近年來，SK海力士屢獲創(chuàng)新成果，這些成就皆得益于“一個團隊”協(xié)作精神（One Team Spirit）”。無論是創(chuàng)下歷史最佳業(yè)績、開發(fā)出全球領(lǐng)先產(chǎn)品，還是躍升成為全球頂級面向AI的存儲器供應(yīng)商，這些輝煌成就無一不是全體成員齊心協(xié)力的結(jié)果。本系列文章將回顧鑄就SK海力士成功神話背后的驅(qū)動力——“一個團隊”協(xié)作精神的閃耀時刻。

本系列第一篇文章將聚焦于SK海力士自創(chuàng)立以來所面臨的危機與挑戰(zhàn)，并剖析在這些關(guān)鍵時刻，其“一個團隊”協(xié)作精神所展現(xiàn)出的強大力量。

克服后進劣勢，成功扭虧為盈

公司初創(chuàng)階段全體成員齊心協(xié)力克服后進劣勢，成功扭虧為盈

1983年，SK海力士正式進軍半導體產(chǎn)業(yè)。當時，全球半導體市場幾乎由美國和日本主導。在半導體產(chǎn)業(yè)幾乎空白的韓國，作為后來者踏入這一領(lǐng)域無疑極為艱難，但SK海力士仍毅然選擇了勇敢挑戰(zhàn)。

但現(xiàn)實并不樂觀。盡管創(chuàng)業(yè)初期公司雄心勃勃，但始終未能縮小與行業(yè)先行者的技術(shù)差距。工廠建設(shè)屢次延誤，最終艱難地建成了利川工廠，并成功試產(chǎn)了16K SRAM。然而，隨之而來的產(chǎn)品研發(fā)滯后、良率不足等問題，使公司的各個部門都拉響了警報。

公司創(chuàng)立僅兩年便遭遇危機，但此時放棄為時尚早。為此，公司決定集中力量擴充人才隊伍，并提升技術(shù)實力。這一戰(zhàn)略最終奏效——SK海力士通過增聘研發(fā)人員、擴建基礎(chǔ)設(shè)施，夯實了技術(shù)根基，并于1987年成功自主開發(fā)出256K DRAM。

這樣的發(fā)展勢頭延續(xù)到了1988年，行業(yè)復蘇的東風進一步助推了公司的發(fā)展。公司相繼自主研發(fā)成功了1M DRAM、4M DRAM。1988年，憑借256K DRAM的熱銷，公司實現(xiàn)盈利，此時距離公司成立僅五年。

當時，員工們以在100天內(nèi)實現(xiàn)良率50%為目標，發(fā)起了“150行動”，齊心協(xié)力，以彌補后進者所帶來的劣勢。倘若沒有公司堅定的發(fā)展意志與全體成員團結(jié)一致的堅決態(tài)度，這一切都難以實現(xiàn)?！耙粋€團隊”精神不僅為SK海力士在半導體行業(yè)深耕奠定了基礎(chǔ)，更成為未來其克服危機、迎接挑戰(zhàn)的核心DNA。

以“一個團隊”協(xié)作精神為DNA，實現(xiàn)絕地重生

上世紀九十年代到本世紀初，“一個團隊”精神助力公司在危機中屢次渡過難關(guān)

在20世紀90年代初的經(jīng)濟衰退期間，SK海力士的“一個團隊”精神再次閃耀光芒?；趯π袠I(yè)即將回升的預判，SK海力士以“擴大投資”為應(yīng)對策略，在行業(yè)低谷期果斷投入數(shù)千億韓元，用于16M和64M DRAM的量產(chǎn)以及未來技術(shù)布局。

1995年，正如公司所預測的那樣，半導體行業(yè)迎來空前繁榮。SK海力士憑借對16M和64M DRAM的核心投資策略，獲得了豐厚的回報。這一次，“一個團隊”精神再次為公司的重大成就提供了強有力的支持。而在繁榮達到頂峰之后，面對行業(yè)競爭迅速加劇帶來的挑戰(zhàn)，全體成員通過宣布“勞資一體”1化，繼續(xù)攜手共進，再次展現(xiàn)了 ‘一個團隊’精神。”

1勞資一體：對應(yīng)當時由韓文“身土不二”演變而來的新造詞“勞使不二”，意為勞動者與企業(yè)是一體的。

2001年，經(jīng)濟危機到達頂峰，再次襲來的經(jīng)濟蕭條比往年更加嚴重。更為嚴峻的是，公司面臨債務(wù)疊加與互聯(lián)網(wǎng)泡沫破裂的雙重困境，不得不進行重組（債權(quán)人共同管理），甚至傳出“低價拋售公司”的謠言。

盡管面臨困難，但成員們依然堅定不移，他們喊著“能省一分是一分”的口號，自愿退還薪資，并積極參與無薪休假。同時，利川市民也紛紛挺身而出，發(fā)起了“拯救海力士”，“認購海力士股票”等活動，為企業(yè)復蘇貢獻自己的力量。

