chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

晶閘管的靜態(tài)特性與伏安特性詳解

冬至配餃子 ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-05-24 18:10 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

晶閘管的靜態(tài)特性

晶閘管的靜態(tài)特性主要涉及其在靜態(tài)條件下的電氣特性,包括其導(dǎo)通和關(guān)斷的行為。

  1. 導(dǎo)通特性
    • 晶閘管在正向偏置條件下,需要門極觸發(fā)信號才能導(dǎo)通。
    • 一旦晶閘管接收到門極觸發(fā)信號,內(nèi)部的PN結(jié)將依次導(dǎo)電,晶閘管從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。
  2. 關(guān)斷特性
    • 晶閘管的關(guān)斷通常發(fā)生在陽極電流降低到維持電流以下時。
    • 晶閘管不能自關(guān)斷,需要外部電路強制減小電流。
  3. 觸發(fā)特性
    • 晶閘管的觸發(fā)可以通過門極電流或電壓實現(xiàn)。
    • 觸發(fā)電壓(Vgt)和觸發(fā)電流(Igt)是晶閘管導(dǎo)通所需的最小門極電壓和電流。
  4. 保持特性
    • 晶閘管導(dǎo)通后,維持其導(dǎo)通狀態(tài)所需的最小電流稱為保持電流(Ih)。
    • 保持電流是晶閘管自保持導(dǎo)通能力的體現(xiàn)。
  5. 存儲時間與存儲效應(yīng)
    • 當晶閘管關(guān)斷后,由于PN結(jié)中的載流子存儲效應(yīng),需要一定時間才能重新觸發(fā)。
    • 存儲時間是晶閘管關(guān)斷后到可以重新觸發(fā)的時間間隔。

晶閘管的伏安特性

伏安特性描述了晶閘管在不同電壓和電流條件下的行為。

  1. 正向特性
    • 在正向偏置條件下,晶閘管的陽極電流隨陽極電壓的增加而增加。
    • 在未觸發(fā)狀態(tài)下,晶閘管的行為類似于一個高阻抗器件。
    • 觸發(fā)后,晶閘管的導(dǎo)通壓降相對穩(wěn)定,通常在1-2伏特左右。
  2. 反向特性
    • 在反向偏置條件下,晶閘管阻斷電流,其反向電流非常小。
    • 反向電壓增加到一定值時,晶閘管可能因超過其電壓等級而損壞。
  3. 導(dǎo)通壓降
    • 晶閘管導(dǎo)通后,其陽極和陰極之間的電壓降稱為導(dǎo)通壓降。
    • 導(dǎo)通壓降與晶閘管的電流和溫度有關(guān)。
  4. 溫度效應(yīng)
    • 溫度升高會影響晶閘管的伏安特性,包括增加導(dǎo)通壓降和改變保持電流。
  5. 浪涌電流能力
    • 晶閘管能夠承受瞬時的高電流,稱為浪涌電流。
    • 浪涌電流能力取決于晶閘管的設(shè)計和熱性能。

結(jié)論

晶閘管的靜態(tài)特性和伏安特性是理解和應(yīng)用晶閘管的關(guān)鍵。靜態(tài)特性包括導(dǎo)通、關(guān)斷、觸發(fā)和保持特性,而伏安特性描述了晶閘管在不同電壓和電流條件下的電氣行為。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 晶閘管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    35

    文章

    1113

    瀏覽量

    79876
  • 伏安特性
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    83

    瀏覽量

    16274
  • 靜態(tài)特性
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    23

    瀏覽量

    9709
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    探秘EV系列0.8 Amp敏感可控硅:特性、應(yīng)用與設(shè)計要點

    的EV系列0.8 Amp敏感可控硅,了解其特性、應(yīng)用場景以及設(shè)計時的注意事項。 文件下載: Littelfuse SxX8xSx EV晶閘管.pdf 一、產(chǎn)品概述 EV系列0.8 Amp敏感可控硅
    的頭像 發(fā)表于 12-16 13:50 ?64次閱讀

    深入解析SVxx50xAx系列晶閘管特性、參數(shù)與應(yīng)用建議

    深入解析SVxx50xAx系列晶閘管特性、參數(shù)與應(yīng)用建議 在電子工程師的日常工作中,選擇合適的晶閘管來滿足特定應(yīng)用場景的需求是一項關(guān)鍵任務(wù)。今天,我們就來詳細探討一下Littelfuse
    的頭像 發(fā)表于 12-16 13:45 ?73次閱讀

    16A高溫雙向晶閘管QJxx16xHx系列:特性、應(yīng)用與設(shè)計要點

    16A高溫雙向晶閘管QJxx16xHx系列:特性、應(yīng)用與設(shè)計要點 在電子工程師的日常工作中,對于AC電源控制應(yīng)用,選擇合適的固態(tài)開關(guān)至關(guān)重要。今天,我們就來深入了解一下QJxx16xHx系列16A
    的頭像 發(fā)表于 12-16 10:30 ?78次閱讀

    半導(dǎo)體器件CV特性/CV特性測試的定義、測試分析和應(yīng)用場景

    一、基本概念 CV特性 (電容-電壓特性)是指半導(dǎo)體器件在不同偏置電壓下表現(xiàn)出的電容變化規(guī)律,主要用于分析器件的介電特性、載流子分布和界面狀態(tài)。該特性是評估功率器件性能的核心指標之一。
    的頭像 發(fā)表于 09-01 12:26 ?807次閱讀

    如何正確選購功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)測試機?

