62mm SiC半橋模塊與雙通道SiC驅(qū)動(dòng)板設(shè)計(jì)固態(tài)變壓器（SST）功率單元

全球能源互聯(lián)網(wǎng)核心節(jié)點(diǎn)賦能者-BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體之一級(jí)代理商傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，代理并力推BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET功率模塊，SiC模塊驅(qū)動(dòng)板等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。?

傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭：

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢(shì)！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和大于650V的高壓硅MOSFET的必然趨勢(shì)！

傾佳電子楊茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢(shì)！

基本半導(dǎo)體 BMF540R12KHA3（1200V/540A 62mm SiC半橋模塊）和青銅劍 2CP0220T12-ZC01（適配雙通道SiC驅(qū)動(dòng)板）的數(shù)據(jù)手冊(cè)，這兩個(gè)核心器件性能優(yōu)異，非常適合用于構(gòu)建大功率、高頻化、高功率密度的固態(tài)變壓器（SST）功率單元（PEBB）。

在典型的中高壓接入SST架構(gòu)（如級(jí)聯(lián)H橋架構(gòu)）中，一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的單一功率單元通常包含**單相AC-DC（有源前端整流）和隔離型DC-DC（雙有源橋）**兩個(gè)部分。

以下為您量身定制的 100kW 級(jí) SST 功率單元的完整設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)方案：

一、 功率單元系統(tǒng)級(jí)規(guī)格定義

額定傳輸功率：100 kW（預(yù)留20%裕量，最大可達(dá)120kW）。

直流母線電壓 (VDC?) ：800 V（1200V SiC器件的最佳安全工作電壓，適配驅(qū)動(dòng)板內(nèi)置的1060V有源鉗位）。

交流側(cè)電壓：400V RMS（單相，作為低壓側(cè)或高壓側(cè)級(jí)聯(lián)單元均分電壓）。

開(kāi)關(guān)頻率設(shè)計(jì)：

• AC-DC 側(cè)：20 kHz（平衡網(wǎng)側(cè)濾波電感體積與開(kāi)關(guān)損耗）。
• DC-DC 側(cè)：50 kHz（發(fā)揮SiC高頻優(yōu)勢(shì)，極致壓縮隔離變壓器體積）。