在日前舉辦的2017年Q4法說會上，臺積電透露，其極紫外光光刻機（extreme ultraviolet lithography: ，簡稱EUV光刻機）產(chǎn)能已經(jīng)取得了較大的進步，目前已經(jīng)將其電源功率提高到160W，助力7nm和5nm制造，而250瓦EUV也已經(jīng)安裝到位。

EUV光刻機的唯一供應(yīng)商ASML在2017年度Semicon West半導(dǎo)體設(shè)備展上也表示，250瓦的EUV光源也萬事俱備。公司2017年財報中也強調(diào)，其EUV光刻機滿足了125WPH（每小時生產(chǎn)125片晶圓）的性能規(guī)格。那就意味著最初計劃在2004年推出的EUV光刻機，在延誤了十三年之后，終于準(zhǔn)備好了。

EUV光刻機被譽為救世主，關(guān)鍵問題已解決

過去幾十年，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在摩爾定律的指導(dǎo)下獲得了高速的發(fā)展，為了滿足摩爾定律“同等面積芯片集成的晶體管數(shù)每18個月翻一番”的要求，晶圓廠一直在推動工藝制程的更新。但隨著節(jié)點的演進，產(chǎn)業(yè)界普遍認為傳統(tǒng)的光刻將會在65nm或者45nm的時候遭受到障礙，為此他們尋找新的解決辦法，EUV就是他們的主要選擇。

所謂EUV，是指波長為13.5nm的光。相比于現(xiàn)在主流光刻機用的193nm光源，新的EUV光源能給硅片刻下更小的溝道，從而能實現(xiàn)在芯片上集成更多的晶體管，進而提高芯片性能，繼續(xù)延續(xù)摩爾定律。不過在之前推進EUV光刻機的過程中，碰到各種各種各樣的問題，EUV光刻機商用的時間也一拖再拖，業(yè)界在EUV的研發(fā)投入保守估計也超過了200億美金，發(fā)光源功率是造成EUV光刻機遲遲不能商用的最主要原因。

在EUV光刻機工作過程中，需要電源將等離子體轉(zhuǎn)換成13.5nm波長的光線，之后再經(jīng)過鏡子的幾重反射，再打落到晶圓上。但是之前的電源并不能給EUV提供足夠的功率，進而滿足經(jīng)濟可行性。這就首先要了解對EUV光刻機的要求：

簡單來說，引入EUV光刻機的工作目標(biāo)，就是把原來傳統(tǒng)光刻的雙層pattering簡化成一層EUV完成，進而降低光罩的層數(shù)，降低生產(chǎn)復(fù)雜度。而為了達到現(xiàn)有的傳統(tǒng)光刻機250到270WPH的生產(chǎn)效率，那么來到EUV光刻機，那么至少需要125WPH的效率，才能達到COO（cost of ownership）和OEE（overall equipment efficiency），這就對光源提出250瓦的要求。但知道2012年，EUV光刻機的唯一供應(yīng)商ASML只是實現(xiàn)了25瓦的光源。

為了加速光源的發(fā)展，他們在2012年斥資25億美元收購了世界領(lǐng)先的準(zhǔn)分子激光源提供商Cymer。從全球領(lǐng)先的專利查詢平臺智慧芽上了解到， Cymer是一家專注于激光、X射線及深紫外光源的企業(yè)。收購Cymer，讓ASML直接從源頭上獲得了其發(fā)展中至關(guān)重要的光刻機光源技術(shù)。進而加速了EUV光刻機的發(fā)展。

據(jù)介紹，Cymer 使用了一種叫做“激光等離子體”的方法，這種方法是在一個真空腔體中，用源自金屬切割技術(shù)的放大器，產(chǎn)生強大的二氧化碳激光，通過腔體，照射一束每秒被發(fā)射出5萬滴的超純錫液滴。當(dāng)激光脈沖照射到錫液滴時，液滴會被加熱成等離子體并產(chǎn)生EUV射線。接著，一個反射鏡收集器將該過程產(chǎn)生的光線反射到光刻機中。

在這個方法的基礎(chǔ)上，ASML和Cymer持續(xù)改進，并在2016年達到200瓦的功率，到2017年下半年，終于實現(xiàn)了250瓦的光源和125WPH的效率，那就意味著EUV光刻機的商用指日可待。

三星、臺積電、英特爾和格芯的爭奪戰(zhàn)打響

隨著HPC和智能手機的發(fā)展，對芯片性能的要求越來越高，設(shè)計廠商對先進工藝的需求也隨之高漲，在臺積電Q4法說會，臺積電表示已經(jīng)有了50個7nm客戶，就是最好的證明。面對這個市場，正如文章開頭所說，晶圓代工廠們需要將目光投向EUV光刻機尋求幫助。2017年5月剛從三星集團獨立出來的三星晶圓廠就是當(dāng)中最為激進的一個。

