與極簡安裝

未來的微儲系統(tǒng)將完全剝離“工業(yè)品”的屬性,轉而具備消費電子產(chǎn)品的特征。

  • 無線互聯(lián):通過藍牙Mesh或Matter協(xié)議,光伏、儲能、智能插座與高耗能電器(如洗衣機、烘干機)將形成聯(lián)動。例如,當光伏發(fā)電過剩時,系統(tǒng)自動觸發(fā)智能插座開啟洗衣機,而非僅僅將電存入電池。
  • 盲插接口:復雜的MC4端子和螺絲接線將被具備防呆設計的專用磁吸接口或快插接口取代,確保無電氣背景的用戶也能安全操作。

4.2 雙向變換與V2H(Vehicle-to-Home)技術的下沉

雖然V2H通常指電動汽車向家庭供電,但在微儲領域,雙向DC-DC變換技術的普及使得“微型V2H”成為可能。便攜式儲能電源(Portable Power Station)將與陽臺光伏深度融合,既可以作為露營時的移動電源,回家后又能接入陽臺微逆作為固定儲能,實現(xiàn)一機多用。

4.3 智能化與AI算法的深度植入

  • 動態(tài)電價套利:結合歐洲日益普及的動態(tài)電價(Dynamic Tariff),AI算法將自動預測次日的光照曲線和電價波動。在電價為負或極低時,系統(tǒng)自動從電網(wǎng)充電;在電價高峰期放電。這種模式將微儲系統(tǒng)的盈利模式從單一的“自發(fā)自用”擴展到了“電價套利”。
  • 本地化邊緣計算:為了保護隱私并提高響應速度,更多的數(shù)據(jù)處理將在設備本地(Edge)完成,而非完全依賴云端。

4.4 安全標準的嚴苛化

隨著VDE 0126-95等草案的推進,陽臺光儲的安全性將被重新審視。

  • 電氣隔離:未來的標準可能強制要求電池端與網(wǎng)側進行電氣隔離,這將推動高頻變壓器隔離拓撲的全面普及。
  • 接觸安全:低于60V的直流安全電壓(SELV)架構將成為主流,以確保非專業(yè)人員在觸碰帶電端子時不會發(fā)生觸電事故。

5. 碳化硅(SiC)MOSFET:陽臺微儲性能躍遷的引擎

在微儲系統(tǒng)追求高功率密度、無風扇靜音設計和極致效率的道路上,傳統(tǒng)的硅基(Si)IGBT和MOSFET已逐漸觸及物理極限。第三代半導體材料碳化硅(SiC)憑借其禁帶寬度大、擊穿場強高、熱導率高等物理特性,成為了打破這一瓶頸的關鍵。

wKgZO2lF9-KAb1haAAohO8P85Bo470.png

5.1 物理特性的降維打擊

SiC的禁帶寬度是Si的3倍,擊穿場強是Si的10倍,熱導率是Si的3倍。這些物理參數(shù)在微儲應用中轉化為具體的工程優(yōu)勢:

  • 極低的導通電阻(RDS(on)?) :在相同耐壓等級下,SiC MOSFET的漂移層更薄,摻雜濃度更高,從而大幅降低了導通電阻。例如,基本半導體(BASiC)的1200V SiC MOSFET可以做到10mΩ-40mΩ的極低阻抗,而同等級的硅基器件往往在數(shù)百毫歐。
  • 可忽略的反向恢復電荷(Qrr?) :在微逆常用的圖騰柱PFC(Totem-Pole PFC)或LLC拓撲中,體二極管的反向恢復損耗是限制頻率提升的主要因素。SiC MOSFET的體二極管反向恢復電荷極小,幾乎消除了開通損耗,使得硬開關拓撲在高頻下依然保持高效率。

5.2 對拓撲架構的賦能

SiC MOSFET的引入使得微儲系統(tǒng)的拓撲設計發(fā)生了質(zhì)變。

  • 頻率提升與磁件小型化:傳統(tǒng)硅基微逆的工作頻率通常在20kHz-50kHz。采用SiC后,開關頻率可輕松提升至100kHz-300kHz。根據(jù)變壓器伏秒平衡原理,頻率的提升直接導致所需的磁芯體積和電感量成比例下降。這意味著微逆的體積可以縮小30%-50%,重量減輕,更易于懸掛在陽臺護欄上。
  • 無風扇散熱設計:陽臺設備長期暴露在戶外,風扇是壽命最短的部件且易進灰。SiC的高溫工作能力(結溫可達175°C)和低損耗特性,使得全封閉自然散熱(灌膠工藝)成為可能,極大地提升了系統(tǒng)的可靠性和壽命(通常設計壽命達15-25年)。

