近日，環(huán)球晶董事長徐秀蘭表示，主流6英寸碳化硅（SiC）襯底的價格已經(jīng)穩(wěn)定，但市場反彈仍不確定。中國臺灣制造商正專注于開發(fā)8英寸SiC襯底，盡管2025年對SiC的市場預期仍較為保守，但2026年的前景似乎更為樂觀。

報道指出，2024年市場供過于求影響全球SiC行業(yè)，價格跌破生產(chǎn)成本，擾亂了全球供應鏈。徐秀蘭透露，價格已暴跌超過50%，達到前所未有的低點。盡管6英寸SiC襯底價格現(xiàn)已穩(wěn)定，但短期內(nèi)復蘇尚不明顯。

此前有消息稱，白宮正尋求重新談判美國《芯片和科學法案》的獎項，并已暗示將推遲一些即將到來的半導體撥款。

對此，徐秀蘭表示，目前沒有收到芯片法案補助要改變的通知，環(huán)球晶會持續(xù)進行全球化，在當?shù)毓杈A是既定方向。該公司從2022年投入興建美國新廠，至今計劃沒有改變，與美國政府希望的方向應當是不謀而合，可以在地供應美國廠商先進制程、硅光子或機器人應用需要的硅晶圓。

在設備端，徐秀蘭表示，碳化硅長晶設備與切割、研磨、拋光等加工設備的技術(shù)也在不斷進步。新型長晶設備能夠提高碳化硅晶體的生長速度和質(zhì)量，而先進的加工設備則能提升襯底的平整度和表面質(zhì)量，進一步滿足高端芯片制造的要求。