三星方面表示，他們是業(yè)內(nèi)最早宣布將會使用EUV光刻機進行7nm芯片生產(chǎn)的廠商。按照三星的說法，他們將會在2018年下半年提供相關(guān)服務(wù)；至于TSMC，根據(jù)供應(yīng)鏈相關(guān)人士透露，臺積電將會在二季度末開始上馬7nm生產(chǎn)，但是第一代7nm將會使用傳統(tǒng)光刻。臺積電方面表示，要到2019年的7nm plus才會引入EUV；格芯也同樣打算在2018年推出7nm工藝，但是和臺積電一樣，這時還是用傳統(tǒng)光刻，他們計劃到2019年才引入EUV。至于IDM巨頭Intel，他們對其先進工藝和EUV的進展秘而不談，但是據(jù)公開消息顯示，他們所購買的EUV光刻機比任何其他公司都多。

EUV光刻機無疑是未來的大勢所趨。

格芯首席技術(shù)官Gary Patton表示，如果在5nm的時候沒有使用EUV光刻機，那么光刻的步驟將會超過100步，這會讓人瘋狂。所以所EUV光刻機無疑是未來5nm和3nm芯片的最重要生產(chǎn)工具，未來圍繞EUV光刻機的爭奪戰(zhàn)將會變得異常激烈。因為這是決定這些廠商未來在先進工藝市場競爭的關(guān)鍵。

媒體報道，臺積電在2017年初一口氣訂購了五臺EUV光刻機；韓媒BusinessKorea在十月也表示，三星有意購買10臺EUV光刻機。關(guān)于格芯和Intel光刻機的具體購買數(shù)目沒有看到報道。但從S和T兩家看來，他們正在大手筆囤貨。但是ASML在EUV光刻機上面的產(chǎn)能不大，這可能會加劇了爭奪。

據(jù)ASML的年報得知，2016年，他們總共才出貨了四臺EUV光刻機，2017年則交付了10套EUV系統(tǒng)。而從媒體報道中我們得知，2018年，ASML的EUV光刻機產(chǎn)量可以達到24臺，但這些訂單都已經(jīng)被搶購一空。但到2019年，ASML會將其產(chǎn)能提高到40臺，這會大大緩解EUV光刻機的供應(yīng)壓力。

更大的挑戰(zhàn)扔在后頭

在基本克服了250W光源這個難題之后，ASML對晶圓廠客戶有了一個基本的交代，但是對于EUV光刻機系統(tǒng)來說，仍然有一些問題需要被解決的。

首先就是光罩問題；

據(jù)介紹，EUV所用的光罩和193nm浸沒式光刻的光罩完全不同，它們由使用了數(shù)十種不同材料的納米層組成。根據(jù)數(shù)據(jù)調(diào)查顯示，過去12個月來，光罩制造商已經(jīng)制作了1041個EUV光罩，光罩良率目前僅為64.3%。但同期間曝光的主流的光罩數(shù)達到46萬2792個，平均良率高達94.8%。因此如何提升光罩良率和成本問題，就成為他們考慮的首要問題。

其次EUV薄膜問題也不能忽略；

雖然現(xiàn)在EUV設(shè)備都是處于超潔凈環(huán)境中，但是在制造過程中，灰塵是無可避免地產(chǎn)生的。如果有一點回城掉到光罩上，則會造成很大的損失?，F(xiàn)在主流光罩的薄膜是透明的，能夠經(jīng)受得起考驗，但是目前的EUV薄膜是不透明的，那就需要超薄型的薄膜去制造透明的EUV薄膜，能夠抵擋EUV光刻機的震蕩和相關(guān)干擾對光罩造成的影響。

還有一個重要的問題是目前沒有很好的方法去檢測光罩的缺陷；

理想情況下，你可以用EUV光去掃描那些需要修補的點。但這個被稱為actinic patterned-mask inspection的技術(shù)依然還在研究當(dāng)中，所以所有的芯片制造商目前在光罩檢測上也只能用權(quán)宜之計：有些廠商使用193nm光刻的那些工具。但是來到7nm，用193nm的方法無異于緣木求魚。因為方法雖然相同，但是你總會錯過一些東西。芯片制造商也使用一個叫做“print check”的技術(shù)去檢查晶圓，但這個方法在時間和金錢成本都很高，并不能讓人接受。

對ASML來說，未來還需要解決一個光源問題。

目前的250W光源應(yīng)用在7nm甚至5nm都是沒問題的，但到了3nm，對光源的功率需求將會達到500W，到了1nm的時候，光源功率要求甚至達到了1KW，這也不會是一個容易的問題。

讓我期待一些聰明的工程師幫我們解決這些問題。