SK海力士在鞏固其面向AI的存儲(chǔ)器領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)地位方面，HBM1無(wú)疑發(fā)揮了決定性作用。無(wú)論是率先開(kāi)發(fā)出全球首款最高性能的HBM，還是確立并保持其在面向AI的存儲(chǔ)器市場(chǎng)的領(lǐng)先地位，這些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一個(gè)團(tuán)隊(duì)”協(xié)作精神（One Team Spirit）。

1高帶寬存儲(chǔ)器（HBM, High Bandwidth Memory）：一種高附加值、高性能存儲(chǔ)器，通過(guò)垂直互聯(lián)多個(gè)DRAM芯片, 與DRAM相比可顯著提升數(shù)據(jù)處理速度。HBM DRAM產(chǎn)品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）、HBM4（第六代）的順序開(kāi)發(fā)。

本系列第二篇文章，將回顧全體成員齊心協(xié)力推動(dòng)HBM技術(shù)創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng)力——“一個(gè)團(tuán)隊(duì)”協(xié)作精神的閃耀時(shí)刻，并深入探討HBM背后的成功、失敗，以及團(tuán)隊(duì)合作帶來(lái)的成果。

16年專(zhuān)注于HBM研發(fā)

SK海力士16年專(zhuān)注HBM研發(fā)，躍居HBM市場(chǎng)第一

這場(chǎng)技術(shù)革命的起點(diǎn)可追溯至21世紀(jì)初期興起的TSV2（硅通孔技術(shù)）。作為實(shí)現(xiàn)HBM、突破儲(chǔ)存器性能局限與制程工藝微細(xì)化限制的關(guān)鍵技術(shù)，TSV備受業(yè)界關(guān)注。然而，由于支持該項(xiàng)技術(shù)的基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)難度高且投資回報(bào)難以預(yù)測(cè)，當(dāng)時(shí)沒(méi)有企業(yè)敢于率先投入開(kāi)發(fā)。當(dāng)整個(gè)行業(yè)都在權(quán)衡投資潛力和追求穩(wěn)定的十字路口觀望時(shí)，SK海力士率先采取了行動(dòng)。公司前瞻性地預(yù)判了TSV與晶圓級(jí)封裝3（WLP）等后端工藝技術(shù)的顛覆性潛力，并于2009年前后啟動(dòng)了相關(guān)研發(fā)，由此開(kāi)啟了長(zhǎng)達(dá)16年的技術(shù)攻堅(jiān)之路。

2硅通孔技術(shù)（TSV, Through Silicon Via）：一種在DRAM芯片上鉆數(shù)千個(gè)細(xì)孔，通過(guò)垂直穿透電極連接芯片上下兩層的互聯(lián)技術(shù)。

3晶圓級(jí)封裝（WLP, Wafer-Level Package）:在傳統(tǒng)封裝工藝中，晶圓被切割成芯片后再進(jìn)行封裝。而這項(xiàng)技術(shù)則是在晶圓級(jí)別時(shí)就完成封裝，并制造最終產(chǎn)品。

TSV技術(shù)的正式應(yīng)用始于2013年。這一時(shí)期，市場(chǎng)對(duì)與GPU（圖形處理器）協(xié)同使用的近內(nèi)存4（Near Memory）解決方案的需求逐漸顯現(xiàn)。基于此，公司通過(guò)整合TSV和WLP技術(shù)，成功研發(fā)出全球首款HBM（第一代）。然而，首次嘗試并未取得預(yù)期成果，無(wú)關(guān)成功與否，而是時(shí)機(jī)未到。當(dāng)時(shí)的HPC（高性能計(jì)算）市場(chǎng)尚未成熟，不足以支撐HBM成為主流技術(shù)。受限于市場(chǎng)環(huán)境，HBM的開(kāi)發(fā)一度遭遇瓶頸，其開(kāi)發(fā)部門(mén)甚至也被貼上了“邊緣”的標(biāo)簽，市場(chǎng)對(duì)HBM技術(shù)的期待也開(kāi)始逐步下降。

