LPD2106是一款高耐壓的半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片，具有0.3A拉電流和1.0A灌電流能力，專用于驅(qū)動(dòng)N溝道MOSFET或IGBT組成的半橋。LPD2106集成了輸入邏輯信號(hào)處理電路，支持3.3V~15V輸入邏輯電平。LPD2106具有高可靠性和抗干擾能力，高壓耐壓達(dá)650V，開關(guān)節(jié)點(diǎn)動(dòng)態(tài)能力支持達(dá)50V/ns，瞬態(tài)耐壓能力達(dá)-60V (100ns）。LPD2106集成了完善的保護(hù)功能，集成了輸入最小脈沖寬度識(shí)別功能，輸出互鎖和死區(qū)保護(hù)功能，VDD和HB-VS UVLO保護(hù)。

典型應(yīng)用電路圖

LPD2106采用標(biāo)準(zhǔn)SOP8封裝，廣泛應(yīng)用于高速吹風(fēng)機(jī)，風(fēng)扇，洗衣機(jī)，烘干機(jī)和冰箱等電器的無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)，也可用于LED照明等開關(guān)電源，直流轉(zhuǎn)交流逆變器等場景。

LPD2106主要特點(diǎn)

高耐壓，高可靠性

開關(guān)節(jié)點(diǎn)VS耐正壓：650V

開關(guān)節(jié)點(diǎn)VS瞬態(tài)負(fù)壓能力：-60V

開關(guān)節(jié)點(diǎn)直流負(fù)壓能力：-11V（@VDD=15V）

開關(guān)節(jié)點(diǎn)dVs/dt抗干擾能力：50V/ns

ESD-HBM：2000V

輸入特性

VDD輸入電壓：10~20V，耐壓25V

VDD UVLO

HB-VS UVLO

兼容3.3V，5V，15V輸入電壓邏輯

斯密特觸發(fā)器輸入

最小可識(shí)別on/off time:50ns

低功耗

輸出特性

驅(qū)動(dòng)能力：0.3A拉電流，1.0A灌電流

傳輸延時(shí)短：130ns

雙通道延遲匹配：10ns

雙通道輸出互鎖功能

雙通道輸出固定死區(qū)時(shí)間：500ns

LPD2106具體性能參數(shù)指標(biāo)可聯(lián)系微源獲取數(shù)據(jù)手冊(cè)。