據(jù)報道，英偉達擬自三星購買高帶寬存儲（HBM）芯片，此乃AI芯片核心器件之一。而SK海力士已率先啟動下一代HBM3E芯片的大規(guī)模生產(chǎn)。

對此，英偉達聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官黃仁勛在加利福尼亞州圣何塞舉辦的大會上，坦言：“HBM結(jié)構(gòu)相當(dāng)精密且附加價值極高，我司已在此領(lǐng)域做出大量投資?！彼M一步透露，公司正對三星的HBM芯片進行資質(zhì)審核，并將未來陸續(xù)采用這些產(chǎn)品。

隨著人工智能浪潮席卷而來，因為相較于常規(guī)存儲芯片，HBM能帶來更快的計算速度，已然成為了其中極為關(guān)鍵的一環(huán)。黃仁勛指出：“HBM無疑是科技創(chuàng)新的典范?！蓖瑫r也強調(diào)，由于新型節(jié)能型超算芯片逐漸普及，HBM將有力助推全球?qū)崿F(xiàn)可持續(xù)發(fā)展。

身為AI芯片市場領(lǐng)導(dǎo)者，SK海力士為英偉達獨家供應(yīng)HBM3芯片。盡管未公布新的HBM3E的客戶清單，但有消息稱，該新芯片將首先面向英偉達，應(yīng)用于最新研發(fā)的Blackwell GPU。

三星為緊隨競爭對手步伐，持續(xù)加大HBM投入力度，其于2023年2月布消息稱，成功研制出業(yè)界首款12層堆棧HBM3E DRAM，據(jù)悉，這款產(chǎn)品容量最大。三星方面表示，預(yù)計上半年正式啟動該芯片量產(chǎn)。