在工業(yè)4.0浪潮的推動下，智能制造、工業(yè)控制及自動化領(lǐng)域快速發(fā)展，IGBT作為高壓電機驅(qū)動設(shè)備的核心，市場需求持續(xù)攀升。上海貝嶺受邀參加由AspenCore主辦的2025第五屆國際電機驅(qū)動與控制論壇，將與國際和本土知名廠商的技術(shù)和應(yīng)用專家共同帶來電機驅(qū)動領(lǐng)域的最新技術(shù)。

大會將于2025年7月24日在深圳市舉辦，屆時上海貝嶺工業(yè)市場經(jīng)理康博將進行“從硅片到系統(tǒng)：上海貝嶺IGBT黃金組合賦能電機升級“主題演講，誠邀您共聚深圳，共襄盛會！

本次貝嶺攜“多款” 先進產(chǎn)品參展，以下是產(chǎn)品介紹：

650V 10A~75A系列IGBT產(chǎn)品

產(chǎn)品性能及應(yīng)用介紹

基于貝嶺第6代Trench FS IGBT工藝平臺，采用3um pitch的微溝槽工藝，正面結(jié)構(gòu)采用精心設(shè)計的“Gate溝槽+dummy溝槽” 比例，背面采用優(yōu)化的H FS工藝，獲得良好Vcesat-Eoff折衷性能，以及優(yōu)秀的短路能力；終端采用優(yōu)化的“FLR+場板技術(shù)”，實現(xiàn)175℃的最高工作結(jié)溫，并且可以通過HV-H3TRB的加嚴(yán)可靠性測試。

650V 80A~200A 系列IGBT產(chǎn)品

產(chǎn)品性能及應(yīng)用介紹

基于貝嶺第7代Trench FS IGBT工藝平臺，采用更加先進的1.6um pitch微溝槽工藝，正面結(jié)構(gòu)通過“Gate溝槽+E短接溝槽+dummy 溝槽”3種溝槽的設(shè)計比例優(yōu)化，背面采用優(yōu)化的H FS工藝，獲得足夠低的Vceast和良好的開關(guān)損耗，滿足電機驅(qū)動應(yīng)用所需的短路能力；終端采用優(yōu)化的“VLD技術(shù)”，在提高芯片有效面積占比的同時，實現(xiàn)175℃的最高工作結(jié)溫，并且可以通過HV-H3TRB的加嚴(yán)可靠性測試。

40V SGT MOS產(chǎn)品

產(chǎn)品性能及應(yīng)用介紹

貝嶺40V系列SGT MOS基于GTA最新的低壓SGT工藝平臺，采用紅磷襯底及HDP工藝：紅磷襯底的電阻率只有砷襯底的1/3，采用紅磷可以顯著降低襯底電阻；HDP工藝可以制得高密度元胞，降低溝道電阻及整體導(dǎo)通電阻。得益于精心調(diào)試的工藝，高密度元胞并沒有額外增加應(yīng)力，wafer仍然可以減薄至100um(非taiko)，這也顯著降低了襯底電阻。

封裝方面，40V SGT主要是PDFN5*6封裝，鍵合方式有常規(guī)鋁帶和銅片clip兩種：常規(guī)鋁帶的封裝電阻小于鋁絲鍵合，成本較低；銅片clip的封裝電阻遠(yuǎn)小于鋁絲/鋁帶鍵合，過流能力較強。

80~150V SGT MOS產(chǎn)品

產(chǎn)品性能及應(yīng)用介紹

上海貝嶺80~150V系列SGT MOS基于GTA最新的中高壓SGT工藝平臺，采用雙層EPI優(yōu)化了電場分布，因此采用更高摻雜濃度的EPI也能保持BV不掉，從而顯著降低了導(dǎo)通電阻。其中80~100V系列得益于精心調(diào)試的工藝，獲得較高密度元胞的同時wafer可以減薄至100um(非taiko)，有效降低了襯底電阻；而150V系列則采用HDP工藝制得高密度元胞，顯著降低了溝道電阻及降低了柵電荷。