5.3 效率與經(jīng)濟性分析

盡管SiC器件的單價高于Si器件,但系統(tǒng)級成本(System Level Cost)往往更具優(yōu)勢。

  • BOM成本平衡:SiC的高頻特性減少了昂貴的銅線和磁性材料的使用,同時縮小了鋁制散熱器的體積。這些被動元件成本的下降往往能抵消主動器件的溢價。
  • 能量產(chǎn)出增益:在弱光(清晨/傍晚)或部分遮擋條件下,SiC器件極低的開關損耗使得微逆能更早啟動、更晚停機,全生命周期內(nèi)的發(fā)電量提升可達1.5%以上,這對于微利時代的陽臺光伏至關重要。

6. 基本半導體(BASiC Semiconductor):SiC技術在微儲中的應用實踐

作為中國第三代半導體行業(yè)的領軍企業(yè),基本半導體(BASiC Semiconductor)深耕碳化硅功率器件領域,其產(chǎn)品線覆蓋了從分立器件到車規(guī)級模塊的全譜系。針對陽臺微儲和戶用光儲市場,基本半導體提供了一系列針對性極強的解決方案。

wKgZO2kNRDWAKQieAAYnoo8wfus549.pngwKgZO2kNOcaAM2aAAAb4RMnV7os303.png

6.1 B3M系列分立器件:微型逆變器的核心引擎

陽臺微儲系統(tǒng)中的微型逆變器和雙向DC-DC變換器,對器件的體積和效率要求極為苛刻?;景雽w的第三代SiC MOSFET(B3M系列)憑借其卓越的參數(shù)表現(xiàn),成為這一領域的理想選擇。

6.1.1 650V SiC MOSFET在微逆逆變的應用 儲能高壓側的應用

微型逆變器H橋逆變。在混合微儲系統(tǒng)中,電池通常通過雙向DC-DC連接到350V-400V的直流母線。

推薦型號B3M040065Z(650V, 40mΩ, TO-247-4) B3M025065Z(650V, 25mΩ, TO-247-4)和B3M040065L(TOLL封裝)B3M025065L(TOLL封裝)。

技術價值

  • TOLL封裝優(yōu)勢:B3M040065L B3M025065L采用TOLL表面貼裝封裝,相較于傳統(tǒng)的插件封裝,體積減小了80%以上,寄生電感極低(<2nH)。這對于數(shù)百千赫茲的高頻開關至關重要,能有效抑制電壓尖峰,減少吸收電路的損耗,完美適配超薄型微逆設計?。
  • Kelvin源極設計:B3M040065Z采用4引腳TO-247封裝,引入了Kelvin源極(Driver Source)。這種設計將驅動回路與功率回路解耦,消除了源極引線電感對柵極驅動信號的負反饋干擾,使得開關速度更快,損耗降低約30%。

7. 結論與展望

深圳市傾佳電子有限公司(簡稱“傾佳電子”)是聚焦新能源與電力電子變革的核心推動者:
傾佳電子成立于2018年,總部位于深圳福田區(qū),定位于功率半導體與新能源汽車連接器的專業(yè)分銷商,業(yè)務聚焦三大方向:
新能源:覆蓋光伏、儲能、充電基礎設施;
交通電動化:服務新能源汽車三電系統(tǒng)(電控、電池、電機)及高壓平臺升級;
數(shù)字化轉型:支持AI算力電源、數(shù)據(jù)中心等新型電力電子應用。
公司以“推動國產(chǎn)SiC替代進口、加速能源低碳轉型”為使命,響應國家“雙碳”政策(碳達峰、碳中和),致力于降低電力電子系統(tǒng)能耗。

wKgZO2lF982AEBzDAAfN6a5zpNM111.png

陽臺微儲系統(tǒng)正處于從“初級并網(wǎng)”向“智能互聯(lián)微網(wǎng)”跨越的關鍵時期。隨著技術的成熟和成本的下降,陽臺光儲將成為城市家庭的標準能源電器。在這一進程中,拓撲架構的創(chuàng)新(如雙向LLC、混合集成)提供了系統(tǒng)實現(xiàn)的基礎,而碳化硅(SiC)功率器件則是實現(xiàn)這些架構性能指標的物理基石。

