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如何應(yīng)對快充、大容量、長壽命挑戰(zhàn),看功率器件在儲能中的創(chuàng)新應(yīng)用

Simon觀察 ? 來源:電子發(fā)燒友 ? 作者:黃山明 ? 2024-04-16 00:11 ? 次閱讀
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃山明)隨著全球能源結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)型和對可再生能源的不斷追求,儲能技術(shù)成為了連接能源生產(chǎn)與消費(fèi)的關(guān)鍵紐帶。儲能系統(tǒng)的核心在于其能夠高效地存儲和釋放能量,而功率器件作為儲能系統(tǒng)的關(guān)鍵組成部分,其性能直接影響到整個系統(tǒng)的效率和可靠性。

恰好羅姆半導(dǎo)體在功率器件領(lǐng)域擁有深厚的技術(shù)積累和創(chuàng)新解決方案,為儲能技術(shù)的發(fā)展提供了強(qiáng)有力的支持。為此電子發(fā)燒友網(wǎng)也采訪到了羅姆,邀請其分享在儲能產(chǎn)品中,如何應(yīng)用功率器件來解決復(fù)雜問題。

應(yīng)對儲能快速充放電和高功率輸出的挑戰(zhàn)

功率半導(dǎo)體是儲能系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件,從Si、SiC到GaN,羅姆一直在廣泛的領(lǐng)域推動先進(jìn)元器件的開發(fā),同時積極致力于提供可以更大程度提升這些元器件性能的控制IC、以及與外圍部件相結(jié)合的解決方案。

在功率器件的研發(fā)上,羅姆也具有獨特的優(yōu)勢。比如羅姆的SiC MOSFET以其低導(dǎo)通電阻特性和出色的高溫、高頻、高壓性能,成為下一代低損耗半導(dǎo)體的優(yōu)選。這種器件能夠在高溫環(huán)境下保持優(yōu)異的工作特性,減少發(fā)熱量,從而減小散熱器件的數(shù)量和尺寸,減輕逆變器的重量。此外,羅姆還提供與功率器件相結(jié)合的控制IC和外圍部件解決方案,構(gòu)成完整的功率轉(zhuǎn)換方案。

在開發(fā)用于儲能系統(tǒng)的高效轉(zhuǎn)換、管理與保護(hù)技術(shù)時,羅姆面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)包括提高功率器件的耐壓能力、降低開關(guān)損耗以及提升器件的工作溫度范圍。為了克服這些挑戰(zhàn),羅姆通過不斷的技術(shù)創(chuàng)新,開發(fā)出了具有更高柵極耐壓的GaN HEMT,以及具有超低導(dǎo)通電阻和低開關(guān)損耗的SiC MOSFET。這些技術(shù)進(jìn)步不僅提升了儲能系統(tǒng)的效率,還有助于設(shè)備的進(jìn)一步節(jié)能。

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儲能產(chǎn)品在為電動汽車和電網(wǎng)調(diào)頻服務(wù)時,需要具備快速充放電能力和高功率輸出特性。這對儲能產(chǎn)品中的半導(dǎo)體器件提出了更高的要求。羅姆通過提供適合的+/-電源、無誤動作的驅(qū)動解決方案,同時還推出了具有出色開關(guān)特性和高頻特性的GaN器件,其導(dǎo)通電阻低于Si器件,能助力眾多應(yīng)用實現(xiàn)小型化及更低功耗。

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此外在太陽能發(fā)電設(shè)施所用的光伏逆變器中,在其MPPT(Maximum Power Point Tracking)和蓄電單元采用GaN器件,與采用SiC器件時相比,可以進(jìn)一步降低構(gòu)成電路的線圈部件的電感值(L),從而能夠減少繞線匝數(shù)、或使用尺寸更細(xì)的芯材,因此有助于大大縮小線圈的體積。另外,還可以減少電解電容器的數(shù)量,與Si器件(IGBT)相比,所需安裝面積更小。

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羅姆將有助于應(yīng)用產(chǎn)品的節(jié)能和小型化的GaN器件命名為“EcoGaN?系列”,并一直致力于進(jìn)一步提高器件的性能。

針對儲能市場的技術(shù)改進(jìn)與突破

針對未來儲能市場對快速充電、大容量、長壽命等多樣化需求,近幾年羅姆在技術(shù)層面進(jìn)行了針對性的改進(jìn)和突破。

2021年羅姆開發(fā)出針對150V GaN HEMT的8V柵極耐壓技術(shù),解決了GaN器件的柵極耐壓問題,并有助于基站和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的電源實現(xiàn)更低功耗和小型化。2022年確立柵極耐壓高達(dá)8V的150V GaN HEMT的量產(chǎn)體制。2023年,量產(chǎn)具有業(yè)界超高性能的650V耐壓GaN HEMT,適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)的效率提升和小型化。

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圖:ROHM EcoGaN? ESS Solution,配合柵極驅(qū)動器發(fā)揮GaN更佳性能


同時,羅姆開發(fā)的EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”,助力減少服務(wù)器和AC適配器等的損耗和體積,通過替換現(xiàn)有的Si MOSFET,可將器件體積減少約99%,功率損耗減少約55%。此外,羅姆還開發(fā)了可更大程度激發(fā)GaN器件性能超高速柵極驅(qū)動器IC,采用業(yè)界先進(jìn)的納秒量級柵極驅(qū)動技術(shù),助力LiDAR和數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用的小型化和進(jìn)一步節(jié)能。

隨著AI技術(shù)的不斷發(fā)展,AI與儲能的結(jié)合成為了新的發(fā)展趨勢。AI技術(shù)將為儲能相關(guān)元器件的發(fā)展帶來新的難題,同時也為儲能市場創(chuàng)造了新的發(fā)展空間。而羅姆功率器件能夠很好應(yīng)對未來AI時代下,儲能所面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)。

對于未來幾年內(nèi)儲能技術(shù)的發(fā)展,羅姆將繼續(xù)推動SiC和GaN等先進(jìn)元器件的開發(fā),同時加強(qiáng)與業(yè)內(nèi)相關(guān)企業(yè)的戰(zhàn)略合作,共同推動儲能技術(shù)的進(jìn)步。羅姆的目標(biāo)是通過不斷的技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品優(yōu)化,為解決社會能源問題貢獻(xiàn)力量,推動儲能技術(shù)向更高效率、更低成本的方向發(fā)展。

小結(jié)

羅姆在功率器件領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新和解決方案,為儲能技術(shù)的發(fā)展提供了堅實的基礎(chǔ)。通過不斷的技術(shù)突破和產(chǎn)品優(yōu)化,羅姆正助力儲能系統(tǒng)實現(xiàn)更高的效率和可靠性,推動全球能源結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)型和可持續(xù)發(fā)展。除了元器件的開發(fā),羅姆還積極與業(yè)內(nèi)相關(guān)企業(yè)建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系并推動聯(lián)合開發(fā),通過助力應(yīng)用產(chǎn)品的效率提升和小型化,持續(xù)為解決社會問題貢獻(xiàn)力量。

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