    主要的功率半導(dǎo)體器件特性分為靜態(tài)特性、動態(tài)特性、開關(guān)特性。這些測試中最基本的測試就是靜態(tài)參數(shù)測試
    的頭像 發(fā)表于 08-05 16:06 ?615次閱讀
    如何正確選購功率半導(dǎo)體器件<b class='flag-5'>靜態(tài)</b>參數(shù)測試機?

    詳解線性穩(wěn)壓器的啟動特性

    以下將介紹線性穩(wěn)壓器電源(VIN)開啟時的啟動特性及關(guān)閉時的特性。當線性穩(wěn)壓器的電源在開啟與關(guān)閉時,其工作特性會受VIN的瞬態(tài)變化及輸出電容的靜電容量等因素影響而變化。由于這些特性往往
    的頭像 發(fā)表于 07-28 11:14 ?1423次閱讀
    <b class='flag-5'>詳解</b>線性穩(wěn)壓器的啟動<b class='flag-5'>特性</b>

    安森美SiC Combo JFET的靜態(tài)特性和動態(tài)特性

    和 JFET 的高效結(jié)構(gòu),可實現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻和更佳的熱性能,非常適合需要多個器件并聯(lián)以高效管理大電流負載的應(yīng)用場景。第一部分介紹了SiC Combo JFET 技術(shù)概覽、產(chǎn)品介紹等(點擊文字可看)。本文將繼續(xù)講解靜態(tài)特性、動態(tài)特性
    的頭像 發(fā)表于 06-16 16:40 ?1172次閱讀
    安森美SiC Combo JFET的<b class='flag-5'>靜態(tài)</b><b class='flag-5'>特性</b>和動態(tài)<b class='flag-5'>特性</b>

    詳解運算放大器的電氣特性

    上篇我們?nèi)娼榻B了運算放大器的各種使用方式,本篇我們來摸清一下運算放大器還有哪些“秉性”,也就是它的電氣特性
    的頭像 發(fā)表于 05-16 14:23 ?775次閱讀
    <b class='flag-5'>詳解</b>運算放大器的電氣<b class='flag-5'>特性</b>

    SiC MOSFET的動態(tài)特性

    本文詳細介紹了SiC MOSFET的動態(tài)特性。包括閾值電壓特性、開通和關(guān)斷特性以及體二極管的反向恢復(fù)特性。此外,還應(yīng)注意測試波形的準確性。
    的頭像 發(fā)表于 03-26 16:52 ?1773次閱讀
    SiC MOSFET的動態(tài)<b class='flag-5'>特性</b>

    MDD整流二極管的伏安特性曲線解析及應(yīng)用影響

    MDD整流二極管是電子電路中最常見的元件之一,其主要作用是將交流電轉(zhuǎn)換為直流電。在選型和使用過程中,二極管的伏安特性(I-V曲線)是衡量其性能的關(guān)鍵參數(shù),直接影響其導(dǎo)通損耗、反向耐壓能力及整流效率
    的頭像 發(fā)表于 03-20 10:17 ?1604次閱讀
    MDD整流二極管的<b class='flag-5'>伏安特性</b>曲線解析及應(yīng)用影響

    LDO的工作原理、特性、應(yīng)用場景詳解

    在現(xiàn)代電子設(shè)備的復(fù)雜電路系統(tǒng)中,穩(wěn)定、高效的電源供應(yīng)至關(guān)重要。LDO,即低壓差線性穩(wěn)壓器(Low Dropout Regulator),作為電源管理領(lǐng)域的關(guān)鍵元件,發(fā)揮著不可或缺的作用。本文將深入探討 LDO 的工作原理、特性、應(yīng)用場景。
    的頭像 發(fā)表于 03-14 18:09 ?7795次閱讀

    SiC MOSFET的靜態(tài)特性

    商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V,而SiC擁有更高的擊穿場強,在結(jié)構(gòu)上可以減少芯片的厚度,從而較大幅度地降低MOSFET的通態(tài)電阻,使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態(tài)特性。
    的頭像 發(fā)表于 03-12 15:53 ?1419次閱讀
    SiC MOSFET的<b class='flag-5'>靜態(tài)</b><b class='flag-5'>特性</b>

    SiC SBD的靜態(tài)特性和動態(tài)特性

    SiC SBD具有高耐壓、快恢復(fù)速度、低損耗和低漏電流等優(yōu)點,可降低電力電子系統(tǒng)的損耗并顯著提高效率。適合高頻電源、新能源發(fā)電及新能源汽車等多種應(yīng)用,本文介紹SiC SBD的靜態(tài)特性和動態(tài)特性。
    的頭像 發(fā)表于 02-26 15:07 ?1076次閱讀
    SiC SBD的<b class='flag-5'>靜態(tài)</b><b class='flag-5'>特性</b>和動態(tài)<b class='flag-5'>特性</b>

    SiC MOSFET的參數(shù)特性

    碳化硅(SiC)MOSFET作為寬禁帶半導(dǎo)體材料(WBG)的一種,具有許多優(yōu)異的參數(shù)特性,這些特性使其在高壓、高速、高溫等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。本文將詳細探討SiC MOSFET的主要參數(shù)特性,并通過對比硅基MOSFET和IGBT,闡
    的頭像 發(fā)表于 02-02 13:48 ?2497次閱讀

    特性阻抗是什么意思,特性阻抗計算公式

    在高速電路設(shè)計和信號傳輸領(lǐng)域,特性阻抗(Characteristic Impedance)是一個至關(guān)重要的概念。它描述了信號在傳輸線上傳輸?shù)男袨楹?b class='flag-5'>特性,對于確保信號完整性、減少信號反射和提高系統(tǒng)性能具有關(guān)鍵作用。本文將深入探討特性
    的頭像 發(fā)表于 01-29 14:28 ?6062次閱讀