4近內(nèi)存（Near-memory）：靠近計(jì)算設(shè)備（處理器）的存儲(chǔ)器，可提升數(shù)據(jù)處理速度。

盡管如此，SK海力士從未放棄，因?yàn)楣緢?jiān)信：“HPC時(shí)代即將到來(lái)，屆時(shí)能夠提供頂尖產(chǎn)品的公司將占據(jù)市場(chǎng)先機(jī)”。此外，公司在過(guò)往發(fā)展中積累的核心技術(shù)實(shí)力，也成為繼續(xù)推進(jìn)HBM項(xiàng)目的重要支撐。因此，團(tuán)隊(duì)成員以“開(kāi)發(fā)最高性能的HBM”為共同目標(biāo)，再次凝聚力量，全力以赴投入研發(fā)工作。

2020年，市場(chǎng)格局終于發(fā)生了根本性轉(zhuǎn)變。憑借對(duì)HBM2E（第三代）和HBM3（第四代）的持續(xù)投入，公司在AI時(shí)代來(lái)臨之際成功實(shí)現(xiàn)了戰(zhàn)略逆轉(zhuǎn)。這一轉(zhuǎn)變得益于AI和HPC需求的增長(zhǎng)，以及HBM市場(chǎng)的爆發(fā)式擴(kuò)張所帶來(lái)的契機(jī)。憑借持續(xù)積累的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，SK海力士迅速提升市場(chǎng)份額，一舉躍居HBM市場(chǎng)第一。這一成就不僅體現(xiàn)了2009以來(lái)公司對(duì)行業(yè)趨勢(shì)的精準(zhǔn)洞察與堅(jiān)定執(zhí)行力，更是前道工序團(tuán)隊(duì)（負(fù)責(zé)DRAM產(chǎn)品研發(fā)）與后道封裝團(tuán)隊(duì)（負(fù)責(zé)包括TSV等封裝技術(shù)）緊密協(xié)作、秉持“一個(gè)團(tuán)隊(duì)”協(xié)作精神的理念共同努力的結(jié)果。

全球最強(qiáng)HBM3E，

化不可能為可能的團(tuán)隊(duì)力量

“一個(gè)團(tuán)隊(duì)”協(xié)作精神代代相傳，不斷突破技術(shù)瓶頸，鞏固市場(chǎng)主導(dǎo)地位

憑借HBM2E確立HBM技術(shù)主導(dǎo)地位僅是一個(gè)開(kāi)端。2021年，SK海力士通過(guò)每秒可處理819GB（千兆字節(jié)）數(shù)據(jù)的HBM3，進(jìn)一步驗(yàn)證了其技術(shù)領(lǐng)先性，并逐步穩(wěn)固了市場(chǎng)第一的地位。特別是在DRAM芯片堆疊層數(shù)的持續(xù)創(chuàng)新方面，公司不斷刷新最高容量紀(jì)錄。2023年4月，SK海力士成功推出36GB的12層堆疊HBM3，這標(biāo)志著在技術(shù)突破上邁出了重要一步。

2023年8月，SK海力士正式發(fā)布HBM3E（第五代），再次引發(fā)業(yè)界的廣泛關(guān)注。這一成果是在成功開(kāi)發(fā)12層HBM3僅4個(gè)月后取得的。憑借每秒1.15TB的數(shù)據(jù)處理速度，HBM3E迅速在面向AI的存儲(chǔ)器市場(chǎng)中占據(jù)了主導(dǎo)地位。

推動(dòng)SK海力士HBM產(chǎn)品系列持續(xù)領(lǐng)先的背后，離不開(kāi)批量回流模制底部填充5 （MR-MUF）技術(shù)的支持。首次應(yīng)用于HBM2E的MR-MUF技術(shù)采用了特殊封裝工藝，實(shí)現(xiàn)了性能提升、散熱優(yōu)化以及量產(chǎn)能力增強(qiáng)等三方面的突破。在此基礎(chǔ)上，公司進(jìn)一步研發(fā)了先進(jìn)MR-MUF技術(shù)，并成功將其應(yīng)用于12層堆疊HBM3中。該技術(shù)采用更薄芯片的無(wú)變形堆疊工藝以及新型保護(hù)材料，顯著增強(qiáng)了散熱特性，再次將SK海力士的HBM產(chǎn)品推向行業(yè)頂尖水平。

