SK海力士的成功神話背后，離不開眾多核心技術(shù)的支撐，其中最令人矚目的便是“微細(xì)工藝”。通過對(duì)肉眼難以辨識(shí)的微細(xì)電路進(jìn)行更為精細(xì)化的處理，SK海力士憑借壓倒性的技術(shù)實(shí)力，引領(lǐng)著全球半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。這一切的基礎(chǔ)正源于“一個(gè)團(tuán)隊(duì)”協(xié)作精神（One-Team Spirit）。

本系列第三篇文章將深入探討SK海力士在微細(xì)工藝技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先實(shí)力，并回顧“一個(gè)團(tuán)隊(duì)”協(xié)作精神在DRAM發(fā)展過程中的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)上所發(fā)揮的重要作用。

微細(xì)工藝，半導(dǎo)體創(chuàng)新的真正核心

微細(xì)工藝作為縮小半導(dǎo)體電路線寬的關(guān)鍵技術(shù)，一直以來(lái)都被視為技術(shù)革新的必要條件，而非可選項(xiàng)。至今，它仍被認(rèn)為是提升競(jìng)爭(zhēng)力的核心要素。

微細(xì)工藝之所以重要，是因?yàn)樗苯雨P(guān)系到半導(dǎo)體性能與生產(chǎn)效率。這項(xiàng)技術(shù)使得半導(dǎo)體體積更小，從而在同等尺寸的晶圓上能夠制造出更多的芯片。同時(shí)，單個(gè)芯片中可集成的晶體管數(shù)量隨之增加，這提升了單位面積內(nèi)的數(shù)據(jù)處理能力。此外，晶體管等元件的微型化也有效降低了芯片的整體功耗與發(fā)熱量。

SK海力士憑借“一個(gè)團(tuán)隊(duì)”協(xié)作精神，成功將細(xì)微工藝推向全球頂尖水平，全面提升了數(shù)據(jù)處理速度、能效及產(chǎn)品可靠性。

微細(xì)工藝能夠縮小芯片尺寸并實(shí)現(xiàn)元件高密度集成，大幅提升半導(dǎo)體性能

所謂技術(shù)極限，就是用來(lái)突破的

SK海力士在微細(xì)工藝技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展歷程，堪稱一場(chǎng)與“極限”的較量。盡管起步較晚，SK海力士于1983年才首次涉足半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，但僅用短短四年時(shí)間，便于1987年成功開發(fā)出1微米（μm）1工藝，其直徑約為發(fā)絲直徑的百分之一。

1微米：百萬(wàn)分之一米。數(shù)值越小，表明工藝精細(xì)化程度越高。

公司并未就此止步，而是繼續(xù)加大研發(fā)投入。即便在1997年亞洲金融危機(jī)（IMF）期間，SK海力士依然取得了突破性進(jìn)展，成功開發(fā)出相當(dāng)于發(fā)絲直徑1/800的0.18微米工藝，再次令業(yè)界矚目。

21世紀(jì)初，微細(xì)工藝經(jīng)歷了持續(xù)的迭代升級(jí)，邁入了納米時(shí)代，其精度也提升到十億分之一米的納米（nm）級(jí)別。SK海力士通過持續(xù)縮小電路線寬，分別在2006年實(shí)現(xiàn)了60納米級(jí)、2009年實(shí)現(xiàn)40納米級(jí)、2010年實(shí)現(xiàn)30納米級(jí)、2012年實(shí)現(xiàn)20納米級(jí)以及2018年實(shí)現(xiàn)10納米級(jí)工藝，展現(xiàn)了卓越的技術(shù)實(shí)力。

一直以來(lái)，半導(dǎo)體行業(yè)普遍遵循“摩爾定律”（Moore’s Law），即集成電路密度（微細(xì)化程度）每隔兩年將翻一倍。然而，隨著工藝復(fù)雜性和制程難度的不斷增加，業(yè)界對(duì)于技術(shù)已接近極限的擔(dān)憂也日益加劇。

