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英偉達認證推遲,但三星HBM3E有了新進展

晶芯觀察 ? 來源:電子發(fā)燒友 ? 作者:綜合報道 ? 2025-07-12 00:16 ? 次閱讀
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電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,據(jù)韓媒報道,三星電子近期已完成與博通就12層HBM3E產(chǎn)品的質(zhì)量測試,正就量產(chǎn)供應(yīng)展開磋商。當(dāng)前協(xié)商的供應(yīng)量按容量計算約為10億Gb級別左右,量產(chǎn)時間預(yù)計最早從今年下半年延續(xù)至明年。目前博通憑借自有半導(dǎo)體設(shè)計能力,正為谷歌代工第七代TPU"Ironwood"及Meta自研AI芯片"MTIA v3"。

此外,三星電子也積極推進向亞馬遜云服務(wù)(AWS)供應(yīng)HBM3E 12層產(chǎn)品,近期已在平澤園區(qū)啟動實地審核。AWS計劃明年量產(chǎn)搭載該存儲器的下一代AI芯片"Trainium 3"。

7月8日,三星電子在韓國公布2025年第二季度運營利潤為4.60萬億韓元,低于分析師預(yù)期的6.18萬億韓元;銷售額為74.00萬億韓元,也低于預(yù)期的75.77萬億韓元,主要因美國制度和庫存問題導(dǎo)致非記憶芯片業(yè)績下滑。

三星電子已在位于平澤的P1和P3生產(chǎn)線上量產(chǎn)HBM3E 12層。三星此前設(shè)定目標(biāo),計劃將今年HBM總供應(yīng)量擴大至上年兩倍的80-90億Gb水平。

但韓媒報道,三星電子已于第二季度末減少了12層HBM3E的產(chǎn)量。三星電子今年第二季度HBM3E 12層硅片的產(chǎn)量預(yù)計平均每月7萬至8萬片。 然而,三星電子在第二季度末大幅減少了晶圓投入,目前的產(chǎn)量為每月3萬至4萬片。

原因是原本計劃在今年年中向英偉達供應(yīng)該產(chǎn)品,但隨著談判的拖延,下半年需求的不確定性加劇。三星電子最初的目標(biāo)是在6月份完成測試,但測試或?qū)⒆钸t在9月份完成。業(yè)內(nèi)人士表示,發(fā)熱問題仍在討論中。

市場研究機構(gòu)伯恩斯坦分析預(yù)計,到2025年SK海力士仍將以57%的占有率保持領(lǐng)先,但三星(27%)和美光(16%)的追趕將使市場格局更趨均衡。

最近,三星開始向AMD供應(yīng)其 12 層HBM3E。該公司還與多家客戶合作開發(fā)定制的 HBM4 產(chǎn)品,預(yù)計該產(chǎn)品將從明年開始為公司帶來收入。

其他廠商方面,SK海力士展示HBM4技術(shù),其容量可達48GB,帶寬高達2.0TB/s,I/O速度為8.0Gbps,SK海力士表示計劃在2025年下半年進行量產(chǎn)。SK海力士還擁有全球首例16層HBM3E技術(shù),帶寬為1.2TB/s。另外,美光科技已將12層堆疊36GB HBM4送樣給多家主要客戶,是繼SK海力士后第二家宣布出貨HBM4的業(yè)者。美光HBM4預(yù)計將于2026年量產(chǎn),以配合客戶下一代AI平臺的擴產(chǎn)進度。

三星芯片業(yè)務(wù)負責(zé)人全永鉉在3月股東大會上承認,HBM市場的早期失利導(dǎo)致落后于SK海力士,并承諾在HBM4領(lǐng)域絕不再重蹈覆轍,這款下一代內(nèi)存將應(yīng)用于英偉達的Rubin GPU架構(gòu)。

現(xiàn)階段,三星一方面與英偉達就12層HBM3E的認證還需要時間,另一方面全球科技巨頭的ASIC自研芯片為三星提供了HBM3E出貨的新途徑。

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