國產(chǎn)逆變器廠商通過引入高頻隔離拓撲和數(shù)字化管理平臺,確立了高端微儲的標桿。而基本半導體憑借其在SiC材料、器件設計及封裝工藝上的深厚積累,提供了從高性能分立器件(TOLL/TO-247-4)到高可靠性工業(yè)模塊的全棧解決方案。特別是其第三代SiC MOSFET,通過極低的開關損耗和優(yōu)異的熱性能,完美解決了陽臺微儲設備“小體積、大功率、無風扇”的矛盾需求。

未來,隨著SiC成本的進一步優(yōu)化和產(chǎn)能的釋放,我們有理由相信,全碳化硅架構將成為陽臺微儲系統(tǒng)的主流配置,推動全球城市能源利用效率邁上新的臺階。


表1:傳統(tǒng)硅基方案與碳化硅(SiC)微儲方案對比分析

性能維度 傳統(tǒng)硅基方案 (Si IGBT / MOSFET) 碳化硅方案 (SiC MOSFET, 如BASiC B3M系列) 對陽臺微儲系統(tǒng)的具體價值
開關頻率 20 kHz - 50 kHz 100 kHz - 300 kHz 體積縮減:磁性元件(變壓器/電感)體積縮小50%以上,使設備能輕松塞入狹小空間或掛在墻上。
導通損耗 較高 (Vce(sat)?壓降) 極低 (RDS(on)?電阻特性) 提升能效:輕載效率顯著提升(早晚弱光發(fā)電更多),減少電池充放電過程中的能量浪費。
反向恢復 體二極管Qrr?大,損耗高 Qrr?極小,近乎無損 降低EMI:減少高頻噪聲,簡化濾波電路,降低對家庭其他電器的干擾。
熱管理 需大型散熱器,甚至風扇 發(fā)熱量低,耐高溫 (175°C) 靜音與壽命:實現(xiàn)全封閉無風扇設計(IP67),徹底消除噪音,杜絕灰塵水汽侵蝕,延長壽命至20年以上。
拓撲適應性 依賴軟開關 (LLC) 降低損耗 勝任硬開關 (圖騰柱 PFC) 控制簡化:支持更簡單的控制算法,提升系統(tǒng)魯棒性,支持雙向流動(V2H/V2G)。

表2:基本半導體(BASiC)推薦用于陽臺微儲的明星產(chǎn)品

產(chǎn)品型號 規(guī)格參數(shù) 封裝形式 推薦應用位置 核心優(yōu)勢
B3M040065L 650V, 40mΩ TOLL 微型逆變器 DC-DC 原邊 超薄貼片:適合自動化生產(chǎn),寄生電感極低,適合超高頻開關。
B3M040065Z 650V, 40mΩ TO-247-4 微型逆變器 DC-AC 逆變橋 Kelvin源極:解耦驅動與功率回路,開關損耗降低30%,提升滿載效率。
B3M040120Z 1200V, 40mΩ TO-247-4 雙向儲能變換器 (HVDC Link) 高耐壓:適配800V直流母線架構,提升系統(tǒng)安全裕量。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • MOSFET
    +關注

    關注

    150

    文章

    9484

    瀏覽量

    230180
  • 拓撲
    +關注

    關注

    4

    文章

    352

    瀏覽量

    30394
  • 碳化硅
    +關注

    關注

    25

    文章

    3350

    瀏覽量

    51819
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    深度解析:移相全橋拓撲演進技術瓶頸與SiC碳化硅的應用價值

    傾佳電子深度解析:移相全橋拓撲演進、技術瓶頸與SiC碳化硅的應用價值 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業(yè)電源、電
    的頭像 發(fā)表于 11-09 11:02 ?1745次閱讀
    深度解析:移相全橋<b class='flag-5'>拓撲</b>的<b class='flag-5'>演進</b>、<b class='flag-5'>技術</b>瓶頸與SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>的應用價值

    傾佳電子SiC碳化硅電網(wǎng)能領域的崛起:功率變換系統(tǒng)拓撲技術趨勢技術分析

    傾佳電子SiC碳化硅電網(wǎng)能領域的崛起:功率變換系統(tǒng)拓撲技術趨勢
    的頭像 發(fā)表于 10-19 09:19 ?216次閱讀
    傾佳電子SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>在<b class='flag-5'>微</b>電網(wǎng)<b class='flag-5'>儲</b>能領域的崛起:功率變換系統(tǒng)<b class='flag-5'>拓撲</b>與<b class='flag-5'>技術</b><b class='flag-5'>趨勢</b>的<b class='flag-5'>技術</b>分析

