據(jù)韓媒報(bào)道，三星電子決定最早于本月第三周開始量產(chǎn)HBM4，這批產(chǎn)品將用于英偉達(dá)下一代人工智能計(jì)算平臺(tái)“Vera Rubin”。英偉達(dá)有望在下月年度開發(fā)者大會(huì)（GTC）上首次公開搭載三星電子HBM4的相關(guān)產(chǎn)品。

三星電子HBM4 采用1c DRAM 和 4nm 制程工藝，其數(shù)據(jù)處理速度超過了JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)的8Gbps，最高可達(dá)11.7Gbps，比上一代 HBM3E（9.6Gbps）提升22%。單層堆疊的內(nèi)存帶寬也高達(dá)3TB/s，比上一代產(chǎn)品提高了2.4 倍，12 層堆疊技術(shù)可提供最大 36GB 的容量。未來(lái)擴(kuò)展到 16 層堆疊技術(shù)預(yù)計(jì)可將容量提升至 48GB。其另一大優(yōu)勢(shì)在于其低功耗設(shè)計(jì)，能夠在支持高性能計(jì)算的同時(shí)，顯著降低服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心的功耗和冷卻成本。

三星電子預(yù)計(jì)今年其HBM銷量將比去年增長(zhǎng)三倍以上，為支持這一增長(zhǎng)，三星正在平澤P4工廠建設(shè)一條新的1c DRAM生產(chǎn)線。該生產(chǎn)線預(yù)計(jì)將于明年第一季度完工，月產(chǎn)能預(yù)計(jì)為10萬(wàn)至12萬(wàn)片晶圓。

SemiAnalysis 行業(yè)分析顯示，韓系廠商 SK 海力士與三星將主導(dǎo)下一代高帶寬內(nèi)存市場(chǎng)，而美光（Micron）因技術(shù)路線受挫，或?qū)⑼词вミ_(dá)下一代 Rubin 芯片的 HBM4 訂單，份額恐降至 0%。相比之下，市場(chǎng)預(yù)計(jì) SK 海力士將拿下約 70% 的訂單，剩余 30% 則由三星囊括。

美光內(nèi)部自主設(shè)計(jì)和制造 HBM4 的基礎(chǔ)裸片產(chǎn)生嚴(yán)重的散熱問題，且引腳速度未能達(dá)到客戶標(biāo)準(zhǔn)。盡管美光計(jì)劃在重新設(shè)計(jì)基礎(chǔ)裸片并優(yōu)化供電網(wǎng)絡(luò)后，于 2026 年第二季度再次提交 NVIDIA 進(jìn)行資格測(cè)試，但NVIDIA 的 Vera Rubin 芯片目前已進(jìn)入“全速生產(chǎn)”階段，此測(cè)試進(jìn)度有所滯后。