設立專屬客戶展館，深化與客戶的交流

首次亮相16層48GB HBM4，全面展示SOCAMM2、LPDDR6等AI專用與通用產品

打造“AI系統(tǒng)演示區(qū)”，可視化呈現定制化HBM架構，展現公司前瞻性技術實力

“將依托差異化存儲器解決方案與客戶緊密協(xié)作，持續(xù)創(chuàng)造全新價值”

SK海力士（或‘公司’）6日宣布，公司將于當地時間1月6日至9日，在美國拉斯維加斯舉辦的“CES 2026”威尼斯人會展中心設立專屬客戶展館，并集中展示面向AI的下一代存儲器解決方案。

公司表示：“本次展覽以‘AI技術創(chuàng)新賦能可持續(xù)未來（Innovative AI，Sustainable Tomorrow）’為主題，全面展示專為AI優(yōu)化的下一代存儲器解決方案。公司將依托與全球客戶的深入交流與緊密合作，共創(chuàng)AI時代下的全新價值?！?/p>

此前，SK海力士在CES展會上一直同步運營SK集團聯(lián)合展館及專屬客戶展館。今年，公司將重點聚焦專屬客戶展館，著力拓展與核心客戶的對接渠道，深入探討切實可行的合作方案。

本次展會上，公司將首次亮相下一代HBM產品“16層 48GB HBM4”。該產品是繼此前實現業(yè)界最高速率11.7Gbps的12層 36GB HBM4之后的后續(xù)版本，目前正根據客戶需求穩(wěn)步推進研發(fā)工作。

此外，公司還將展出有望引領2026年HBM市場的12層 36GB HBM3E產品，并同步展出搭載該產品的全球客戶AI服務器GPU模塊，直觀展現HBM3E在AI系統(tǒng)中的核心應用價值。

除HBM之外，還將重點展出面向AI服務器的低功耗內存模組SOCAMM2，憑借豐富多元的產品矩陣，充分彰顯公司在應對激增的AI服務器需求方面的綜合競爭實力。

與此同時，SK海力士將展示針對AI應用優(yōu)化的通用存儲器產品系列，全面彰顯其在全球存儲器市場中的技術領導地位。其中代表性產品包括LPDDR6，該產品專為端側AI場景進行深度優(yōu)化，相較前代產品在數據處理速度和能效方面實現了顯著提升。

在NAND閃存方面，公司將展出321層2Tb（太比特）QLC產品，專為滿足AI數據中心市場對超高容量企業(yè)級固態(tài)硬盤日益增長的需求而打造。該產品具備當前業(yè)界最高水平的集成度，相較上一代QLC產品，在性能與能效方面均實現大幅提升，尤其適用于對低功耗控制要求嚴苛的AI數據中心環(huán)境，展現出顯著的競爭優(yōu)勢。

公司還設立了“AI系統(tǒng)演示區(qū)”，集中呈現面向AI系統(tǒng)的存儲解決方案產品如何協(xié)同構建高效AI生態(tài)體系。

在此演示區(qū)內，將集中演示多款創(chuàng)新產品與技術，包括：專為特定AI芯片或系統(tǒng)需求優(yōu)化的定制化HBM*、基于PIM*架構的AiMX*、支持存內計算的CuD*、在CXL*內存上融合運算功能的CMM-Ax*，以及數據感知型存儲CSD*等。

其中，針對業(yè)界廣泛關注的定制化HBM技術，公司特別設置了可視化展示裝置，直觀呈現其創(chuàng)新性的內部架構設計。隨著AI市場競爭焦點從單純追求性能，逐步轉向推理效率提升與成本優(yōu)化，公司將原來由GPU或基于ASIC的AI芯片承擔的部分運算與控制功能集成至HBM內部。該展示即是對這一全新架構設計方案的可視化呈現。

SK海力士AI Infra擔當金柱善社長（CMO，Chief Marketing Officer）表示：“隨著AI引發(fā)的創(chuàng)新持續(xù)加速，客戶的技術需求也在快速迭代升級。公司將憑借差異化的存儲解決方案，積極響應客戶需求；同時，將堅持與客戶緊密協(xié)作，為AI生態(tài)的繁榮發(fā)展持續(xù)創(chuàng)造全新價值?！?/p>

*定制化HBM（cHBM，Custom HBM）：根據客戶需求，將原本由GPU或ASIC芯片承擔的部分功能集成至HBM基礎裸片（Base Die）的產品。隨著AI市場的發(fā)展方向從通用性轉向推理效率提升與成本優(yōu)化，HBM也正從標準化產品向客戶定制化方向升級。該產品有望最大化提升GPU與ASIC的性能表現，并降低HBM與處理器之間的通信功耗，從而全面提升系統(tǒng)效率。

*PIM（Processing-In-Memory）：一種在存儲器中增加計算功能，解決AI和大數據處理中數據傳輸瓶頸，并大幅提升速度性能的新一代存儲技術。

*AiMX（Accelerator-in-Memory based Accelerator）：基于SK海力士PIM產品GDDR6-AiM芯片、專為大規(guī)模語言模型（LLM）優(yōu)化的加速器原型（Prototype）。

*CuD（Compute-using-DRAM）：在半導體存儲器的最小存儲單元（Cell）中直接執(zhí)行簡單運算，從而加速系統(tǒng)數據處理的下一代存儲器產品。

*CXL（Compute Express Link）：一種在高性能計算系統(tǒng)中高效連接CPU、GPU與存儲器、支持高容量存儲擴展的互聯(lián)協(xié)議（Interconnect Protocol）。

*CMM-Ax（CXL Memory Module-Accelerator xPU）：為了提升下一代服務器的性能與能效，在CXL產品上融合運算功能的內存模塊原型（Prototype）。

*CSD（Computational Storage Drive）：一種能夠在存儲器內部直接感知、分析、執(zhí)行數據處理的存儲設備。