5批量回流模制底部填充(MR-MUF, Mass Reflow Molded Underfill)：在堆疊半導(dǎo)體芯片后，在空隙之間注入并固化液態(tài)保護(hù)材料，以保護(hù)芯片之間的電路的工藝。

當(dāng)時(shí)，HBM開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)設(shè)定了“每一代產(chǎn)品性能提升50%，同時(shí)保持功耗不變”的宏偉目標(biāo)。為達(dá)成這一極具挑戰(zhàn)性的目標(biāo)，封裝部門(mén)與HBM開(kāi)發(fā)部門(mén)及所有部門(mén)緊密協(xié)作，各領(lǐng)域?qū)＜夜餐瑓⑴c問(wèn)題解決與技術(shù)創(chuàng)新。正是這種高度協(xié)同的“一個(gè)團(tuán)隊(duì)”協(xié)作精神，使得SK海力士的HBM3E脫穎而出，成為定義行業(yè)新標(biāo)準(zhǔn)的標(biāo)桿產(chǎn)品。

以“一個(gè)團(tuán)隊(duì)”協(xié)作精神

領(lǐng)航全球面向AI的存儲(chǔ)器市場(chǎng)

HBM4將繼續(xù)展現(xiàn)“一個(gè)團(tuán)隊(duì)”協(xié)作精神的協(xié)同效應(yīng)，引領(lǐng)市場(chǎng)新一輪變革

2025年，SK海力士在全球面向AI的市場(chǎng)中持續(xù)鞏固其領(lǐng)先地位。今年3月，公司率先向客戶(hù)提供了全球首款12層堆疊HBM4樣品（第六代）[相關(guān)報(bào)道]。這一成果得益于公司在該領(lǐng)域長(zhǎng)達(dá)16年的持續(xù)創(chuàng)新與技術(shù)積累。

在HBM4的研發(fā)過(guò)程中，SK海力士不僅大幅縮短了開(kāi)發(fā)周期，還成功實(shí)現(xiàn)了卓越的性能表現(xiàn)。該產(chǎn)品具備每秒處理2TB數(shù)據(jù)的能力，相當(dāng)于能夠在1秒內(nèi)完成超過(guò)400部全高清（FHD，F(xiàn)ull-HD）電影（約5GB/部）的數(shù)據(jù)傳輸，其性能較前一代產(chǎn)品提升了60%。由此，公司再次達(dá)成了“每一代產(chǎn)品性能提升50%，同時(shí)保持功耗不變”的目標(biāo)。

這一成就的背后，依然源于“一個(gè)團(tuán)隊(duì)”協(xié)作精神。各團(tuán)隊(duì)成員緊密合作，共同攻克技術(shù)難題，并通過(guò)共享解決方案進(jìn)一步提升研發(fā)效率。此外，SK海力士還將團(tuán)隊(duì)協(xié)作理念擴(kuò)展至企業(yè)間的合作層面，計(jì)劃在基礎(chǔ)裸片（Base-Die）中引入全球領(lǐng)先晶圓代工廠的邏輯（Logic）制程，以進(jìn)一步優(yōu)化HBM產(chǎn)品的性能與能效。這種內(nèi)部協(xié)作與外部合作相結(jié)合的模式，再次為技術(shù)創(chuàng)新奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

HBM4將繼續(xù)展現(xiàn)“一個(gè)團(tuán)隊(duì)”協(xié)作精神的協(xié)同效應(yīng)，預(yù)計(jì)將于今年下半年正式投入量產(chǎn)。通過(guò)這一舉措，SK海力士將進(jìn)一步鞏固其在面向AI的存儲(chǔ)器市場(chǎng)的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位。業(yè)界正密切關(guān)注，SK海力士的HBM4及其它面向AI的存儲(chǔ)器產(chǎn)品，將為市場(chǎng)帶來(lái)怎樣的新一輪變革。