然而，SK海力士通過持續(xù)的技術(shù)挑戰(zhàn)與開發(fā)，于2024年成功實(shí)現(xiàn)了全球首個(gè)第六代10納米級(jí)（1c）2技術(shù)的突破，展示了10納米（僅相當(dāng)于發(fā)絲直徑的萬(wàn)分之一）出頭的超微細(xì)化存儲(chǔ)工藝技術(shù)?；谠摷夹g(shù)，SK海力士在性能方面取得了顯著提升，相較于上一代1b工藝，其運(yùn)行速度提高了11%，能效則提升了9%。

2第六代10納米級(jí)(1c)技術(shù):10納米級(jí)DRAM工藝技術(shù)按照1x-1y-1z-1a-1b-1c順序開發(fā)。

1c DRAM的研發(fā)成功具有里程碑式的意義，原因在于其恰逢技術(shù)難度急劇上升的分界點(diǎn)。此階段已經(jīng)超越了單純縮小電路線寬的范疇，面臨著小到原子單位的物理極限、電子遷移的不確定性、數(shù)據(jù)信號(hào)串?dāng)_等諸多挑戰(zhàn)。為突破這些瓶頸，SK海力士積極引入極紫外（EUV）技術(shù)，通過利用更短波長(zhǎng)的光源，實(shí)現(xiàn)了更高精度的細(xì)微電路繪制與成型，從而攻克難關(guān)，成功開發(fā)出1c工藝。

此外，SK海力士在雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR, Double Data Rate）技術(shù)領(lǐng)域也不斷取得突破，持續(xù)推動(dòng)DRAM的性能提升，其重要成就包括：1998年量產(chǎn)64Mb（兆位）SDRAM、2003年全球首次開發(fā)出1Gb（千兆位）DDR2、2007年成為全球首家獲得DDR3認(rèn)證的企業(yè)、2009年推出44納米級(jí)DDR3 DRAM、2011年成功開發(fā)出30納米級(jí)2Gb DDR4 DRAM、2013年業(yè)內(nèi)首次開發(fā)出20納米級(jí)LPDDR4 DRAM、2018年推出第二代10納米級(jí)16Gb DDR5 DRAM，2020年成為全球首家發(fā)布DDR5 DRAM產(chǎn)品的企業(yè)。SK海力士不斷刷新引領(lǐng)市場(chǎng)的技術(shù)紀(jì)錄。

推動(dòng)SK海力士持續(xù)突破技術(shù)壁壘、不斷向前發(fā)展的根本動(dòng)力，正是全體成員秉持的“一個(gè)團(tuán)隊(duì)”協(xié)作精神。

全體成員秉持“一個(gè)團(tuán)隊(duì)”協(xié)作精神，SK海力士持續(xù)刷新微細(xì)工藝引領(lǐng)市場(chǎng)的技術(shù)紀(jì)錄

以完美協(xié)同，共創(chuàng)里程碑式成就

微細(xì)工藝的實(shí)現(xiàn)并非依賴于某一特定團(tuán)隊(duì)或個(gè)人的技術(shù)能力，而是需要多個(gè)專業(yè)團(tuán)隊(duì)之間的緊密協(xié)作。在指甲大小的芯片內(nèi)，需要集成數(shù)十億個(gè)電容器和晶體管等元件，并確保其正常運(yùn)行。這一目標(biāo)的達(dá)成，離不開各領(lǐng)域?qū)＜业墓餐εc協(xié)同合作。

其中，這一領(lǐng)域的前沿技術(shù)研發(fā)由SK海力士未來(lái)技術(shù)研究院、DRAM產(chǎn)品規(guī)劃及開發(fā)等部門主導(dǎo)，他們肩負(fù)著開拓未知領(lǐng)域的先鋒使命。如今SK海力士已公開面世的技術(shù)成果，早在數(shù)年前就經(jīng)過了他們的深入思考與嚴(yán)密論證，1c技術(shù)的誕生也是源于這些基礎(chǔ)性工作的積累。