研究人員們夜以繼日地攻克技術(shù)難關(guān)，通過對舊設(shè)備改造，實現(xiàn)了0.15微米2工藝的重大突破——這正是至今仍廣為人知的“藍芯計劃”。隨后，1Gb DDR2和512M NAND的研發(fā)，以及300mm晶圓相繼實現(xiàn)量產(chǎn)。2005年初，SK海力士提前結(jié)束了債務(wù)重組，這標志著“勞資一體”與“一個團隊”精神的終極勝利。

2微米：百萬分之一米（10?? m）。數(shù)值越小，表明工藝精細化程度越高。

登頂面向AI的存儲器市場，

“一個團隊”精神再創(chuàng)輝煌

SK海力士持續(xù)擴張產(chǎn)業(yè)版圖，以“一個團隊”協(xié)作精神續(xù)寫新的輝煌篇章

SK海力士的“一個團隊”精神在企業(yè)上升期愈顯光芒。2012年，SK海力士正式成為SK集團的一員，公司發(fā)展步入快車道。SK集團曾表示，之所以敢于進行大規(guī)模投資，是基于對其增長潛力的高度認可。

得到數(shù)萬億韓元支持的SK海力士，憑借全球戰(zhàn)略合作，積極加大投資與研發(fā)力度，以及擴建晶圓廠，為未來的發(fā)展奠定堅實基礎(chǔ)。公司在提升技術(shù)實力的同時，更致力于重塑企業(yè)文化：不僅推出助力員工成長的多元發(fā)展計劃，更將“一個團隊”協(xié)作精神深度融入企業(yè)基因，從而構(gòu)建起成員和組織之間協(xié)同創(chuàng)新、融合共進的生態(tài)系統(tǒng)。

在“一個團隊”協(xié)作精神的凝聚下，全體成員們持續(xù)推出契合客戶與市場需求的多款創(chuàng)新產(chǎn)品——涵蓋了10納米級DDR5 DRAM、超高堆疊4D NAND以及大容量SSD等，刷新了公司年度最高業(yè)績紀錄。

其中，HBM無疑是核心所在。自2009年以來，SK海力士便前瞻性地布局HBM3技術(shù)，隨著AI時代的到來，這一領(lǐng)域迎來了爆發(fā)式增長。這一成就的背后，充分體現(xiàn)了SK海力士“一個團隊”協(xié)作精神——從負責產(chǎn)品設(shè)計和元件開發(fā)的前道工序團隊，到實現(xiàn)芯片電氣互聯(lián)的后道封裝團隊，全體成員通力協(xié)作，共同專注于性能提升。正是因為硅通孔4（TSV）、批量回流模制底部填充5（MR-MUF）及先進MR-MUF6技術(shù)等創(chuàng)新技術(shù)的不斷迭代，才成就了如今HBM在行業(yè)中的領(lǐng)先地位。

3高帶寬存儲器（HBM, High Bandwidth Memory）：一種高附加值、高性能存儲器，通過垂直互聯(lián)多個DRAM芯片, 與DRAM相比可顯著提升數(shù)據(jù)處理速度。HBM DRAM產(chǎn)品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）、HBM4（第六代）的順序開發(fā)。

4硅通孔技術(shù)（TSV，Through Silicon Via）：一種在DRAM上打數(shù)千個微孔使其垂直互連至電極的技術(shù)。

5批量回流模制底部填充(MR-MUF, Mass Reflow Molded Underfill)：在堆疊半導體芯片后，為了保護芯片間的電路，在其中填充液體保護材料，使其固化。

6先進MR-MUF：先進 MR-MUF 技術(shù)具有翹曲控制功能（Warpage Control），可實現(xiàn)無翹曲堆疊，芯片厚度比傳統(tǒng)芯片薄 40%，此技術(shù)采用新型保護材料，可有效改善散熱性能。

這種發(fā)展趨勢持續(xù)延伸至HBM4——公司于今年3月率先向客戶交付了12層HBM4樣品 [相關(guān)報道]。由此SK海力士不僅在面向AI的存儲器市場中穩(wěn)居榜首，更實現(xiàn)了從1983年作為半導體行業(yè)“新進者”到如今成為“資深專家”的華麗蛻變。

正處于高速增長期的SK海力士，目前正投入120萬億韓元打造龍仁半導體集群，并積極推進M15X工廠、美國印第安納州工廠等新生產(chǎn)基地的建設(shè)，持續(xù)擴大產(chǎn)業(yè)規(guī)模。

以“全方位面向AI的存儲器供應(yīng)商（Full Stack AI Memory Provider）”為目標，SK海力士全體成員正秉持“一個團隊”協(xié)作精神，攜手共進，開啟嶄新的征程。