近期，科技巨頭三星半導(dǎo)體做出了一個引人注目的決策：將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”。這一決策背后，不僅體現(xiàn)了三星在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新，更凸顯了科技行業(yè)在命名規(guī)范上的靈活性和市場策略的調(diào)整。

據(jù)知情人士稱，三星代工決定將第二代3nm制造工藝“SF3”重新命名為2nm工藝“SF2”，因此需要重新與客戶簽訂合同。這意味著，三星希望簡化流程命名，并試圖更好地與英特爾代工廠競爭。英特爾將于今年晚些時候推出Intel 20A（2nm級）工藝節(jié)點。

三星于2022年秋季公布了到2027年的制程技術(shù)路線圖，列出SF3E、SF4P、SF3、SF4X、SF2、SF3P、SF2P和SF1.4等多個節(jié)點。不過，自2024年初以來，三星已通知客戶其路線圖的變化，并將“SF3”更名為“SF2”。據(jù)報道，該公司甚至與打算使用“SF3”生產(chǎn)節(jié)點的客戶重新簽訂合同。

消息人士稱：“三星電子通知我們，第二代3nm（名稱）將改為2nm。去年與三星代工簽訂了第二代3nm生產(chǎn)合同，但最近修改了合同，將名稱改為2nm?！比怯媱澰?024年下半年開始生產(chǎn)基于“SF2”的芯片，除了更改名稱外，在工藝方面并沒有什么變化。

雖然這一信息并非直接來自三星官方，但它證實了今年早些時候出現(xiàn)的傳言，即三星將在2025年為一家日本初創(chuàng)公司生產(chǎn)一款使用2nm工藝技術(shù)的人工智能（AI）芯片。

三星的SF3技術(shù)使用GAA晶體管，三星將其稱為多橋通道場效應(yīng)晶體管（MBCFET）。SF3（現(xiàn)在為“SF2”）不支持背面供電（BSPDN），與英特爾的Intel 20A制程技術(shù)相比，這是主要的缺點，Intel 20A制程技術(shù)引入了GAA晶體管和背面供電，以獲得更高的性能和能效。

審核編輯：劉清