將上述技術(shù)轉(zhuǎn)化為實(shí)體產(chǎn)品的制造工藝部門也擔(dān)負(fù)重任。為了使電路圖形進(jìn)一步微細(xì)化，必須借助在晶圓上精密繪制圖案的光刻工序。近年來(lái)，隨著極紫外（EUV）技術(shù)的應(yīng)用，半導(dǎo)體制造實(shí)現(xiàn)了更高精度的線路繪制，從而顯著提升了半導(dǎo)體的集成度。

要實(shí)現(xiàn)如此微細(xì)的立體電路結(jié)構(gòu)，必須通過刻蝕工藝對(duì)電路周邊部位進(jìn)行精密處理，以去除多余的材料。這一工序旨在僅保留實(shí)現(xiàn)微細(xì)化所必要的部分，任何細(xì)微失誤都可能直接影響產(chǎn)品良率與品質(zhì)。

在晶圓上涂敷具有電氣特性的薄膜，為下一道工序鋪設(shè)“基底”的沉積工藝同樣至關(guān)重要。特別是為了實(shí)現(xiàn)超微細(xì)化電路，原子層沉積（ALD，Atomic Layer Deposition）技術(shù)被廣泛應(yīng)用，該技術(shù)能夠以原子級(jí)精度對(duì)薄膜進(jìn)行精確調(diào)控。

此外，還有擴(kuò)散工藝，能夠在微細(xì)圖案上將所需物質(zhì)（離子）按照指定深度精確注入指定位置。同時(shí)，通過刻蝕與拋光工藝，可以徹底去除晶圓上的微小雜質(zhì)，并對(duì)其表面進(jìn)行精細(xì)打磨。這些工藝在半導(dǎo)體制程中發(fā)揮著重要作用。接下來(lái)進(jìn)入到封裝與測(cè)試（ P&T，Package & Test）過程，包括芯片間的電氣連接、芯片內(nèi)部的散熱控制以及樣品測(cè)試等流程。這些技術(shù)是突破微細(xì)化工藝的核心關(guān)鍵，確保新技術(shù)能夠可靠運(yùn)行。

一款產(chǎn)品從研發(fā)到最終問世，整個(gè)工藝流程的每道環(huán)節(jié)都需要交叉重復(fù)數(shù)百次。在此過程中，任何微小的失誤都將直接影響技術(shù)的成敗。因此，各部門必須保持近乎完美的精密協(xié)作，并通過持續(xù)溝通實(shí)現(xiàn)互補(bǔ)優(yōu)化。而SK海力士能夠率先在全球范圍內(nèi)首創(chuàng)1c技術(shù)，其核心成功要素正是全體成員所展現(xiàn)出的“一個(gè)團(tuán)隊(duì)”協(xié)作精神。

一款產(chǎn)品的誕生，離不開各工藝間數(shù)百次的精密打磨與團(tuán)隊(duì)間的高度協(xié)作

相比上一代技術(shù)，1c技術(shù)在性能、品質(zhì)和生產(chǎn)效率等方面均實(shí)現(xiàn)了顯著提升，有望引領(lǐng)新一代存儲(chǔ)器技術(shù)的革新。此外，該技術(shù)可廣泛應(yīng)用于所有下一代DRAM產(chǎn)品，包括面向AI的存儲(chǔ)器HBM、服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心模塊、移動(dòng)端LPDDR和圖形用GDDR等，預(yù)計(jì)將在市場(chǎng)上產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。

SK海力士從不滿足于當(dāng)前的技術(shù)成就，而是依托全公司上下“一個(gè)團(tuán)隊(duì)”協(xié)作精神體系，持續(xù)優(yōu)化并提升微細(xì)工藝技術(shù)實(shí)力。通過這一戰(zhàn)略舉措，公司旨在進(jìn)一步鞏固其在DRAM市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位，并持續(xù)強(qiáng)化作為客戶最信賴的“全方位面向AI的存儲(chǔ)器供應(yīng)商（Full Stack AI Memory Provider）”的核心競(jìng)爭(zhēng)力。