電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌） 2025年6月13日，在第17屆國(guó)際汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)技術(shù)年會(huì)（TMC2025）上，理想汽車(chē)首次公開(kāi)其歷時(shí)3年半研發(fā)的自研高壓碳化硅（SiC）功率模塊LPM（Li Power Module），并宣布該模塊將于7月搭載于旗艦純電車(chē)型理想i8首發(fā)上市，未來(lái)還會(huì)陸續(xù)搭載在理想所有純電車(chē)型上。

來(lái)源：理想汽車(chē)

理想LPM模塊的核心價(jià)值在于系統(tǒng)級(jí)能效優(yōu)化。通過(guò)降低“系統(tǒng)寄生電感”這一隱形損耗源，理想團(tuán)隊(duì)將電流回路的等效串聯(lián)電感（ESL）優(yōu)化至約10nH，較行業(yè)平均水平降低50%。

來(lái)源：理想汽車(chē)

這一改進(jìn)源于多維度技術(shù)創(chuàng)新：半橋內(nèi)部電氣設(shè)計(jì)優(yōu)化、無(wú)端子高壓連接技術(shù)、高精度AMB直接激光焊工藝，以及母排三維空間疊層設(shè)計(jì)等技術(shù)組合，顯著縮小了電流回路面積。以理想i8為例，該模塊使整車(chē)?yán)m(xù)航在SiC技術(shù)本身提升6%（約40公里）的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步增加1%（約7公里），實(shí)現(xiàn)總續(xù)航提升7%的技術(shù)飛躍。

來(lái)源：理想汽車(chē)

在空間優(yōu)化方面，理想汽車(chē)顛覆傳統(tǒng)功率模塊設(shè)計(jì)范式。其革命性?xún)?nèi)部開(kāi)窗設(shè)計(jì)徹底摒棄外露功率端子和螺栓連接方式，直接在模塊本體開(kāi)窗實(shí)現(xiàn)大電容與銅排的精準(zhǔn)嵌套。這一創(chuàng)新使模塊占地面積縮減50%，Y向尺寸減小40mm，為后排乘客釋放出寶貴的頭部與腿部空間
。這種設(shè)計(jì)需要功率模塊、電機(jī)控制器、電驅(qū)動(dòng)總成與整車(chē)的跨層級(jí)聯(lián)合開(kāi)發(fā)能力，同時(shí)克服了塑封過(guò)程中開(kāi)窗邊緣穩(wěn)定性控制、超薄覆銅基板多點(diǎn)激光焊接等工藝難題。

在質(zhì)量管控領(lǐng)域，理想汽車(chē)構(gòu)建了覆蓋全產(chǎn)業(yè)鏈的精密制造體系。從芯片級(jí)激光焊接到模塊級(jí)潔凈度控制，再到整車(chē)級(jí)可靠性驗(yàn)證，其生產(chǎn)流程融入多項(xiàng)“黑科技”——包括遠(yuǎn)超行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的加速老化測(cè)試、多維度視覺(jué)與電氣檢測(cè)技術(shù)，以及高度自動(dòng)化產(chǎn)線(xiàn)保障的質(zhì)量一致性
。目前，理想已建成蘇州斯科半導(dǎo)體基地，規(guī)劃總投資10億元用于SiC模塊研發(fā)生產(chǎn)，一期產(chǎn)線(xiàn)已于2024年底通線(xiàn)，支撐800V高壓平臺(tái)車(chē)型的規(guī)?；涞?。

理想汽車(chē)的技術(shù)突破折射出新能源汽車(chē)行業(yè)對(duì)功率模塊的深度布局。東風(fēng)汽車(chē)與芯聯(lián)集成聯(lián)合開(kāi)發(fā)的自研SiC模塊采用雙面散熱封裝技術(shù)，系統(tǒng)效率突破99%；比亞迪依托IGBT 4.0芯片持續(xù)優(yōu)化模塊集成度，其最新一代模塊體積比達(dá)到0.35kW/cm3的行業(yè)領(lǐng)先水平。特斯拉Model 3/Y搭載的SiC模塊則通過(guò)單管芯片封裝技術(shù)實(shí)現(xiàn)高性能，為行業(yè)提供重要技術(shù)參考。

值得關(guān)注的是，車(chē)企與半導(dǎo)體企業(yè)的深度協(xié)同正在加速技術(shù)迭代。理想汽車(chē)與中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體合作開(kāi)發(fā)的XPM增程功率模塊預(yù)計(jì)2026年量產(chǎn)，可適配400V-800V全電壓平臺(tái)；與三安光電合資的湖南三安基地則專(zhuān)注于SiC襯底材料研發(fā)，規(guī)劃年產(chǎn)60萬(wàn)片碳化硅晶圓，為高壓平臺(tái)車(chē)型提供穩(wěn)定供應(yīng)保障。

盡管SiC模塊優(yōu)勢(shì)顯著，但成本與可靠性仍是行業(yè)痛點(diǎn)。當(dāng)前SiC襯底成本為硅基器件的5-8倍，且車(chē)規(guī)級(jí)模塊需經(jīng)歷長(zhǎng)達(dá)3-5年的可靠性驗(yàn)證。對(duì)此，理想汽車(chē)通過(guò)仿真驗(yàn)證平臺(tái)建設(shè)加速技術(shù)落地——其失效分析實(shí)驗(yàn)室可模擬10年工況加速測(cè)試，確保產(chǎn)品可靠性。此外，上汽等車(chē)企正探索SiC與IGBT混合封裝方案，在控制成本的同時(shí)實(shí)現(xiàn)性能平衡。

從技術(shù)演進(jìn)趨勢(shì)看，雙面散熱封裝、三維封裝集成、芯片級(jí)智能驅(qū)動(dòng)等創(chuàng)新方向正在興起。東風(fēng)汽車(chē)展示的雙面散熱SiC模塊可將熱阻降低30%以上；而特斯拉提出的單管芯片封裝技術(shù)則通過(guò)減少內(nèi)部互連環(huán)節(jié)提升可靠性。這些探索預(yù)示著功率模塊將向更高集成度、更優(yōu)熱管理、更低系統(tǒng)成本方向持續(xù)進(jìn)化。