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關(guān)鍵技術(shù)突破!國內(nèi)首個光子芯片中試線成功下線首片晶圓

Carol Li ? 來源:電子發(fā)燒友 ? 作者:綜合報道 ? 2025-06-13 01:02 ? 次閱讀
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電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 近日消息,上海交大無錫光子芯片研究院(CHIPX)取得重大進展,其在國內(nèi)首個光子芯片中試線成功下線首片6英寸薄膜鈮酸鋰光子芯片晶圓,并同步實現(xiàn)了超低損耗、超高帶寬的高性能薄膜鈮酸鋰調(diào)制器芯片的規(guī)?;慨a(chǎn),該芯片的關(guān)鍵技術(shù)指標達到國際先進水平。

光子芯片關(guān)鍵技術(shù)突破

光子芯片也被稱為光子集成電路(Photonic Integrated Circuit,PIC),是一種基于光子學原理的集成電路芯片。它將光子器件集成在芯片上,實現(xiàn)光電子集成,利用光波(電磁波)作為信息傳輸或數(shù)據(jù)運算的載體,一般依托于集成光學或硅基光電子學中介質(zhì)光波導(dǎo)來傳輸導(dǎo)模光信號,將光信號和電信號的調(diào)制、傳輸、解調(diào)等集成在同一塊襯底或芯片上。

光子芯片作為新一代信息技術(shù)的核心,能滿足人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、云計算、生物醫(yī)藥等領(lǐng)域?qū)鬏敗⒂嬎?、存儲、顯示的技術(shù)需求。

然而此前,我國光量子技術(shù)因共性關(guān)鍵工藝技術(shù)平臺的缺失,面臨“實驗室成果難以量產(chǎn)”的困境,成為制約產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“卡脖子”難題。上海交大無錫光子芯片研究院通過建設(shè)國內(nèi)首條光子芯片中試線,成功攻克了這一難題。

上海交大無錫光子芯片研究院于2022年12月啟動中試線建設(shè),2024年9月正式啟用集光子芯片研發(fā)、設(shè)計、加工和應(yīng)用于一體的光子芯片中試線。如今,首片晶圓成功下線,標志著中試平臺實現(xiàn)量產(chǎn)通線。

薄膜鈮酸鋰調(diào)制器芯片是一種以薄膜鈮酸鋰為關(guān)鍵材料,利用電光效應(yīng)實現(xiàn)光信號調(diào)制的高性能芯片,具備超快電光效應(yīng)、高帶寬、低功耗等顯著優(yōu)勢,在5G通信、量子計算、光通信等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大潛力。

薄膜鈮酸鋰調(diào)制器芯片的工作原理是,基于電光效應(yīng)工作,即某些晶體在外加電場作用下,其折射率會發(fā)生變化,當光波通過此介質(zhì)時,其傳輸特性就會受到影響而改變。通過施加電壓來改變光信號的“相位”或強度,實現(xiàn)光信號的調(diào)制。例如,常見的薄膜鈮酸鋰電光調(diào)制器有相位調(diào)制器,其基本結(jié)構(gòu)由兩個波導(dǎo)、兩個功分結(jié)構(gòu),以及射頻電極和直流電極構(gòu)成。

然而,由于薄膜鈮酸鋰材料脆性大,大尺寸薄膜鈮酸鋰晶圓的制備一直存在挑戰(zhàn)。上海交大無錫光子芯片研究院引進了110余臺國際頂級CMOS工藝設(shè)備,構(gòu)建了覆蓋薄膜鈮酸鋰晶圓從光刻、薄膜沉積、刻蝕、濕法、切割、量測到封裝的全閉環(huán)工藝鏈。

通過創(chuàng)新性開發(fā)芯片設(shè)計、工藝方案與設(shè)備系統(tǒng)的協(xié)同適配技術(shù),成功打通了從光刻圖形化、精密刻蝕、薄膜沉積到封裝測試的全制程工藝,實現(xiàn)晶圓級光子芯片集成工藝的重大突破。在6英寸鈮酸鋰晶圓上實現(xiàn)了110nm高精度波導(dǎo)刻蝕,通過步進式(i-line)光刻完成了高均一性、納米級波導(dǎo)與復(fù)雜高性能電極結(jié)構(gòu)的跨尺度集成,達到頂尖制程水平。

該芯片調(diào)制帶寬突破110GHz,突破國際高速光互連帶寬瓶頸;插入損耗<3.5dB,波導(dǎo)損耗<0.2dB/cm,顯著提升光傳輸效率;調(diào)制效率<1.9 V·cm,電光轉(zhuǎn)換效率大幅優(yōu)化。

量產(chǎn)能力和前景

上海交大無錫光子芯片研究院中試平臺具備年產(chǎn)12000片薄膜鈮酸鋰晶圓的量產(chǎn)能力,將為產(chǎn)業(yè)合作伙伴提供“低成本”、“快速迭代”、“規(guī)?;慨a(chǎn)”的解決方案。

另外,研究院將發(fā)布工藝設(shè)計包(PDK),將薄膜鈮酸鋰晶圓制備的核心工藝參數(shù)與器件模型全面納入、開放共享,助力產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)快速完成從概念設(shè)計到流片驗證再到量產(chǎn)的全流程閉環(huán),顯著縮短研發(fā)周期。

中試平臺不僅服務(wù)于光子芯片產(chǎn)業(yè),還將與區(qū)域發(fā)展“雙向奔赴”,加速科技成果轉(zhuǎn)化落地,推動我國光子芯片核心器件從技術(shù)研發(fā)向產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的實質(zhì)性跨越。同時,研究院將圍繞芯、光、智、算等進行科技成果轉(zhuǎn)化及孵投一體的創(chuàng)業(yè)孵化,為光子計算、量子信息、6G通信、激光雷達等產(chǎn)業(yè)提供核心保障。

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