近日，天健專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司公布了江蘇魯汶儀器股份有限公司的一項(xiàng)技術(shù)專利——《一種原子層刻痕工藝》（PN1145760）。該專利于2024年5月14日提交申請(qǐng)，專利號(hào)為CN118039471A。

本專利主要涉及半導(dǎo)體設(shè)備制造領(lǐng)域，涉及的是一種高效原子層刻痕解決方案。工藝具體為主體步驟分為兩個(gè)階段：首先采取等離子處理方式將氯元素引入晶片表面，進(jìn)而形成氯化圖層；之后，通過(guò)等離子處理的氮?dú)?，?shí)現(xiàn)氯化層的精確刻痕。相較于現(xiàn)有方法，此工藝不僅能降低晶格損傷和電損，同時(shí)也可提升氮化鎵刻痕效果。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)顯示，使用現(xiàn)有方法刻痕氮化鎵后，晶片表面的氮元素含量約為51.4%；而采用新工藝刻痕后，氮元素含量降至47.8%。這說(shuō)明，經(jīng)過(guò)氯元素改性的氮?dú)饪毯?，能顯著減少氮空位，從而減輕晶格損傷和電損。