賦能高效能源轉換——傾佳電子代理BASIC BSRD-2503驅動板解鎖62mm SiC模塊的極致性能

在追求高效、高功率密度與可靠性的電力電子領域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的開關性能和耐高溫特性，正迅速成為工業(yè)電源、新能源及高端制造的核心動力。傾佳電子作為行業(yè)領先的電子元器件代理與技術解決方案伙伴，隆重推出BASIC Semiconductor BSRD-2503-ES01雙通道驅動板——專為62mm SiC MOSFET模塊設計的性能引擎，助力客戶攻克高壓、高頻應用的技術壁壘。

為何選擇BSRD-2503-ES01？核心價值深度解析

專為62mm SiC模塊而生，無縫集成
該驅動板針對主流62mm封裝SiC半橋模塊深度優(yōu)化，提供雙通道獨立驅動能力。其緊湊的機械設計（嚴格公差控制±0.13mm）與模塊引腳完美契合，大幅簡化系統(tǒng)布局，縮短客戶產(chǎn)品上市周期。

極致性能：1200V耐壓 ±10A峰值電流

支持高達1200V的功率器件母線電壓，滿足工業(yè)級高壓需求。

單通道±10A峰值驅動電流（實測@470nF負載），確保SiC器件高速開關的柵極電荷需求，顯著降低開關損耗（典型值RGon=5Ω，RGoff=2.52Ω）。

300kHz超高開關頻率支持，賦能高功率密度電源設計（如SiC電鍍電源、感應加熱電源）。

三重安全防護，可靠性倍增

4000Vac強化隔離：徹底阻斷原副邊潛在失效風險，保障系統(tǒng)安全。

智能電源監(jiān)控：集成原邊（Vcc UVLO: 2.5V保護/2.7V恢復）、副邊驅動電源（11V保護/12.5V恢復）及隔離DC/DC輸入（4.7V保護/4.9V恢復）欠壓保護，異常狀態(tài)快速關斷。

主動式米勒鉗位（VCLAMP）：有效抑制開關管寄生導通（鉗位閾值2.2V，峰值電流10A），杜絕橋臂直通風險，提升系統(tǒng)魯棒性。

一體化設計，降低客戶開發(fā)門檻

內(nèi)置隔離DC/DC電源，無需客戶額外設計隔離供電模塊。

清晰的接口定義（4Pin端子：VCC/PWM1/PWM2/GND）和門極電阻靈活配置（通過并聯(lián)電阻調整RGon/RGoff），大幅簡化外圍電路設計。

提供完整電路原理圖（如文檔附錄）與機械尺寸圖，加速客戶PCB布局與散熱設計。

傾佳電子：不止于供應，更提供價值賦能

作為BASIC半導體戰(zhàn)略合作伙伴，傾佳電子為客戶提供遠超產(chǎn)品本身的技術支持：

本地化技術響應：資深FAE團隊提供原理圖審核、布板指導及調試支持，快速解決驅動兼容性、EMI優(yōu)化等挑戰(zhàn)。

失效分析與可靠性保障：依托專業(yè)實驗室，協(xié)助客戶定位驅動相關故障，提供設計改進方案。

供應鏈韌性：穩(wěn)定的庫存管理與原廠直通渠道，確保項目量產(chǎn)無虞。

立即行動，引領高效能源革命！
BSRD-2503-ES01驅動板是解鎖62mm SiC MOSFET性能潛力的關鍵鑰匙。無論您正在開發(fā)下一代工業(yè)電源、新能源逆變器還是高端特種裝備，傾佳電子愿以專業(yè)的技術實力與供應鏈保障，成為您值得信賴的合作伙伴。

技術亮點速覽
雙通道獨立驅動 ±10A峰值電流
1200V耐壓 / 4000Vac隔離
集成米勒鉗位 + 三級電源欠壓保護
內(nèi)置隔離DC/DC，支持300kHz開關頻率
專為62mm SiC模塊優(yōu)化設計

聯(lián)系傾佳電子，獲取BSRD-2503-ES01樣品、技術文檔及定制化支持方案，開啟高效能源轉換新篇章！