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超薄晶圓切割:振動控制與厚度均勻性保障

新啟航半導體有限公司 ? 2025-07-09 09:52 ? 次閱讀
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超薄晶圓因其厚度極薄,在切割時對振動更為敏感,易影響厚度均勻性。我將從分析振動對超薄晶圓切割的影響出發(fā),探討針對性的振動控制技術和厚度均勻性保障策略。

超薄晶圓(<50μm)切割振動控制技術與厚度均勻性保障

一、引言

隨著半導體技術的飛速發(fā)展,超薄晶圓(<50μm)在先進芯片制造中的應用愈發(fā)廣泛。然而,其極薄的特性使得在切割過程中對振動極為敏感,微小振動都可能導致晶圓厚度不均勻,進而影響芯片性能與良品率。因此,深入研究超薄晶圓切割振動控制技術,保障厚度均勻性,是當前半導體制造領域亟待解決的關鍵問題。

二、超薄晶圓切割振動對厚度均勻性的影響

2.1 刀具振動引發(fā)的切割偏差

超薄晶圓硬度高、脆性大,切割時刀具易產(chǎn)生高頻振動。這種振動會使刀具偏離理想切割軌跡,造成晶圓不同部位的切割深度不一致。在切割過程中,刀具振動幅值若達到 1μm,對于 50μm 以下的超薄晶圓,可能導致局部切割深度偏差超過 10%,嚴重破壞厚度均勻性 。

2.2 工件振動加劇的不均勻問題

超薄晶圓剛性差,在切割力作用下易發(fā)生振動。工件振動不僅使切割過程不穩(wěn)定,還會導致切割力波動。切割力的變化會引起晶圓局部材料去除量差異,使得厚度出現(xiàn)偏差 。此外,振動產(chǎn)生的應力集中可能致使晶圓產(chǎn)生裂紋,進一步惡化厚度均勻性。

三、超薄晶圓切割振動控制技術

3.1 優(yōu)化刀具設計與選擇

采用超細晶粒硬質合金或金剛石涂層刀具,提高刀具剛性和耐磨性,降低振動產(chǎn)生的可能性。優(yōu)化刀具幾何參數(shù),如減小刀具前角、增大后角,可減少切削力,抑制振動 。同時,合理設計刀具刃口形狀,使切削過程更平穩(wěn),降低振動幅度。

3.2 改進切割工藝參數(shù)

通過實驗和仿真確定最佳切割工藝參數(shù)。降低切割速度能減少切削力波動,降低振動頻率;減小進給量可避免過大的切削負荷,減少振動激發(fā)。例如,將切割速度控制在較低水平(如 10 - 20mm/min),進給量設置為 0.01 - 0.03mm/r,能有效抑制振動 。

3.3 應用主動振動控制技術

在切割設備上安裝高精度振動傳感器,實時監(jiān)測振動信號。利用主動振動控制技術,如基于壓電陶瓷的主動減振系統(tǒng),根據(jù)傳感器反饋信號產(chǎn)生反向振動,抵消有害振動。該技術可將振動幅值降低 50% 以上,顯著提升切割穩(wěn)定性 。

四、超薄晶圓厚度均勻性保障策略

4.1 優(yōu)化工件夾持系統(tǒng)

設計專用的超薄晶圓夾持系統(tǒng),采用真空吸附或彈性夾持方式,確保晶圓在切割過程中穩(wěn)固固定,減少因夾持不當產(chǎn)生的振動。同時,優(yōu)化夾持力分布,避免局部應力集中,保障晶圓厚度均勻性 。

4.2 引入在線檢測與補償

在切割過程中引入在線厚度檢測技術,如激光干涉測量法,實時監(jiān)測晶圓厚度變化。根據(jù)檢測結果,及時調整切割工藝參數(shù)或刀具位置,對厚度偏差進行補償,實現(xiàn)動態(tài)控制,保障厚度均勻性 。

以上內(nèi)容圍繞超薄晶圓切割振動控制與厚度均勻性保障展開。若你覺得某部分內(nèi)容需要補充案例數(shù)據(jù),或有其他修改方向,歡迎隨時告訴我。

高通量晶圓測厚系統(tǒng)運用第三代掃頻OCT技術,精準攻克晶圓/晶片厚度TTV重復精度不穩(wěn)定難題,重復精度達3nm以下。針對行業(yè)厚度測量結果不一致的痛點,經(jīng)不同時段測量驗證,保障再現(xiàn)精度可靠。?

wKgZPGdOp6mAKTtWAAMZ0sugoBA420.png

我們的數(shù)據(jù)和WAFERSIGHT2的數(shù)據(jù)測量對比,進一步驗證了真值的再現(xiàn)性:

wKgZO2g-jKKAXAVPAATGQ_NTlYo059.png

(以上為新啟航實測樣品數(shù)據(jù)結果)

該系統(tǒng)基于第三代可調諧掃頻激光技術,相較傳統(tǒng)雙探頭對射掃描,可一次完成所有平面度及厚度參數(shù)測量。其創(chuàng)新掃描原理極大提升材料兼容性,從輕摻到重摻P型硅,到碳化硅、藍寶石、玻璃等多種晶圓材料均適用:?

對重摻型硅,可精準探測強吸收晶圓前后表面;?

點掃描第三代掃頻激光技術,有效抵御光譜串擾,勝任粗糙晶圓表面測量;?

通過偏振效應補償,增強低反射碳化硅、鈮酸鋰晶圓測量信噪比;

wKgZO2g-jKeAYh0xAAUBS068td0375.png

(以上為新啟航實測樣品數(shù)據(jù)結果)

支持絕緣體上硅和MEMS多層結構測量,覆蓋μm級到數(shù)百μm級厚度范圍,還可測量薄至4μm、精度達1nm的薄膜。

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(以上為新啟航實測樣品數(shù)據(jù)結果)

此外,可調諧掃頻激光具備出色的“溫漂”處理能力,在極端環(huán)境中抗干擾性強,顯著提升重復測量穩(wěn)定性。

wKgZO2d_kAqAZxzNAAcUmXvDHLM306.png

(以上為新啟航實測樣品數(shù)據(jù)結果)

系統(tǒng)采用第三代高速掃頻可調諧激光器,擺脫傳統(tǒng)SLD光源對“主動式減震平臺”的依賴,憑借卓越抗干擾性實現(xiàn)小型化設計,還能與EFEM系統(tǒng)集成,滿足產(chǎn)線自動化測量需求。運動控制靈活,適配2-12英寸方片和圓片測量。

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