據(jù)可靠消息報道，全球知名科技巨頭 NVIDIA（NVDA）的重要供應(yīng)商韓國 SK 海力士（SK Hynix）有意斥資高達 40 億美元，在美國印第安納州興建一座尖端芯片封裝制造中心。這一決策有望極大地提振美國總統(tǒng)拜登恢復(fù)美國半導(dǎo)體強國地位的威望。

據(jù)稱，新工廠地處普渡大學(xué)（Purdue University）附近，預(yù)計創(chuàng)造就業(yè)崗位800至1，000個，同時，普渡大學(xué)則是全美規(guī)模最大的半導(dǎo)體與微電子工程項目所在地之一。此外，SK 海力士還將享受到地方及聯(lián)邦稅費優(yōu)惠政策以及其他形式援助，助力其建立新的生產(chǎn)線。

據(jù)了解，該廠預(yù)計在2028年啟動運營。進而，SK 海力士即將召開董事會會議，對該項建廠計劃進行表決，盡早達成決定。值得強調(diào)的是，SK 海力士一度有考慮在亞利桑那州設(shè)廠，然而選擇印第安納州，其中一大原因即為普渡大學(xué)能夠供應(yīng)充足的熟練工程師。

針對此事，SK 海力士的發(fā)言人回應(yīng)稱，該公司正針對在美國投資建設(shè)高度集成電路封裝設(shè)施的可能性進行深入研究，但尚未做出明確決定。同樣值得關(guān)注的是，英國《金融時報》（FT）此前也曾對SK 海力士擬在印第安納州設(shè)立芯片包裝工廠的相關(guān)事宜進行過報道。

深度封裝制造是半導(dǎo)體制造流程的最后階段，也是拜登政府“美國芯片法案”（U.S. Chips Act）的核心環(huán)節(jié)，后者承諾未來數(shù)年內(nèi)投入高達30億美元，用于鼓勵國內(nèi)增加此類生產(chǎn)。SK 海力士此舉將為美國國內(nèi)首次鋪設(shè)大規(guī)模HBM封裝生產(chǎn)線鋪平道路。HBM是運用最前沿的封裝技術(shù)及材料，將單個DRAM芯片高效地堆疊組合的核心技術(shù)，能在一瞬之間處理多達230部高清影片級別的龐大數(shù)據(jù)。

根據(jù)SemiAnalysis的最新預(yù)測，按存儲容量單位Gigabyte（GB）計算，SK 海力士占據(jù)了大約73%的HBM市場份額，緊隨其后的三星電子占比22%，愛達荷州的Micron Technology（MU-US）僅占據(jù)5%。SK 海力士目前仍在韓國生產(chǎn)和封裝其HBM芯片。

然而，國際商業(yè)策略咨詢公司International Business Strategies的Handel Jones認為，SK 海力士若在美國修建封裝工廠，估計成本相較于本土韓國工廠會稍有上升，但美國政府提供的財政獎勵金有助于抵消部分額外支出。