UCC2773x-Q1 是一款 700V 半橋柵極驅(qū)動器，具有 3.5A 源電流和 4A 灌電流能力，旨在驅(qū)動功率 MOSFET 和 IGBT。該器件由一個接地基準(zhǔn)通道 （LO） 和一個浮動通道 （HO） 組成，設(shè)計用于驅(qū)動半橋配置的 MOSFET 和使用自舉電源工作的 IGBT。該器件具有強大的驅(qū)動功能，具有出色的噪聲和瞬態(tài)抗擾度，包括輸入端的大負(fù)電壓容差、高dV/dt容差、開關(guān)節(jié)點（HS）上的寬負(fù)瞬態(tài)安全工作區(qū)（NTSOA）和互鎖。

該器件接受10V至21V的寬偏置電源輸入，并為VDD和HB偏置電源引腳提供UVLO保護(hù)。UCC2773x-Q1 采用各種封裝，額定工作溫度范圍為 –40°C 至 150°C。
*附件：ucc27734-q1.pdf

特性

• 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)，適用于汽車應(yīng)用
  • 設(shè)備溫度等級 1
• 高側(cè)、低側(cè)配置，具有獨立輸入
• 最大自舉電壓為 +700V（HB 引腳）
• 4A 灌電流峰值輸出電流，3.5A 源電流
• 典型 32ns 傳播延遲
• HO/LO之間的傳播延遲匹配在最大6ns以內(nèi)
• VDD 偏置電源范圍為 10V 至 21V
• 能夠處理 –6V 的輸入引腳
• 專為引導(dǎo)作而設(shè)計的浮動通道
• HS引腳上最大共模瞬態(tài)抗擾度為200V/ns
• 輸入聯(lián)鎖功能（UCC2773x-Q1）
• 兩個通道均內(nèi)置 8V 欠壓鎖定 （UVLO）
• SOIC 14引腳封裝，SOIC 8引腳封裝

參數(shù)

方框圖

?1. 核心特性?

• ?汽車級認(rèn)證?：通過AEC-Q100 Grade 1認(rèn)證，支持-40°C至150°C工作溫度。
• ?高性能驅(qū)動?：峰值輸出電流4A（灌電流）/3.5A（源電流），傳播延遲低至32ns（典型值），通道間延遲匹配≤6ns。
• ?高壓支持?：最大自舉電壓700V（HB引腳），支持200V/ns共模瞬態(tài)抗擾度（HS引腳）。
• ?靈活供電?：VDD偏置電壓范圍10V-21V，兼容TTL/CMOS輸入邏輯。
• ?保護(hù)功能?：
  • 雙通道欠壓鎖定（UVLO）：VDD與HB電壓監(jiān)測。
  • 輸入互鎖功能（防止上下管直通）。
  • 負(fù)瞬態(tài)安全工作區(qū)（NTSOA）：HS引腳支持-9V瞬態(tài)（HB-HS=12V時）。

?2. 應(yīng)用場景?

• ?新能源?：電動汽車充電器（OBC）、儲能系統(tǒng)（BESS）DC/AC轉(zhuǎn)換。
• ?工業(yè)電源?：服務(wù)器/電信電源、白色家電PFC及電機驅(qū)動。
• ?橋式拓?fù)?/strong>?：半橋/全橋LLC、移相全橋、雙晶體管正激變換器。

?3. 關(guān)鍵設(shè)計要點?

• ?自舉電路?：
  • 推薦CBOOT≥10倍柵極電容（典型值100nF），DBOOT選用快恢復(fù)二極管。
  • 可選RBOOT（如2.2Ω）限制充電電流。
• ?布局優(yōu)化?：
  • 縮短HO/LO至MOSFET的走線，降低寄生電感。
  • VDD與HB引腳就近放置低ESR陶瓷電容（如1μF X7R）。
• ?柵極電阻?：典型值3.01Ω，平衡開關(guān)速度與振鈴抑制。

?4. 封裝與型號差異?

• ?UCC27734-Q1?：SOIC-8封裝（3.91mm×4.90mm），無EN引腳。
• ?UCC27735-Q1?：SOIC-14封裝（3.91mm×8.65mm），支持EN引腳快速關(guān)斷（響應(yīng)時間32ns）。

?5. 功耗估算?
驅(qū)動87nC柵極電荷的MOSFET時：

• 總損耗≈111mW（100kHz開關(guān)頻率）。
• 動態(tài)損耗主導(dǎo)（如柵極電荷損耗占261mW，驅(qū)動IC分?jǐn)?02mW）。