據(jù)韓國媒體最新報(bào)道，三星電子已正式確認(rèn)在平澤P4工廠投資建設(shè)先進(jìn)的1c nm DRAM內(nèi)存產(chǎn)線，并預(yù)計(jì)該產(chǎn)線將于明年6月正式投入運(yùn)營。這一舉措標(biāo)志著三星電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一次重要布局。

平澤P4工廠作為一座綜合性半導(dǎo)體生產(chǎn)中心，其建設(shè)規(guī)劃分為四期。早期規(guī)劃中，一期專注于NAND閃存的生產(chǎn)，二期原計(jì)劃為邏輯代工，但后續(xù)策略有所調(diào)整，將重點(diǎn)轉(zhuǎn)向DRAM內(nèi)存的生產(chǎn)。目前，三星已在P4工廠的一期成功導(dǎo)入了DRAM生產(chǎn)設(shè)備，并正緊鑼密鼓地籌備更高技術(shù)含量的1c nm DRAM產(chǎn)線的建設(shè)。

值得注意的是，1c nm DRAM代表了第六代20~10nm級別的內(nèi)存工藝，是當(dāng)前半導(dǎo)體技術(shù)的前沿。盡管目前市場上各家的1c nm（或?qū)?yīng)的1γ nm）產(chǎn)品尚未正式發(fā)布，但三星電子已率先邁出步伐，計(jì)劃在今年底啟動(dòng)1c nm內(nèi)存的生產(chǎn)。這一決策不僅展現(xiàn)了三星在技術(shù)創(chuàng)新方面的領(lǐng)先地位，也為其在全球內(nèi)存市場的競爭中占據(jù)有利地位奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

此外，有報(bào)道稱，三星還考慮在2025年下半年推出的HBM4內(nèi)存上采用1c nm DRAM裸片，以更先進(jìn)的DRAM制程提升HBM4產(chǎn)品的能效競爭力，追趕并超越行業(yè)內(nèi)的領(lǐng)先者。這一舉措無疑將進(jìn)一步鞏固三星在高端內(nèi)存市場的領(lǐng)先地位，并為其未來的發(fā)展注入新的動(dòng)力。