    傾佳電子碳化硅MOSFET高級柵極驅動設計:核心原理與未來趨勢綜合技術評述

    傾佳電子碳化硅MOSFET高級柵極驅動設計:核心原理與未來趨勢綜合技術評述 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取
    的頭像 發(fā)表于 10-18 21:22 ?321次閱讀
    傾佳電子<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>高級柵極驅動設計:核心原理與未來<b class='flag-5'>趨勢</b>綜合<b class='flag-5'>技術</b>評述

    基本半導體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領域的應用

    。其中,關斷損耗(Eoff)作為衡量器件開關性能的重要指標,直接影響著系統(tǒng)的效率、發(fā)熱和可靠性。本文將聚焦于基本半導體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性,深入探討其技術優(yōu)勢及在電
    的頭像 發(fā)表于 06-10 08:38 ?803次閱讀
    基本半導體<b class='flag-5'>碳化硅</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 的 Eoff 特性及其在電力電子領域的應用

    超結MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅動力分析

    隨著BASiC基本半導體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術升級疊加價格低于進口超結MOSFET,不少客戶已經(jīng)開始動手用國產(chǎn)SiC碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 03-01 08:53 ?1018次閱讀
    超結<b class='flag-5'>MOSFET</b>升級至650V<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的根本驅動力分析

    碳化硅MOSFET的優(yōu)勢有哪些

    。碳化硅MOSFET不僅具有低導通電阻、高開關速度和高耐壓等顯著優(yōu)勢,還在高溫和高頻應用中展現(xiàn)出優(yōu)越的穩(wěn)定性。本文將詳細探討碳化硅MOSFET的基本特性、應用領域、市場前景及未來發(fā)展
    的頭像 發(fā)表于 02-26 11:03 ?1326次閱讀

    Wolfspeed第4代碳化硅技術解析

    本白皮書重點介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應用而設計的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術?;谠?b class='flag-5'>碳化硅創(chuàng)新領域的傳承,Wolfspeed 定期推出尖端
    的頭像 發(fā)表于 02-19 11:35 ?1643次閱讀
    Wolfspeed第4代<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>技術</b>解析

    BASiC基本股份國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)品線概述

    變革潮頭: 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊的必然趨勢! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取
    的頭像 發(fā)表于 02-12 06:41 ?898次閱讀
    BASiC基本股份國產(chǎn)SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>產(chǎn)品線概述

    橋式電路中碳化硅MOSFET替換超結MOSFET技術注意事項

    在橋式電路中,國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET(如BASiC基本股份)替換超結(SJ)MOSFET具有顯著優(yōu)勢,但也需注意技術細節(jié)。傾佳電子楊茜從性能優(yōu)勢和
    的頭像 發(fā)表于 02-11 22:27 ?763次閱讀
    橋式電路中<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>替換超結<b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>技術</b>注意事項

    碳化硅MOSFET在家庭能(雙向逆變,中大充)的應用優(yōu)勢

    傾佳電子楊茜以國產(chǎn)碳化硅MOSFET B3M040065L和超結MOSFET對比,并以在2000W家用雙向逆變器應用上具體分析BASiC基本股份B3M040065L在家庭能(雙向逆變
    的頭像 發(fā)表于 02-09 09:55 ?829次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>在家庭<b class='flag-5'>儲</b>能(雙向逆變,中大充)的應用優(yōu)勢

    40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN!

    BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅
    發(fā)表于 01-22 10:43

    產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)能變流器PCS中的應用

    *附件:國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)能變流器PCS中的應用.pdf
    發(fā)表于 01-20 14:19

    為何基本碳化硅MOSFET在充電樁電源單級拓撲實測效率高于進口器件

    基本碳化硅MOSFET在充電樁電源單級拓撲實測效率高于進口器件
    的頭像 發(fā)表于 01-13 09:58 ?1419次閱讀
    為何基本<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>在充電樁電源單級<b class='flag-5'>拓撲</b>實測效率高于進口器件

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術的不斷進步,碳化硅MOSFET因其高效的開關特性和低導通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應用中的首選。作為碳化硅MOSFET
    發(fā)表于 01-04 12:37

    安森美碳化硅MOSFET的持續(xù)演進

    隨著電動汽車動力總成和能源基礎設施對碳化硅(SiC)功率器件需求的增加,加速了市場的增長。在這一過程中,終端用戶需求不斷提高以及日益增大的盈利壓力促使各企業(yè)在其電力電子應用中考慮采用SiC溝槽技術
    的頭像 發(fā)表于 12-26 09:55 ?1005次閱讀
    安森美<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的持續(xù)<b class='flag-5'>演進</b>