國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器，是鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元，即使斷電也能保留內(nèi)容。結(jié)合了ROM和RAM的優(yōu)點(diǎn)，具有快速寫(xiě)入速度、低功耗和高讀/寫(xiě)周期耐久性。

國(guó)芯思辰目前已經(jīng)量產(chǎn)具有高讀寫(xiě)耐久性、高速寫(xiě)入操作和低功耗的SF25C20非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品。尤其是該產(chǎn)品保證的讀/寫(xiě)周期為10萬(wàn)周期，讀寫(xiě)能力遠(yuǎn)高于非易失性存儲(chǔ)器EEPROM。因此，該SF25C20已廣泛用于需要頻繁讀寫(xiě)數(shù)據(jù)的工業(yè)應(yīng)用，例如實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄和3D定位數(shù)據(jù)記錄。

國(guó)芯思辰鐵電存儲(chǔ)器可以滿足正在開(kāi)發(fā)工業(yè)機(jī)械不同存儲(chǔ)容量的客戶需求，SF25C20采用SOP8小封裝，尺寸非常小，如果客戶在其應(yīng)用中使用SOP8封裝的SRAM和數(shù)據(jù)備份電池，可以替換為SF25C20，由于無(wú)需電池，可以節(jié)省安裝面積。

鐵電存儲(chǔ)器SF25C20主要介紹：

1、SF25C20的存儲(chǔ)單元可用于100萬(wàn)次讀寫(xiě)，數(shù)據(jù)保持：10年@85℃（200年@25℃），當(dāng)設(shè)備掉電后數(shù)據(jù)也不會(huì)丟失。

2、SF25C20最大功耗為5mA，待機(jī)電流僅7μA，可以有效降低設(shè)備的功耗。

3、SF25C20支持SPI串行接口，采用SOP8小封裝，節(jié)省PCB板設(shè)計(jì)空間，便于布局。

4、SF25C20工作環(huán)境溫度范圍是-40℃至85℃，符合工業(yè)環(huán)境的應(yīng)用。

5、SF25C20性能兼容MB85RS2MT（富士通）和FM25V20A（賽普拉斯）；

6、SF25C20工作電壓范圍為2.7V至3.6V，最低待機(jī)功耗只有9微安。

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